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Pin二極管

  • FPGA連接DDR2的問題討論

    我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB),分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計(jì)目標(biāo):當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時(shí),8片分立器件不焊接;當(dāng)使用直接貼片分立內(nèi)存顆粒時(shí),SODIMM內(nèi)存條不安裝。請(qǐng)問專家:1、在設(shè)計(jì)中,先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后,管腳約束文件是否還可更改?若能更改,則必須要滿足什么條件下更改?生成的約束文件中,ADDR,data之間是否能調(diào)換? 2、對(duì)DDR2數(shù)據(jù)、地址和控制線路的匹配要注意些什么?通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進(jìn)行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進(jìn)行匹配,哪種匹配方式更好? 3、V4中,PCB LayOut時(shí),DDR2線路阻抗單端為50歐,差分為100歐?Hyperlynx仿真時(shí),那些參數(shù)必須要達(dá)到那些指標(biāo)DDR2-667才能正常工作? 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內(nèi)存條,能否降速使用?比如降速到DDR2-400或更低頻率使用? 5、板卡上有SODIMM的插座,又有8片內(nèi)存顆粒,則物理上兩部分是連在一起的,若實(shí)際使用時(shí),只安裝內(nèi)存條或只安裝8片內(nèi)存顆粒,是否會(huì)造成信號(hào)完成性的影響?若有影響,如何控制? 6、SODIMM內(nèi)存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時(shí)使用,構(gòu)成一個(gè)(max:8GB)的DDR2單元?若能,則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制?地址和控制線的TOP圖應(yīng)該怎樣? 7、DDR2和FPGA(VREF pin)的參考電壓0.9V的實(shí)際工作電流有多大?工作時(shí)候,DDR2芯片是否很燙,一般如何考慮散熱? 8、由于多層板疊層的問題,可能頂層和中間層的銅箔不一樣后,中間的夾層后度不一樣時(shí),也可能造成阻抗的不同。請(qǐng)教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進(jìn)疊層?

    標(biāo)簽: FPGA DDR2 連接 問題討論

    上傳時(shí)間: 2013-10-21

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  • PCB布線原則

    PCB 布線原則連線精簡(jiǎn)原則連線要精簡(jiǎn),盡可能短,盡量少拐彎,力求線條簡(jiǎn)單明了,特別是在高頻回路中,當(dāng)然為了達(dá)到阻抗匹配而需要進(jìn)行特殊延長(zhǎng)的線就例外了,例如蛇行走線等。安全載流原則銅線的寬度應(yīng)以自己所能承載的電流為基礎(chǔ)進(jìn)行設(shè)計(jì),銅線的載流能力取決于以下因素:線寬、線厚(銅鉑厚度)、允許溫升等,下表給出了銅導(dǎo)線的寬度和導(dǎo)線面積以及導(dǎo)電電流的關(guān)系(軍品標(biāo)準(zhǔn)),可以根據(jù)這個(gè)基本的關(guān)系對(duì)導(dǎo)線寬度進(jìn)行適當(dāng)?shù)目紤]。印制導(dǎo)線最大允許工作電流(導(dǎo)線厚50um,允許溫升10℃)導(dǎo)線寬度(Mil) 導(dǎo)線電流(A) 其中:K 為修正系數(shù),一般覆銅線在內(nèi)層時(shí)取0.024,在外層時(shí)取0.048;T 為最大溫升,單位為℃;A 為覆銅線的截面積,單位為mil(不是mm,注意);I 為允許的最大電流,單位是A。電磁抗干擾原則電磁抗干擾原則涉及的知識(shí)點(diǎn)比較多,例如銅膜線的拐彎處應(yīng)為圓角或斜角(因?yàn)楦哳l時(shí)直角或者尖角的拐彎會(huì)影響電氣性能)雙面板兩面的導(dǎo)線應(yīng)互相垂直、斜交或者彎曲走線,盡量避免平行走線,減小寄生耦合等。一、 通常一個(gè)電子系統(tǒng)中有各種不同的地線,如數(shù)字地、邏輯地、系統(tǒng)地、機(jī)殼地等,地線的設(shè)計(jì)原則如下:1、 正確的單點(diǎn)和多點(diǎn)接地在低頻電路中,信號(hào)的工作頻率小于1MHZ,它的布線和器件間的電感影響較小,而接地電路形成的環(huán)流對(duì)干擾影響較大,因而應(yīng)采用一點(diǎn)接地。當(dāng)信號(hào)工作頻率大于10MHZ 時(shí),如果采用一點(diǎn)接地,其地線的長(zhǎng)度不應(yīng)超過波長(zhǎng)的1/20,否則應(yīng)采用多點(diǎn)接地法。2、 數(shù)字地與模擬地分開若線路板上既有邏輯電路又有線性電路,應(yīng)盡量使它們分開。一般數(shù)字電路的抗干擾能力比較強(qiáng),例如TTL 電路的噪聲容限為0.4~0.6V,CMOS 電路的噪聲容限為電源電壓的0.3~0.45 倍,而模擬電路只要有很小的噪聲就足以使其工作不正常,所以這兩類電路應(yīng)該分開布局布線。3、 接地線應(yīng)盡量加粗若接地線用很細(xì)的線條,則接地電位會(huì)隨電流的變化而變化,使抗噪性能降低。因此應(yīng)將地線加粗,使它能通過三倍于印制板上的允許電流。如有可能,接地線應(yīng)在2~3mm 以上。4、 接地線構(gòu)成閉環(huán)路只由數(shù)字電路組成的印制板,其接地電路布成環(huán)路大多能提高抗噪聲能力。因?yàn)榄h(huán)形地線可以減小接地電阻,從而減小接地電位差。二、 配置退藕電容PCB 設(shè)計(jì)的常規(guī)做法之一是在印刷板的各個(gè)關(guān)鍵部位配置適當(dāng)?shù)耐伺弘娙荩伺弘娙莸囊话闩渲迷瓌t是:􀁺?電電源的輸入端跨½10~100uf的的電解電容器,如果印制電路板的位置允許,采Ó100uf以以上的電解電容器抗干擾效果會(huì)更好¡���?原原則上每個(gè)集成電路芯片都應(yīng)布置一¸0.01uf~`0.1uf的的瓷片電容,如遇印制板空隙不夠,可Ã4~8個(gè)個(gè)芯片布置一¸1~10uf的的鉭電容(最好不用電解電容,電解電容是兩層薄膜卷起來的,這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感,最好使用鉭電容或聚碳酸醞電容)。���?對(duì)對(duì)于抗噪能力弱、關(guān)斷時(shí)電源變化大的器件,ÈRA、¡ROM存存儲(chǔ)器件,應(yīng)在芯片的電源線和地線之間直接接入退藕電容¡���?電電容引線不能太長(zhǎng),尤其是高頻旁路電容不能有引線¡三¡過過孔設(shè)¼在高ËPCB設(shè)設(shè)計(jì)中,看似簡(jiǎn)單的過孔也往往會(huì)給電路的設(shè)計(jì)帶來很大的負(fù)面效應(yīng),為了減小過孔的寄生效應(yīng)帶來的不利影響,在設(shè)計(jì)中可以盡量做到£���?從從成本和信號(hào)質(zhì)量?jī)煞矫鎭砜紤],選擇合理尺寸的過孔大小。例如¶6- 10層層的內(nèi)存模¿PCB設(shè)設(shè)計(jì)來說,選Ó10/20mi((鉆¿焊焊盤)的過孔較好,對(duì)于一些高密度的小尺寸的板子,也可以嘗試使Ó8/18Mil的的過孔。在目前技術(shù)條件下,很難使用更小尺寸的過孔了(當(dāng)孔的深度超過鉆孔直徑µ6倍倍時(shí),就無法保證孔壁能均勻鍍銅);對(duì)于電源或地線的過孔則可以考慮使用較大尺寸,以減小阻抗¡���?使使用較薄µPCB板板有利于減小過孔的兩種寄生參數(shù)¡���? PCB板板上的信號(hào)走線盡量不換層,即盡量不要使用不必要的過孔¡���?電電源和地的管腳要就近打過孔,過孔和管腳之間的引線越短越好¡���?在在信號(hào)換層的過孔附近放置一些接地的過孔,以便為信號(hào)提供最近的回路。甚至可以ÔPCB板板上大量放置一些多余的接地過孔¡四¡降降低噪聲與電磁干擾的一些經(jīng)Ñ?能能用低速芯片就不用高速的,高速芯片用在關(guān)鍵地方¡?可可用串一個(gè)電阻的方法,降低控制電路上下沿跳變速率¡?盡盡量為繼電器等提供某種形式的阻尼,ÈRC設(shè)設(shè)置電流阻尼¡?使使用滿足系統(tǒng)要求的最低頻率時(shí)鐘¡?時(shí)時(shí)鐘應(yīng)盡量靠近到用該時(shí)鐘的器件,石英晶體振蕩器的外殼要接地¡?用用地線將時(shí)鐘區(qū)圈起來,時(shí)鐘線盡量短¡?石石英晶體下面以及對(duì)噪聲敏感的器件下面不要走線¡?時(shí)時(shí)鐘、總線、片選信號(hào)要遠(yuǎn)ÀI/O線線和接插件¡?時(shí)時(shí)鐘線垂直ÓI/O線線比平行ÓI/O線線干擾小¡? I/O驅(qū)驅(qū)動(dòng)電路盡量靠½PCB板板邊,讓其盡快離¿PC。。對(duì)進(jìn)ÈPCB的的信號(hào)要加濾波,從高噪聲區(qū)來的信號(hào)也要加濾波,同時(shí)用串終端電阻的辦法,減小信號(hào)反射¡? MCU無無用端要接高,或接地,或定義成輸出端,集成電路上該接電源、地的端都要接,不要懸空¡?閑閑置不用的門電路輸入端不要懸空,閑置不用的運(yùn)放正輸入端接地,負(fù)輸入端接輸出端¡?印印制板盡量使Ó45折折線而不Ó90折折線布線,以減小高頻信號(hào)對(duì)外的發(fā)射與耦合¡?印印制板按頻率和電流開關(guān)特性分區(qū),噪聲元件與非噪聲元件呀距離再遠(yuǎn)一些¡?單單面板和雙面板用單點(diǎn)接電源和單點(diǎn)接地、電源線、地線盡量粗¡?模模擬電壓輸入線、參考電壓端要盡量遠(yuǎn)離數(shù)字電路信號(hào)線,特別是時(shí)鐘¡?對(duì)¶A/D類類器件,數(shù)字部分與模擬部分不要交叉¡?元元件引腳盡量短,去藕電容引腳盡量短¡?關(guān)關(guān)鍵的線要盡量粗,并在兩邊加上保護(hù)地,高速線要短要直¡?對(duì)對(duì)噪聲敏感的線不要與大電流,高速開關(guān)線并行¡?弱弱信號(hào)電路,低頻電路周圍不要形成電流環(huán)路¡?任任何信號(hào)都不要形成環(huán)路,如不可避免,讓環(huán)路區(qū)盡量小¡?每每個(gè)集成電路有一個(gè)去藕電容。每個(gè)電解電容邊上都要加一個(gè)小的高頻旁路電容¡?用用大容量的鉭電容或聚酷電容而不用電解電容做電路充放電儲(chǔ)能電容,使用管狀電容時(shí),外殼要接地¡?對(duì)對(duì)干擾十分敏感的信號(hào)線要設(shè)置包地,可以有效地抑制串?dāng)_¡?信信號(hào)在印刷板上傳輸,其延遲時(shí)間不應(yīng)大于所有器件的標(biāo)稱延遲時(shí)間¡環(huán)境效應(yīng)原Ô要注意所應(yīng)用的環(huán)境,例如在一個(gè)振動(dòng)或者其他容易使板子變形的環(huán)境中采用過細(xì)的銅膜導(dǎo)線很容易起皮拉斷等¡安全工作原Ô要保證安全工作,例如要保證兩線最小間距要承受所加電壓峰值,高壓線應(yīng)圓滑,不得有尖銳的倒角,否則容易造成板路擊穿等。組裝方便、規(guī)范原則走線設(shè)計(jì)要考慮組裝是否方便,例如印制板上有大面積地線和電源線區(qū)時(shí)(面積超¹500平平方毫米),應(yīng)局部開窗口以方便腐蝕等。此外還要考慮組裝規(guī)范設(shè)計(jì),例如元件的焊接點(diǎn)用焊盤來表示,這些焊盤(包括過孔)均會(huì)自動(dòng)不上阻焊油,但是如用填充塊當(dāng)表貼焊盤或用線段當(dāng)金手指插頭,而又不做特別處理,(在阻焊層畫出無阻焊油的區(qū)域),阻焊油將掩蓋這些焊盤和金手指,容易造成誤解性錯(cuò)誤£SMD器器件的引腳與大面積覆銅連接時(shí),要進(jìn)行熱隔離處理,一般是做一¸Track到到銅箔,以防止受熱不均造成的應(yīng)力集Ö而導(dǎo)致虛焊£PCB上上如果有¦12或或方Ð12mm以以上的過孔時(shí),必須做一個(gè)孔蓋,以防止焊錫流出等。經(jīng)濟(jì)原則遵循該原則要求設(shè)計(jì)者要對(duì)加工,組裝的工藝有足夠的認(rèn)識(shí)和了解,例È5mil的的線做腐蝕要±8mil難難,所以價(jià)格要高,過孔越小越貴等熱效應(yīng)原則在印制板設(shè)計(jì)時(shí)可考慮用以下幾種方法:均勻分布熱負(fù)載、給零件裝散熱器,局部或全局強(qiáng)迫風(fēng)冷。從有利于散熱的角度出發(fā),印制板最好是直立安裝,板與板的距離一般不應(yīng)小Ó2c,,而且器件在印制板上的排列方式應(yīng)遵循一定的規(guī)則£同一印制板上的器件應(yīng)盡可能按其發(fā)熱量大小及散熱程度分區(qū)排列,發(fā)熱量小或耐熱性差的器件(如小信號(hào)晶體管、小規(guī)模集³電路、電解電容等)放在冷卻氣流的最上(入口處),發(fā)熱量大或耐熱性好的器件(如功率晶體管、大規(guī)模集成電路等)放在冷卻Æ流最下。在水平方向上,大功率器件盡量靠近印刷板的邊沿布置,以便縮短傳熱路徑;在垂直方向上,大功率器件盡量靠近印刷板上方布置£以便減少這些器件在工作時(shí)對(duì)其他器件溫度的影響。對(duì)溫度比較敏感的器件最好安置在溫度最低的區(qū)域(如設(shè)備的µ部),千萬不要將它放在發(fā)熱器件的正上方,多個(gè)器件最好是在水平面上交錯(cuò)布局¡設(shè)備內(nèi)印制板的散熱主要依靠空氣流動(dòng),所以在設(shè)計(jì)時(shí)要研究空氣流動(dòng)的路徑,合理配置器件或印制電路板。采用合理的器件排列方式,可以有效地降低印制電路的溫升。此外通過降額使用,做等溫處理等方法也是熱設(shè)計(jì)中經(jīng)常使用的手段¡

    標(biāo)簽: PCB 布線原則

    上傳時(shí)間: 2015-01-02

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  • PCB LAYOUT初學(xué)者必看!

    PCB LAYOUT技術(shù)大全---初學(xué)者必看!  PROTEL相關(guān)疑問 1.原理圖常見錯(cuò)誤: (1)ERC報(bào)告管腳沒有接入信號(hào): a. 創(chuàng)建封裝時(shí)給管腳定義了I/O屬性; b.創(chuàng)建元件或放置元件時(shí)修改了不一致的grid屬性,管腳與線沒有連上; c. 創(chuàng)建元件時(shí)pin方向反向,必須非pin name端連線。 (2)元件跑到圖紙界外:沒有在元件庫(kù)圖表紙中心創(chuàng)建元件。 (3)創(chuàng)建的工程文件網(wǎng)絡(luò)表只能部分調(diào)入pcb:生成netlist時(shí)沒有選擇為global。 (4)當(dāng)使用自己創(chuàng)建的多部分組成的元件時(shí),千萬不要使用annotate. 2.PCB中常見錯(cuò)誤: (1)網(wǎng)絡(luò)載入時(shí)報(bào)告NODE沒有找到: a. 原理圖中的元件使用了pcb庫(kù)中沒有的封裝;  b. 原理圖中的元件使用了pcb庫(kù)中名稱不一致的封裝; c. 原理圖中的元件使用了pcb庫(kù)中pin number不一致的封裝。如三極管:sch中pin number 為e,b,c, 而pcb中為1,2,3。

    標(biāo)簽: LAYOUT PCB 初學(xué)者

    上傳時(shí)間: 2013-10-20

    上傳用戶:kbnswdifs

  • MPU-2型恒功率晶閘管中頻電源控制線路分析

    MPU-2型恒功率晶閘管中頻電源控制線路分析

    標(biāo)簽: MPU 恒功率晶閘管 中頻電源

    上傳時(shí)間: 2013-10-25

    上傳用戶:zhangyigenius

  • 晶閘管成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則

    晶閘管應(yīng)用,晶閘管成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則。

    標(biāo)簽: 晶閘管

    上傳時(shí)間: 2014-01-08

    上傳用戶:nostopper

  • 介紹二相步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片THB6064AH及其應(yīng)用

    介紹二相步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片THB6064AH及其應(yīng)用

    標(biāo)簽: 6064 THB AH 步進(jìn)電機(jī)

    上傳時(shí)間: 2013-11-07

    上傳用戶:gps6888

  • 晶閘管控制模塊

    晶閘管控制模塊

    標(biāo)簽: 晶閘管 控制模塊

    上傳時(shí)間: 2013-10-30

    上傳用戶:小小小熊

  • 成像系統(tǒng)二維轉(zhuǎn)臺(tái)控制部分解決方案

    成像系統(tǒng)二維轉(zhuǎn)臺(tái)控制部分解決方案

    標(biāo)簽: 成像系統(tǒng) 二維 分解 轉(zhuǎn)臺(tái)控制

    上傳時(shí)間: 2013-10-12

    上傳用戶:michael20

  • 運(yùn)動(dòng)人體檢測(cè)和二維關(guān)鍵點(diǎn)提取

    給出了一種運(yùn)動(dòng)人體區(qū)域的檢測(cè)及其對(duì)應(yīng)的二維關(guān)鍵點(diǎn)的提取方法。首先運(yùn)用幀差法構(gòu)建一個(gè)自適應(yīng)的背景模型以達(dá)到背景初始化和背景更新的目的。接著用減背景法實(shí)現(xiàn)二維運(yùn)動(dòng)人體區(qū)域的檢測(cè)。最后將檢測(cè)到的運(yùn)動(dòng)人體區(qū)域,通過運(yùn)用APAR(anti-paralle lines)區(qū)域法實(shí)現(xiàn)對(duì)運(yùn)動(dòng)人體關(guān)鍵點(diǎn)的提取。

    標(biāo)簽: 運(yùn)動(dòng)人體檢測(cè) 二維

    上傳時(shí)間: 2013-10-25

    上傳用戶:lz4v4

  • 基于波包提取技術(shù)的傳感器組設(shè)計(jì)二維成像技術(shù)

    針對(duì)大型構(gòu)件內(nèi)部微損傷難以及時(shí)發(fā)現(xiàn)排除,給生活生產(chǎn)造成安全隱患的現(xiàn)狀,基于波包提取技術(shù),利用波包的虛擬時(shí)間逆?zhèn)鞑ィO(shè)計(jì)了一種新的傳感器陣列,并在理論上推導(dǎo)了該傳感器陣列二維成像的運(yùn)算公式,最后利用MATLAB編程模擬仿真了用該傳感器陣列進(jìn)行無損檢測(cè)時(shí)的二維成像結(jié)果,結(jié)果表明其成像結(jié)果的綜合精度可以達(dá)到98.7%,因此用該傳感器陣列進(jìn)行大型構(gòu)件內(nèi)部微損傷的探測(cè)對(duì)于發(fā)現(xiàn)安全隱患、排除安全隱患具有重大的指導(dǎo)意義。

    標(biāo)簽: 提取技術(shù) 傳感器 二維 成像技術(shù)

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

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