實(shí)用晶閘管電路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT應(yīng)用
標(biāo)簽： IGBT SCR MOS GTR
上傳時(shí)間： 2013-06-13
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晶閘管-可控硅專輯-14冊(cè)-131M 實(shí)用晶閘管電路大全-SCR-MOS-GTR-IGBT應(yīng)用-481頁-11.3M.pdf
標(biāo)簽： SCR-MOS-GTR-IGBT 11.3 481
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·實(shí)用晶閘管電路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT應(yīng)用 466頁
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應(yīng)用電路專輯 71冊(cè) 594M實(shí)用晶閘管電路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT應(yīng)用 481頁 11.3M.pdf
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晶閘管,可控硅專輯 14冊(cè) 131M實(shí)用晶閘管電路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT應(yīng)用 481頁 11.3M.pdf
實(shí)用晶閘管電路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT應(yīng)用指南）
標(biāo)簽： MOSFET IGBT SCR GTR
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專輯類-實(shí)用電子技術(shù)專輯-385冊(cè)-3.609G 實(shí)用晶閘管電路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT應(yīng)用指南）481頁-11.3M.pdf
標(biāo)簽： MOSFET 11.3 IGBT SCR
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實(shí)用電子技術(shù)專輯 385冊(cè) 3.609G實(shí)用晶閘管電路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT應(yīng)用指南）481頁 11.3M.pdf
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
標(biāo)簽： IGBT 模塊
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