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標(biāo)簽： SPSS
上傳時(shí)間： 2015-05-12
上傳用戶：z765878
利用MATLAB完成一系列的分析操作，大家有興趣的可以看看
標(biāo)簽： SPSS在統(tǒng)計(jì)分析中的應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2015-06-22
上傳用戶：travellerxuqi
是使用MODELER進(jìn)行數(shù)據(jù)挖掘很好的實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)
標(biāo)簽： 數(shù)據(jù)挖掘
上傳時(shí)間： 2016-03-31
上傳用戶：dzk999
迴歸分析的基本假設(shè) (一)固定自變項(xiàng)假設(shè)（fixed variable） (二)線性關(guān)係假設(shè)（linear relationship） (三)常態(tài)性假設(shè)（normality）
標(biāo)簽： 回歸分析 主成分分析
上傳時(shí)間： 2016-10-11
上傳用戶：Gower's
process插件用于在spss環(huán)境下的中介效應(yīng)檢驗(yàn)
上傳時(shí)間： 2017-03-31
上傳用戶：dabai3
包括MATLAB 與FORTRAN、C、Visual Basic、Visual C++、Excel、SPSS 以及硬件等的接口技術(shù)，
上傳時(shí)間： 2018-03-28
上傳用戶：zhaoziqi
SPSS22.0軟件，用于統(tǒng)計(jì)學(xué)分析，SPSS22.0軟件，用于統(tǒng)計(jì)學(xué)分析，SPSS22.0軟件，用于統(tǒng)計(jì)學(xué)分析，
上傳時(shí)間： 2019-08-01
上傳用戶：非你BOOK
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問(wèn)題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問(wèn)題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時(shí)間： 2020-06-05
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在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程 的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些 可靠度的問(wèn)題。
標(biāo)簽： ESD_Technology
上傳時(shí)間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
隨著半導(dǎo)體技術(shù)和電子技術(shù)的發(fā)展，開(kāi)關(guān)電源的體積越來(lái)越小、質(zhì)量越來(lái)越輕、效率越來(lái)越高、可靠性也越來(lái)越優(yōu)良，被廣泛地運(yùn)用到了生活中的各個(gè)方面。DcDC開(kāi)關(guān)電源是開(kāi)關(guān)電源中非常常用的一種形式，因此，對(duì)DCDC開(kāi)關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、反饋電路等相關(guān)知識(shí)的研究成為了理解開(kāi)關(guān)電源的重要環(huán)節(jié)。論文分析了推挽式DCDC開(kāi)關(guān)電源的工作原理、效率和優(yōu)缺點(diǎn)，設(shè)計(jì)了一款輸出恒定的推挽式DCDC開(kāi)關(guān)電源。論文以T公司的高速PwM控制器Uc3825為核心，給出了DCDC開(kāi)關(guān)電源的結(jié)構(gòu)框圖，詳細(xì)設(shè)計(jì)了控制器、推挽式驅(qū)動(dòng)、整流濾波、反饋控制等電路，討論了變壓器、開(kāi)關(guān)管、整流二極管等選型問(wèn)題。通過(guò)對(duì)推挽式DCDC開(kāi)關(guān)電源樣機(jī)的測(cè)試，結(jié)果表明，在輸出功率為100W到30W時(shí)，論文設(shè)計(jì)的樣機(jī)的轉(zhuǎn)換效率可以達(dá)到85%以上。開(kāi)關(guān)電源就是通過(guò)特定的電路，控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間，以達(dá)到輸出恒定的直流電壓的設(shè)備。隨著電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，開(kāi)關(guān)電源涉及到的相關(guān)技術(shù)也越來(lái)越成熟，使得開(kāi)關(guān)電源成為了電子設(shè)備中不可或缺的一種供電方式開(kāi)關(guān)電源最早源于二十世紀(jì)五十年代的美國(guó)，當(dāng)時(shí)，美國(guó)為了設(shè)計(jì)特殊需求的軍用電源，提出了小型、輕量的目標(biāo)，自此開(kāi)始，開(kāi)關(guān)電源由于其比傳統(tǒng)的線性電源擁有的優(yōu)點(diǎn)而廣泛地運(yùn)用到電子、電氣設(shè)備、計(jì)算機(jī)電源、通信設(shè)備等領(lǐng)經(jīng)過(guò)幾十年的不斷進(jìn)步，開(kāi)關(guān)電源在諸多方面都有了非常大的突破。大功率MOSFET和IGBT等功率器件技術(shù)的進(jìn)步使得開(kāi)關(guān)電源能向著高頻化、大功率的方向發(fā)展。軟開(kāi)關(guān)技術(shù)可以降低開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲，可以大大提升開(kāi)關(guān)電源的效率，為高頻開(kāi)關(guān)電源的實(shí)現(xiàn)提供了可能。平面變壓器和平面電感技術(shù)的發(fā)展使開(kāi)關(guān)電源的效率可以進(jìn)一步得到提升，體積也可以大大地減小。有源功率因數(shù)校正技術(shù)的發(fā)展，使開(kāi)關(guān)電源的功率因數(shù)得到了很大地提升，既解決了由電路中的非線性負(fù)載產(chǎn)生的諧波失真，又提高了開(kāi)關(guān)電源的整機(jī)效率
標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2022-03-10
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