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Si-ming

高速PCB基礎理論及內存仿真技術(經典推薦)

第一部分信號完整性知識基礎.................................................................................5第一章高速數字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來的問題及設計流程剖析...............................................................61.3 相關的一些基本概念...................................................................................8第二章傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質.................................................................................142.3.2 特征阻抗相關計算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對信號完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報方程及推導.............................................................................182.5 趨膚效應和集束效應.................................................................................232.6 信號的反射.................................................................................................252.6.1 反射機理和電報方程.........................................................................252.6.2 反射導致信號的失真問題.................................................................302.6.2.1 過沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩：.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負載的匹配.................................................................................41第三章串擾的分析...............................................................................................423.1 串擾的基本概念.........................................................................................423.2 前向串擾和后向串擾.................................................................................433.3 后向串擾的反射.........................................................................................463.4 后向串擾的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對串擾的影響.................................................................483.6 連接器的串擾問題.....................................................................................513.7 串擾的具體計算.........................................................................................543.8 避免串擾的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設計中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設計抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過孔對回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規則.................................................................................79第五章電源完整性理論基礎...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設計.............................................................................................855.3 同步開關噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內部開關噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章系統時序.................................................................................................1006.1 普通時序系統...........................................................................................1006.1.1 時序參數的確定...............................................................................1016.1.2 時序約束條件...................................................................................1063.2 高速設計的問題.......................................................................................2093.3 SPECCTRAQuest SI Expert 的組件.......................................................2103.3.1 SPECCTRAQuest Model Integrity .................................................2103.3.2 SPECCTRAQuest Floorplanner/Editor .........................................2153.3.3 Constraint Manager .......................................................................2163.3.4 SigXplorer Expert Topology Development Environment .......2233.3.5 SigNoise 仿真子系統......................................................................2253.3.6 EMControl .........................................................................................2303.3.7 SPECCTRA Expert 自動布線器.......................................................2303.4 高速設計的大致流程...............................................................................2303.4.1 拓撲結構的探索...............................................................................2313.4.2 空間解決方案的探索.......................................................................2313.4.3 使用拓撲模板驅動設計...................................................................2313.4.4 時序驅動布局...................................................................................2323.4.5 以約束條件驅動設計.......................................................................2323.4.6 設計后分析.......................................................................................233第四章 SPECCTRAQUEST SIGNAL EXPLORER 的進階運用..........................................2344.1 SPECCTRAQuest Signal Explorer 的功能包括：................................2344.2 圖形化的拓撲結構探索...........................................................................2344.3 全面的信號完整性(Signal Integrity)分析.......................................2344.4 完全兼容 IBIS 模型...............................................................................2344.5 PCB 設計前和設計的拓撲結構提取.......................................................2354.6 仿真設置顧問...........................................................................................2354.7 改變設計的管理.......................................................................................2354.8 關鍵技術特點...........................................................................................2364.8.1 拓撲結構探索...................................................................................2364.8.2 SigWave 波形顯示器........................................................................2364.8.3 集成化的在線分析(Integration and In-process Analysis) .236第五章部分特殊的運用...............................................................................2375.1 Script 指令的使用..................................................................................2375.2 差分信號的仿真.......................................................................................2435.3 眼圖模式的使用.......................................................................................249第四部分：HYPERLYNX 仿真工具使用指南............................................................251第一章使用LINESIM 進行前仿真.......................................................................2511.1 用LineSim 進行仿真工作的基本方法...................................................2511.2 處理信號完整性原理圖的具體問題.......................................................2591.3 在LineSim 中如何對傳輸線進行設置...................................................2601.4 在LineSim 中模擬IC 元件.....................................................................2631.5 在LineSim 中進行串擾仿真...................................................................268第二章使用BOARDSIM 進行后仿真......................................................................2732.1 用BOARDSIM 進行后仿真工作的基本方法...................................................2732.2 BoardSim 的進一步介紹..........................................................................2922.3 BoardSim 中的串擾仿真..........................................................................309

標簽： PCB 內存仿真技術

上傳時間： 2014-04-18

上傳用戶：wpt
+12V、0.5A單片開關穩壓電源電路

+12V、0.5A單片開關穩壓電源，其輸出功率為6W。當輸入交流電壓在110～260V范圍內變化時，電壓調整率Sv≤1％。當負載電流大幅度變化時，負載調整率SI=5％～7％。

標簽： 0.5 12 單片開關穩壓電源電路

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：han_zh
基于51單片機的八音盒設計

本設計是以STC89C52RC芯片為核心，利用Keil UV4編寫軟件和STC_ISP燒寫軟件，設計出一個八音盒。八音盒主要由五大模塊構成，包括單片機最小系統、4*4矩陣鍵盤、蜂鳴器發生電路和4位數碼管顯示電路。有8個按鍵對應8首曲目播放按鈕，另外8個按鍵對應do、re、mi、fa、so、la、si、do’八中音調。本設計主要使用單片機的內部定時器0和中斷產生不同頻率的方波和延時驅動蜂鳴器，并采取行列反轉掃描法識別鍵盤鍵值。由于使用的是實驗箱已經固化的電路，本設計主要從軟件設計上加以優化，以使蜂鳴器產生的音樂更純凈。最終實現的基礎功能是任意播放8首單片機內已存曲目，發揮部分是另外實現8個可演奏的琴鍵，使八音盒具有放音和簡單演奏的兩重功能，并輔以數碼管顯示當前播放曲目號，經過優化和調試，音色較好，琴鍵發音比較純正，初步達到設計要求。

標簽： 51單片機八音盒

上傳時間： 2013-11-18

上傳用戶：450976175
CAT25128－128Kb的SPI串行CMOS EEPRO

The CAT25128 is a 128−Kb Serial CMOS EEPROM device internally organized as 16Kx8 bits. This features a 64−byte page write buffer and supports the Serial Peripheral Interface (SPI) protocol. The device is enabled through a Chip Select (CS) input. In addition, the required bus signals are clock input (SCK), data input (SI) and data output (SO) lines. The HOLD input may be used to pause any serial communication with the CAT25128 device. The device featuressoftware and hardware write protection, including partial as well as full array protection.

標簽： 25128 EEPRO CMOS CAT

上傳時間： 2013-11-15

上傳用戶：fklinran
串行下載線的原理圖-電路圖

串行下載線的原理圖 SI Prog - Serial Interface for PonyProg

標簽： 串行下載線原理圖電路圖

上傳時間： 2013-11-09

上傳用戶：zhishenglu
匯編語言程序設計基礎

將正數n插入一個已整序的字數組的正確位置。算法: 將數組中數逐個與N比較,Si為指針若N<Ki,則Ki下移一個單元若NKi,則插在Ki的下一個單元,并結束臨界條件:若NKn,則插入Kn的下一個單元若N<K1,則K1~Kn后移一個單元, N插在第一個單元循環控制:計數控制元素個數=((字末地址－字首地址) / 2) +1 字數 = (字節末地址－字節首地址) +1 字節數地址邊界控制結束地址為ARRAY_HEAD特征值控制: 表示結束條件的值

標簽： 匯編語言程序設計

上傳時間： 2013-12-26

上傳用戶：haiya2000
高速DSP與SDRAM之間信號傳輸延時的分析

　　當今電子技術的發展日新月異，尤其是深亞微米工藝在IC設計中的應用，使得芯片的集成規模愈來愈大，速度愈來愈高，從而使得如何處理高速信號問題成為設計的關鍵因素之一。隨著電子系統中邏輯和系統時鐘頻率的迅速提高和信號邊沿不斷變陡，印刷電路板(PCB)的線跡互連和板層特性對系統電氣性能的影響也越發重要。對于低頻設計線跡互連和板層的影響可以不考慮;當頻率超過50MHz時，互連關系和板層特性的影響不容忽視，必須對傳輸線效應加以考慮，在評定系統性能時也必須考慮印刷電路板板材的電參數。因此，高速系統的設計必須面對互連延遲引起的時序問題以及串擾、傳輸線效應等信號完整性(SI)問題。本文主要對互連延遲所引起的時序問題進行探討。

標簽： SDRAM DSP 信號傳輸延時

上傳時間： 2013-12-18

上傳用戶：如果你也聽說
科通Cadence_16.6_OrCAD_Capture_CIS_新功能連載（一）

16.6 版本出來將近半年了，一直想和大家分享一下OrCAD 在16.6 上面的表現。今天終于可以坐下來說一下了。今天要討論的是Capture 非常有用的一個更新，原理圖與SI 分析的完美結合結合。

標簽： OrCAD_Capture_CIS Cadence 16.6

上傳時間： 2014-03-26

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ibis模型理解說明

IBIS 模型在做類似板級SI 仿真得到廣泛應用。在做仿真的初級階段，經常對于ibis 模型的描述有些疑問，只知道把模型拿來轉換為軟件所支持的格式或者直接使用，而對于IBIS 模型里面的數據描述什么都不算很明白，因此下面的一些描述是整理出來的一點對于ibis 的基本理解。在此引用很多presention來描述ibis 內容（有的照抄過來，阿彌陀佛，不要說抄襲，只不過習慣信手拈來說明一些問題），僅此向如muranyi 等ibis 先驅者致敬。本文難免有些錯誤或者考慮不周，隨時歡迎進行討論并對其進行修改！IBIS 模型的一些基本概念IBIS 這個詞是Input/Output buffer information specification 的縮寫。本文是基于IBIS ver3.2 所撰寫出來（www.eigroup.org/IBIS/可下載到各種版本spec）,ver4.2增加很多新特性，由于在目前設計中沒用到不予以討論。。。在業界經常會把spice 模型描述為transistor model 是因為它描述很多電路細節問題。而把ibis 模型描述為behavioral model 是因為它并不象spice 模型那樣描述電路的構成，IBIS 模型描述的只不過是電路的一種外在表現，象個黑匣子一樣，輸入什么然后就得到輸出結果，而不需要了解里面驅動或者接收的電路構成。因此有所謂的garbage in, garbage out，ibis 模型的仿真精度依賴于模型的準確度以及考慮的worse case，因此無論你的模型如何精確而考慮的worse case 不周全或者你考慮的worse case 如何周全而模型不精確，都是得不到較好的仿真精度。

標簽： ibis 模型

上傳時間： 2013-10-16

上傳用戶：zhouli
科通Cadence_16.6_OrCAD_Capture_CIS_新功能連載（一）

16.6 版本出來將近半年了，一直想和大家分享一下OrCAD 在16.6 上面的表現。今天終于可以坐下來說一下了。今天要討論的是Capture 非常有用的一個更新，原理圖與SI 分析的完美結合結合。

標簽： OrCAD_Capture_CIS Cadence 16.6

上傳時間： 2013-11-14

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