STM32F407單片機開發板PDF原理圖+AD集成封裝庫+主要器件技術手冊資料:AD集成封裝庫列表：Library Component Count : 54Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------24C256 AMS1117ATK-HC05 ATK-HC05BAT BEEP BUTTONC CAPCH340G USB2UARTDDB9 DHT11 數字溫濕度傳感器HEAD2HEAD2*22 HR911105 HS0038Header 16 Header, 16-PinHeader 2 Header, 2-PinHeader 2X2 Header, 2-Pin, Dual rowHeader 3X2 Header, 3-Pin, Dual rowHeader 4 Header, 4-PinHeader 9X2 Header, 9-Pin, Dual rowIS62WV51216 JTAG KEY_M L LAN8720 ETH PHYLED2 Typical RED, GREEN, YELLOW, AMBER GaAs LEDLSENS LIGHT SENSL_SOP MAX3232 MAX3485 MIC MOS-P IRLML6401/SI2301MP2359 DC DC Step Down ICMPU6050 9軸運動處理傳感器NPN 8050/BCW846/BCW847NRF24L01 PHONE_M PNP 8550/BCW68POW R SMBJ TVSSN65HVD230D STM32F407ZET6 STM32F407ZET6TEST-POINT 測試點TFT_LCD TPAD ALIENTEK TPADUSB5USB_A_90 USB-A-90W25X16
上傳時間： 2021-12-15
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黑金CYCLONE4 EP4CE6F17C8 FPGA開發板ALTIUM設計硬件工程（原理圖+PCB+AD集成封裝庫）,Altium Designer 設計的工程文件，包括完整的原理圖及PCB文件，可以用Altium(AD)軟件打開或修改，可作為你產品設計的參考。集成封裝器件型號列表：Library Component Count : 50Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------1117-3.3 24LC04B_0 4148 BAV99 CAP NP_Dup2CAP NP_Dup2_1 CAP NP_Dup2_2CP2102_0 C_Dup1 C_Dup1_1C_Dup2 C_Dup3 C_Dup4 C_Dup4_1 Circuit Breaker Circuit BreakerConnector 15 Receptacle Assembly, 15-Pin, Sim Line ConnectorDS1302_8SO EC EP4CE6F17C8 Cyclone IV Family FPGA, 2V Core, 179 I/O Pins, 2 PLLs, 256-Pin FBGA, Speed Grade 8, Commercial GradeEP4CE6F17C8_1 Cyclone IV Family FPGA, 2V Core, 179 I/O Pins, 2 PLLs, 256-Pin FBGA, Speed Grade 8, Commercial GradeFuse 2 FuseHEX6HY57651620/SO_0 Header 2 Header, 2-PinHeader 9X2 Header, 9-Pin, Dual rowINDUCTOR JTAG-10_Dup1 KEYB LED LED_Dup1 M25P16-VMN3PB 16 Mb (x1) Automotive Serial NOR Flash Memory, 75 MHz, 2.7 to 3.6 V, 8-pin SO8 Narrow (MN), TubeMHDR2X20 Header, 20-Pin, Dual rowMiniUSBB OSCPNP R RESISTOR RN RN_Dup1 R_Dup1 R_Dup2 R_Dup3 R_Dup5R_Dup6 SD SPEAKERSRV05-4SW KEY-DPDT ZTAbattery
標簽： 黑金 cyclone4 ep4ce6f17c8 fpga
上傳時間： 2021-12-22
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基于DSP設計的數字化大功率電源數字化全橋變換器電源ALTIUM設計硬件原理圖+PCB文件，包括主板和控制板2個硬件，均為4層板設計，ALTIUM設計的硬件工程文件，包括完整的原理圖和PCB文件，可以做為你的設計參考。主板原理圖器件如下：Library Component Count : 55Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------6CWQ09F Schottky Rectifier7416474HC16474LS1647805 7812 7815 7824 ACT45B 共模電感ARRESTER R27030059BAV99 R26010005BRIDGE R26060153CAPCB CD CON4 ConnectorComponent_1_1 D-1N5819 DiodeDEDIO-SMDELECTRO1 R21010742FUSE R27010205HOLHeader 3 Header, 3-PinHeader 6 Header, 6-PinHeader 7 Header, 7-PinIR1150S JQX-115F-I L0 L2 LBAV70 R26010012LM358MOSFET N NMOS-2 R26110100NPN R26080003OPTOISO1 R25030015PNP PNP TransistorR-NTCR20190006 R20190075R21020037 R21020037/工業B/消費C/瓷片電容/4700pF±20%/250Vac/Y2/Y5U/引腳間距7.5mmR26020054 R26020054/工業A/消費C/快恢復二極管/1000V/1A/1.7V/75ns/SMA/US1M-E3-61TR26030048 R26030048/工業A/消費B/肖特基二極管/1A/100V/0.79V/SMA/SS110LR26030097 R26030097/工業B/肖特基二極管/60V/1A/0.70V/SMA/B160R29030691 R29030691/防雷接地座/最大尺寸7.36*7*10/紫銅鍍錫RES R20190099RES2 RES_1Res3 ResistorTL431 TRANS01TRANS7-9 Transformer UCC3804VARISTOR R27030060ZENERu型槽3.5x7
標簽： tms320f28035 dsp 全橋變換器
上傳時間： 2021-12-22
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常用三極管Altium Designer AD原理圖庫元件庫CSV text has been written to file : 6.2 - 三極管.csvLibrary Component Count : 23Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------44H11 互補功率-NPN型45H11 互補功率-PNP型8050-DIP 高頻放大-NPN型8050-SMD 高頻放大-NPN型8550-DIP 高頻放大-PNP型8550-SMD 高頻放大-PNP型9012-DIP 低頻放大-PNP型9012-SMD 低頻放大-PNP型9013-DIP 低頻放大-NPN型9013-SMD 低頻放大-NPN型9014-DIP 低噪放大-NPN型9014-SMD 低噪放大-NPN型9015-DIP 低噪放大-PNP型9015-SMD 低噪放大-PNP型B772-DIP 音頻功放-PNP型B772-SMD 音頻功放-PNP型BCXH6(BH) NPN型三極管D882-DIP 音頻功放-NPN型D882-SMD 音頻功放-NPN型MMBTA42 高壓-NPN型MMBTA92 高壓-PNP型TIP41C 互補功率-NPN型TIP42C 互補功率-PNP型
標簽： 三極管 Altium Designer
上傳時間： 2022-03-13
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低壓差線性穩壓器（Low Dropout Voltage Regulator，LDO）屬于線性穩壓器的一種，但由于其壓差較低，相對于一般線性穩壓器而言具有較高的轉換效率。但在電路穩定性上有所下降，而且LDO有著較高的輸出電阻，使得輸出極點的位置會隨著負載情況有很大關系。因此需要對LDO進行頻率補償來滿足其環路穩定性要求。內容安排上第一節首先簡單介紹各種線性穩壓源的區別：第二節介紹LDO中的主要參數及設計中需要考慮折中的一些問題；第三節對LDO開環電路的三個模塊，運放模塊，PMOS模塊和反饋模塊進行簡化的小信號分析，得出其傳輸函數并判斷其零極點：第四節針對前面分析的三個LDO環路模塊分別進行補償考慮，并結合RT9193電路對三種補償方法進行了仿真驗證和解釋說明。該電路主要包含基準電路以及相關啟動電路，保護電路（OTP，OCP等），誤差放大器，調整管（Pass Element）和電阻反饋網絡。在電路上，通過連接到誤差放大器反相輸入端的分壓電阻對輸出電壓進行采樣，誤差放大器的同相輸入端連接到一個基準電壓（Bandgap Reference），誤差放大器會使得兩個輸入端電壓基本相等，因此，可以通過控制調整管輸出足夠的負載電流以保證輸出電壓穩定。電路所采用的調整管不同，其Dropout電壓不同。以前大多使用三極管來作為穩壓源的調整管，常見的有NPN穩壓源，PNP穩壓源（LDO），準LDO穩壓源，其調整管如圖2所示，其Dorpout電壓分別是：VoRop=2VBE+ Vsr-NPN穩壓源VoRоP =VsurPNP穩壓源（LDO）VDRoP=VE + Vsur-準LDO穩壓源
上傳時間： 2022-06-19
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of PNP transistor)
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-20
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MOSFET和IGBT內部結構不同, 決定了其應用領域的不同.1, 由于MOSFET的結構, 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點頻率不是太高, 目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了. 不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領域的產品.3, 就其應用, 根據其特點:MOSFET應用于開關電源, 鎮流器, 高頻感應加熱, 高頻逆變焊機, 通信電源等等高頻電源領域;IGBT 集中應用于焊機, 逆變器, 變頻器,電鍍電解電源, 超音頻感應加熱等領域開關電源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS ( 零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET或 IGBT 導通開關損耗的主要因素， 討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外， IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路（見圖1）可看出，完全調節PNP BJT集電極基極區的少數載流子所需的時間導致了導通電壓拖尾（ voltage tail ）出現。
上傳時間： 2022-06-21
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本文只是論述由單只IGBT管子或雙管做成的逆變模塊，及其有關測量和判斷好壞的方法。IPM模塊不在本文討論內容之內。場效應管子有開關速度快、電壓控制的優點，但也有導通壓降大，電壓與電流容量小的缺點。而雙極型器件恰恰有與其相反的特點，如電流控制、導通壓降小，功率容量大等，二者復合，正所謂優勢互補。IGBT管子，或者1GBT模塊的由來，即基于此。從結構上看，類似于我們都早已熟悉的復合放大管，輸出管為一只PNP型三極管，而激勵管是一只場效應管，后者的漏極電流形成了前者的基極電流。放大能力是兩管之積。IGBT管子的等效電路及符號如下圖：
上傳時間： 2022-06-21
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