MOSFET的柵極驅動過程，可以簡單的理解為驅動源對MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電過程；當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態(tài)；當MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區(qū)；但由于米勒效應，VGS會持續(xù)一段時間不再上升，此時Id已經達到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，VGS又上升到驅動電壓的值，此時MOSFET進入電阻區(qū)，此時Vds徹底降下來，開通結束。由于米勒電容阻止了VGS的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會使損耗的時間加長。（VGS上升，則導通電阻下降，從而Vds下降）
標簽：
MOS管
上傳時間：
2022-03-20
上傳用戶：得之我幸78
