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SRAM

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。

凌陽單片機(jī)實(shí)驗(yàn), IRAM、ISRAM、ORAM、OSRAM、RAM和SRAM幾個(gè)段的比較.

凌陽單片機(jī)實(shí)驗(yàn), IRAM、ISRAM、ORAM、OSRAM、RAM和SRAM幾個(gè)段的比較.

標(biāo)簽： ISRAM OSRAM IRAM ORAM

上傳時(shí)間： 2013-12-20

上傳用戶：change0329
SRAM控制器可以實(shí)現(xiàn)SRAM數(shù)據(jù)的輸出控制

SRAM控制器可以實(shí)現(xiàn)SRAM數(shù)據(jù)的輸出控制

標(biāo)簽： SRAM 控制器控制數(shù)據(jù)

上傳時(shí)間： 2013-12-02

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針對(duì)主控制板上存儲(chǔ)器(SRAM) 存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量小和最高頻率低的情況,提出了基于SDR Sdram(同步動(dòng)態(tài)RAM) 作為主存儲(chǔ)器的LED 顯示系統(tǒng)的研究。在實(shí)驗(yàn)中,使用了現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列( FPGA)

針對(duì)主控制板上存儲(chǔ)器(SRAM) 存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量小和最高頻率低的情況,提出了基于SDR Sdram(同步動(dòng)態(tài)RAM) 作為主存儲(chǔ)器的LED 顯示系統(tǒng)的研究。在實(shí)驗(yàn)中,使用了現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列( FPGA) 來實(shí)現(xiàn)各模塊的邏輯功能。最終實(shí)現(xiàn)了對(duì)L ED 顯示屏的控制,并且一塊主控制板最大限度的控制了256 ×128 個(gè)像素點(diǎn),基于相同條件,比靜態(tài)內(nèi)存控制的面積大了一倍,驗(yàn)證了動(dòng)態(tài)內(nèi)存核[7 ]的實(shí)用性。

標(biāo)簽： Sdram SRAM FPGA SDR

上傳時(shí)間： 2013-12-18

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用vhdl格式寫的SRAM源代碼

用vhdl格式寫的SRAM源代碼，把擴(kuò)展名txt改為.v即可

標(biāo)簽： vhdl SRAM 源代碼

上傳時(shí)間： 2016-08-05

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verilog編寫fpga與片外SRAM通信模塊

verilog編寫fpga與片外SRAM通信模塊

標(biāo)簽： verilog fpga SRAM 編寫

上傳時(shí)間： 2016-08-09

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SRAM和USB芯片F(xiàn)T245的VERILOG邏輯控制

SRAM和USB芯片F(xiàn)T245的VERILOG邏輯控制

標(biāo)簽： VERILOG SRAM 245 USB

上傳時(shí)間： 2016-08-11

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FPGA向SRAM中寫入數(shù)據(jù)(VHDL編程)

FPGA向SRAM中寫入數(shù)據(jù)(VHDL編程)，包含通用fifo，SRAM等

標(biāo)簽： FPGA SRAM VHDL 數(shù)據(jù)

上傳時(shí)間： 2016-08-12

上傳用戶：趙云興
STM32F103VBT6 實(shí)現(xiàn)SRAM

STM32F103VBT6 實(shí)現(xiàn)SRAM

標(biāo)簽： F103 SRAM VBT6 STM

上傳時(shí)間： 2016-09-19

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at89c51 讀取寫入 6264 SRAM 的源代碼

at89c51 讀取寫入 6264 SRAM 的源代碼

標(biāo)簽： 6264 SRAM 89c c51

上傳時(shí)間： 2016-09-23

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帶Java擴(kuò)展的ARM926EJ-S內(nèi)核, 2 x 8KB快取, MMU 2x4k Bytes SRAM, 32kBytes Boot ROM 210MHz, 230MIPs EBI –可支持S

帶Java擴(kuò)展的ARM926EJ-S內(nèi)核, 2 x 8KB快取, MMU 2x4k Bytes SRAM, 32kBytes Boot ROM 210MHz, 230MIPs EBI –可支持SDRAM, NAND Flash (帶ECC)和Compact Flash USB控制器和USB器件口, V2.0全速 Ethernet MAC - 10/100 圖像傳感器界面 (CMOS傳感器界面) 1 SSC可支持I2S和TDM 2 SPI, MCI (SDCard和MMC兼容), TWI 6 USARTs, 支持IrDA, ISO7816 T=0/T=1, RS485

標(biāo)簽： kBytes Bytes Java 2x4k

上傳時(shí)間： 2016-09-26

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凌陽單片機(jī)實(shí)驗(yàn), IRAM、ISRAM、ORAM、OSRAM、RAM和SRAM幾個(gè)段的比較.

SRAM控制器可以實(shí)現(xiàn)SRAM數(shù)據(jù)的輸出控制

用vhdl格式寫的SRAM源代碼

verilog編寫fpga與片外SRAM通信模塊

SRAM和USB芯片F(xiàn)T245的VERILOG邏輯控制

FPGA向SRAM中寫入數(shù)據(jù)(VHDL編程)

STM32F103VBT6 實(shí)現(xiàn)SRAM

at89c51 讀取寫入 6264 SRAM 的源代碼

帶Java擴(kuò)展的ARM926EJ-S內(nèi)核, 2 x 8KB快取, MMU 2x4k Bytes SRAM, 32kBytes Boot ROM 210MHz, 230MIPs EBI –可支持S