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PNP-ISA

  • 利用PNP加速電容放電

    純硬件加速電路應用,有效節省單機片成本,高效可靠

    標簽: pnp 電容放電

    上傳時間: 2021-10-28

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  • SPWM波產生.

    電路主要包括以下七個單元電路:正弦波產生電路、正弦波放大及電平變換電路、峰值檢測電路、增益控制電路、三角波產生電路、比較電路、低通濾波電路。正弦波產生電路采用文氏橋正弦波振蕩電路,由放大電路、反饋電路(正反饋)、選頻網絡(和反饋電路一起)、穩幅電路構成,它的振蕩頻率為:f=1/(2Π*RC),由R4和C1構成RC并聯振蕩,產生正弦波,與R5和C2構成選頻網絡,同時R5和C2又構成該電路的正反饋;穩幅電路是由該電路的負反饋構成,當振幅過大時,二極管導通,R3短路,Av=1+(R2+R3)/R1減小,振幅減小,反之Av=1+(R2+R3)/R1增大,振幅增大,達到穩幅效果,從而保證正弦波的正常產生。正弦波放大及電平變換電路由R10,R7分別與R15滑動電阻部分相連,通過滑動R15來分VCC和VEE的電壓,通過放大器正相來抬高或降低正弦波來達到特定范圍內的幅值,滑動電阻R6與地相連,又與放大器反相端相連,滑動R6分壓來改變振幅,后又由R9和R8構成反饋來達到放大的效果,從而達到正弦波放大及電平變化的目的。峰值檢測電路是由正弦波放大及電平變換電路產生的正弦波送入電壓跟隨器的正相端,通過兩個反向二極管后再連電容,快速充放電達到峰值,然后再送回正弦波放大及電平變換電路的反相端,構成負反饋,達到增益穩幅控制效果三角波產生電路主要由兩個NPN型三極管Q3Q4,一個PNP型三極管Q2,兩個電容C3C4,兩個非門,一個滑動電阻R16組成,通過充放電后經過非門產生三角波。比較電路產生的正弦波送入放大器的正相端,產生的三角波送入放大器的反相端,通過作差比較產SPWM波,后又經過由R22和C8組成的低通濾波電路,還原正弦波。

    標簽: spwm 產生

    上傳時間: 2021-10-30

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  • AC220V轉DC(12V15W )電源板AD設計硬件原理圖+PCB文件 2層板設計 大小為100

    AC220V轉DC(12V15W )電源板AD設計硬件原理圖+PCB文件,2層板設計,大小為100*55mm,   ALTIUM設計的原理圖+PCB文件,可以做為你的學習設計參考。主要器件型號如下:Library Component Count : 24Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------------2N3904              NPN General Purpose Amplifier2N3906              PNP General Purpose AmplifierBRIDGE1             Diode BridgeCON2                ConnectorCap                 CapacitorCap Pol1            Polarized Capacitor (Radial)D Zener             Zener DiodeDIODE               Diode 1N914         High Conductance Fast DiodeECELECTRO2            Electrolytic CapacitorFP103               FUSE-HHeader 2            Header, 2-PinINDUCTOR2           NMOS-2              N-Channel Power MOSFETPC837               OptoisolatorRES2-B              Res Varistor        Varistor (Voltage-Sensitive Resistor)T                   TR-2B               TRANS1UCC28051            Volt Reg            Voltage Regulator

    標簽: 電源 pcb

    上傳時間: 2021-11-21

    上傳用戶:kent

  • STM32H750VBT6核心板 ALTIUM設計硬件原理圖+PCB文件 包括完整的原理圖和PCB文

    STM32H750VBT6核心板 ALTIUM設計硬件原理圖+PCB文件,包括完整的原理圖和PCB文件,可以做為你的設計參考,PCB 2層板設計,大小85MM*56MM, 帶SD,DCMI,QSPI,外擴flash,以太網,RS485,CAN總線, 主要器件信號列表如下:Library Component Count : 29Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------------AMS1117             三端穩壓芯片BAT54C              表貼肖特基二極管C                   無極性貼片電容CRYSTAL_32K         CrystalCap                 CapacitorFPC0.5-24P          貼片FU                  貼片保險絲HR911105Header 2            Header, 2-PinLLAN8720             ETH PHYLED                 Typical RED, GREEN, YELLOW, AMBER GaAs LEDMAX3485PNP                 PNP三極管Pin HDR2X20         R                   貼片電阻Res                 ResisterSN65HVD230D         STM32H750VBT6       Socket              SocketTCAP                鉭電容TEST-POINT          測試點TSW                 輕觸開關USB type C          W25Qxx              外置FlashXC6206-3.3          SOT-23,XC6206P332MR,MAX8V,100mAXTAL-4P             4腳無源晶振XTAL_3225           Crystal OscillatormicroSD

    標簽: stm32 pcb

    上傳時間: 2021-11-24

    上傳用戶:aben

  • STM32F407單片機開發板PDF原理圖+AD集成封裝庫+主要器件技術手冊資料: 器件手冊: AM

    STM32F407單片機開發板PDF原理圖+AD集成封裝庫+主要器件技術手冊資料:AD集成封裝庫列表:Library Component Count : 54Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------------24C256              AMS1117ATK-HC05            ATK-HC05BAT                 BEEP                BUTTONC                   CAPCH340G              USB2UARTDDB9                 DHT11               數字溫濕度傳感器HEAD2HEAD2*22            HR911105            HS0038Header 16           Header, 16-PinHeader 2            Header, 2-PinHeader 2X2          Header, 2-Pin, Dual rowHeader 3X2          Header, 3-Pin, Dual rowHeader 4            Header, 4-PinHeader 9X2          Header, 9-Pin, Dual rowIS62WV51216         JTAG                KEY_M               L                   LAN8720             ETH PHYLED2                Typical RED, GREEN, YELLOW, AMBER GaAs LEDLSENS               LIGHT SENSL_SOP               MAX3232             MAX3485             MIC                 MOS-P               IRLML6401/SI2301MP2359              DC DC Step Down ICMPU6050             9軸運動處理傳感器NPN                 8050/BCW846/BCW847NRF24L01            PHONE_M             PNP                 8550/BCW68POW                 R                   SMBJ                TVSSN65HVD230D         STM32F407ZET6       STM32F407ZET6TEST-POINT          測試點TFT_LCD             TPAD                ALIENTEK TPADUSB5USB_A_90            USB-A-90W25X16 

    標簽: stm32f407 單片機 封裝

    上傳時間: 2021-12-15

    上傳用戶:ttalli

  • 黑金CYCLONE4 EP4CE6F17C8 FPGA開發板ALTIUM設計硬件工程(原理圖+PCB

    黑金CYCLONE4 EP4CE6F17C8 FPGA開發板ALTIUM設計硬件工程(原理圖+PCB+AD集成封裝庫),Altium Designer 設計的工程文件,包括完整的原理圖及PCB文件,可以用Altium(AD)軟件打開或修改,可作為你產品設計的參考。集成封裝器件型號列表:Library Component Count : 50Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------------1117-3.3            24LC04B_0           4148                BAV99               CAP NP_Dup2CAP NP_Dup2_1       CAP NP_Dup2_2CP2102_0            C_Dup1              C_Dup1_1C_Dup2              C_Dup3              C_Dup4              C_Dup4_1            Circuit Breaker     Circuit BreakerConnector 15        Receptacle Assembly, 15-Pin, Sim Line ConnectorDS1302_8SO          EC                  EP4CE6F17C8         Cyclone IV Family FPGA, 2V Core, 179 I/O Pins, 2 PLLs, 256-Pin FBGA, Speed Grade 8, Commercial GradeEP4CE6F17C8_1       Cyclone IV Family FPGA, 2V Core, 179 I/O Pins, 2 PLLs, 256-Pin FBGA, Speed Grade 8, Commercial GradeFuse 2              FuseHEX6HY57651620/SO_0     Header 2            Header, 2-PinHeader 9X2          Header, 9-Pin, Dual rowINDUCTOR            JTAG-10_Dup1        KEYB                LED                 LED_Dup1            M25P16-VMN3PB       16 Mb (x1) Automotive Serial NOR Flash Memory, 75 MHz, 2.7 to 3.6 V, 8-pin SO8 Narrow (MN), TubeMHDR2X20            Header, 20-Pin, Dual rowMiniUSBB            OSCPNP                 R                   RESISTOR            RN                  RN_Dup1             R_Dup1              R_Dup2              R_Dup3              R_Dup5R_Dup6              SD                  SPEAKERSRV05-4SW KEY-DPDT         ZTAbattery

    標簽: 黑金 cyclone4 ep4ce6f17c8 fpga

    上傳時間: 2021-12-22

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  • TMS320F28035 DSP設計的數字大功率數字化全橋變換器ALTIUM設計硬件原理圖+PCB

    基于DSP設計的數字化大功率電源數字化全橋變換器電源ALTIUM設計硬件原理圖+PCB文件,包括主板和控制板2個硬件,均為4層板設計,ALTIUM設計的硬件工程文件,包括完整的原理圖和PCB文件,可以做為你的設計參考。主板原理圖器件如下:Library Component Count : 55Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------------6CWQ09F             Schottky Rectifier7416474HC16474LS1647805                7812                7815                7824                ACT45B              共模電感ARRESTER            R27030059BAV99               R26010005BRIDGE              R26060153CAPCB                  CD                  CON4                ConnectorComponent_1_1       D-1N5819            DiodeDEDIO-SMDELECTRO1            R21010742FUSE                R27010205HOLHeader 3            Header, 3-PinHeader 6            Header, 6-PinHeader 7            Header, 7-PinIR1150S             JQX-115F-I          L0                  L2                  LBAV70              R26010012LM358MOSFET N            NMOS-2              R26110100NPN                 R26080003OPTOISO1            R25030015PNP                 PNP TransistorR-NTCR20190006           R20190075R21020037           R21020037/工業B/消費C/瓷片電容/4700pF±20%/250Vac/Y2/Y5U/引腳間距7.5mmR26020054           R26020054/工業A/消費C/快恢復二極管/1000V/1A/1.7V/75ns/SMA/US1M-E3-61TR26030048           R26030048/工業A/消費B/肖特基二極管/1A/100V/0.79V/SMA/SS110LR26030097           R26030097/工業B/肖特基二極管/60V/1A/0.70V/SMA/B160R29030691           R29030691/防雷接地座/最大尺寸7.36*7*10/紫銅鍍錫RES                 R20190099RES2                RES_1Res3                ResistorTL431               TRANS01TRANS7-9            Transformer         UCC3804VARISTOR            R27030060ZENERu型槽3.5x7

    標簽: tms320f28035 dsp 全橋變換器

    上傳時間: 2021-12-22

    上傳用戶:aben

  • 常用三極管Altium Designer AD原理圖庫元件庫

    常用三極管Altium Designer AD原理圖庫元件庫CSV text has been written to file : 6.2   - 三極管.csvLibrary Component Count : 23Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------------44H11               互補功率-NPN型45H11               互補功率-PNP型8050-DIP            高頻放大-NPN型8050-SMD            高頻放大-NPN型8550-DIP            高頻放大-PNP型8550-SMD            高頻放大-PNP型9012-DIP            低頻放大-PNP型9012-SMD            低頻放大-PNP型9013-DIP            低頻放大-NPN型9013-SMD            低頻放大-NPN型9014-DIP            低噪放大-NPN型9014-SMD            低噪放大-NPN型9015-DIP            低噪放大-PNP型9015-SMD            低噪放大-PNP型B772-DIP            音頻功放-PNP型B772-SMD            音頻功放-PNP型BCXH6(BH)           NPN型三極管D882-DIP            音頻功放-NPN型D882-SMD            音頻功放-NPN型MMBTA42             高壓-NPN型MMBTA92             高壓-PNP型TIP41C              互補功率-NPN型TIP42C              互補功率-PNP型

    標簽: 三極管 Altium Designer

    上傳時間: 2022-03-13

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  • LDO環路分析及補償

    低壓差線性穩壓器(Low Dropout Voltage Regulator,LDO)屬于線性穩壓器的一種,但由于其壓差較低,相對于一般線性穩壓器而言具有較高的轉換效率。但在電路穩定性上有所下降,而且LDO有著較高的輸出電阻,使得輸出極點的位置會隨著負載情況有很大關系。因此需要對LDO進行頻率補償來滿足其環路穩定性要求。內容安排上第一節首先簡單介紹各種線性穩壓源的區別:第二節介紹LDO中的主要參數及設計中需要考慮折中的一些問題;第三節對LDO開環電路的三個模塊,運放模塊,PMOS模塊和反饋模塊進行簡化的小信號分析,得出其傳輸函數并判斷其零極點:第四節針對前面分析的三個LDO環路模塊分別進行補償考慮,并結合RT9193電路對三種補償方法進行了仿真驗證和解釋說明。該電路主要包含基準電路以及相關啟動電路,保護電路(OTP,OCP等),誤差放大器,調整管(Pass Element)和電阻反饋網絡。在電路上,通過連接到誤差放大器反相輸入端的分壓電阻對輸出電壓進行采樣,誤差放大器的同相輸入端連接到一個基準電壓(Bandgap Reference),誤差放大器會使得兩個輸入端電壓基本相等,因此,可以通過控制調整管輸出足夠的負載電流以保證輸出電壓穩定。電路所采用的調整管不同,其Dropout電壓不同。以前大多使用三極管來作為穩壓源的調整管,常見的有NPN穩壓源,PNP穩壓源(LDO),準LDO穩壓源,其調整管如圖2所示,其Dorpout電壓分別是:VoRop=2VBE+ Vsr-NPN穩壓源VoRоP =VsurPNP穩壓源(LDO)VDRoP=VE + Vsur-準LDO穩壓源

    標簽: ldo 環路分析

    上傳時間: 2022-06-19

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  • IGBT圖解

    le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)

    標簽: igbt

    上傳時間: 2022-06-20

    上傳用戶:wangshoupeng199

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