本文主要是基于氮化鋅（GaN）器件射頻功率放大電路的設(shè)計(jì)，在s波段頻率范圍內(nèi)，應(yīng)用CREE公司的氮化稼（GaN）高電子遷移速率品體管（CGH40010和CGH40045）進(jìn)行的寬帶功率放大電路設(shè)計(jì).主要工作有以下幾個(gè)方面：首先，設(shè)計(jì)功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內(nèi)，對中間級和末級功放晶體管進(jìn)行穩(wěn)定性分析并設(shè)置其靜態(tài)工作點(diǎn)，繼而進(jìn)行寬帶阻抗匹配電路的設(shè)計(jì)。本文采用雙分支平衡漸變線拓?fù)潆娐方Y(jié)構(gòu)，使用ADS軟件對其進(jìn)行仿真優(yōu)化，設(shè)計(jì)出滿足指標(biāo)要求的匹配電路。具體指標(biāo)如下：通帶寬度為800MHz，在通帶范圍內(nèi)的增益dB（S（2，1）>）10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB輸出功率壓縮點(diǎn)分別大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，設(shè)計(jì)功放偏置電源電路。電路要求是負(fù)電壓控制正電壓并帶有過流保護(hù)功能，借助Orcad模擬電路仿真軟件，設(shè)計(jì)出滿足要求的電源電路。最后，分別運(yùn)用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件，繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板，并通過對硬件電路的調(diào)試，最終使得整體電路滿足了設(shè)計(jì)性能的要求。
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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直接調(diào)制將基帶信號直接轉(zhuǎn)換為射頻信號，不需要二次頻率變換，與上變頻方式相比系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單，降低了對濾波器的要求，具有體積小，重量輕，成本低等明顯的優(yōu)點(diǎn).1/Q正交調(diào)制的關(guān)鍵指標(biāo)是誤差矢量（EVM：Error Vector Magnitude）.本文研究的是微波波段的直接調(diào)制技術(shù)。利用基帶對L波段和s波段幾個(gè)不同的載波進(jìn)行直接調(diào)制。首先，在闡述1/Q正交調(diào)制基本原理的基礎(chǔ)上，通過對誤差矢量和鄰近信道功率泄漏的詳細(xì)分析，定性、定量地討論了各種非理想電路因素（如相位不平衡、幅度不平衡、直流偏差等）對調(diào)制器性能的影響；其次，介紹了鎖相環(huán)的工作原理和基本組成部分，包括鎖相環(huán)的設(shè)計(jì)和環(huán)路濾波器的設(shè)計(jì)，特別詳述了電荷泵鎖相頻率源；第三，介紹了采用直接調(diào)制技術(shù)模擬衛(wèi)星信號的射頻前端的設(shè)計(jì)；最后，對整個(gè)直接射頻調(diào)制系統(tǒng)進(jìn)行測試，結(jié)果基本上達(dá)到了課題要求。關(guān)鍵詞：微波鎖相環(huán)，相位噪聲，直接調(diào)制
標(biāo)簽： 射頻調(diào)制
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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論文的主要工作和研究成果可以概括為以下幾個(gè)方面：1，分析了微波射頻濾波器的基本原理，頻率變換規(guī)則。闡述了微波濾波器的新技術(shù)及其應(yīng)用.2，研究分析了螺旋濾波器的基本理論，設(shè)計(jì)了一種工作在VHF/UHF波段的螺旋腔體帶阻濾波器。論文以傳統(tǒng)的帶狀線帶阻濾波器作為著手點(diǎn)，采用電容耦合短截線諧振結(jié)構(gòu)，將同軸線諧振器變換成螺旋線結(jié)構(gòu)，有效地縮小了濾波器的體積。3，提出了一種結(jié)構(gòu)新額的微帶平面結(jié)構(gòu)濾波器，采用雙模諧振器結(jié)構(gòu)形式。V/在輻射貼片上開十字交叉槽線來降低諧振頻率。濾波器的輸入輸出請振臂使用L形開路結(jié)構(gòu)，帶外抑制非常好，高達(dá)-33dB，二次諧波被推移到基波的3倍頻以外。論文采用理論分析與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)相結(jié)合的設(shè)計(jì)理念。對螺旋腔體帶阻濾波器和雙模微帶帶通濾波器進(jìn)行了實(shí)物加工，實(shí)測結(jié)果與仿真結(jié)果相吻合.關(guān)鍵詞：射頻；濾波器；螺旋諧振器：雙模諧振器
標(biāo)簽： 射頻濾波器
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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射頻功率放大器在雷達(dá)、無線通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星通訊、電子對抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)代無線通信的關(guān)鍵設(shè)備.與傳統(tǒng)的行被放大器相比，射頻固態(tài)功率放大器具有體積小、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗低、壽命長等一系列優(yōu)點(diǎn)；由于射頻功率放大器在軍事和個(gè)人通信系統(tǒng)中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設(shè)計(jì)射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價(jià)格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應(yīng)用于高輸出功率的場合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價(jià)格相對低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應(yīng)用場合.本文介紹了應(yīng)用與無線局域網(wǎng)和Ka波段的射頻集成功率放大器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級共源共柵電路結(jié)構(gòu)，在5V電源電壓下仿真結(jié)果為小信號增益22dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動(dòng)級和末級功率級，電源電壓為3.3V，仿真結(jié)果為小信號增益28dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級功率放大器結(jié)構(gòu)，在電源電壓為5V下仿真結(jié)果為1dB壓縮點(diǎn)的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設(shè)計(jì)、仿真、版圖設(shè)計(jì)、流片和芯片測試的順序詳細(xì)介紹了功率放大器芯片的設(shè)計(jì)過程，對三種工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器進(jìn)行了對比，并通過各自的仿真結(jié)果對出現(xiàn)的問題進(jìn)行了詳盡的分析。
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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Tanner版圖流程舉例（反相器）集成電路設(shè)計(jì)近年來發(fā)展相當(dāng)迅速，許多設(shè)計(jì)需要借助計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件。作為將來從事集成電路設(shè)計(jì)的工作人員，至少需要對版圖有所了解，但是許多軟件（如cadence）實(shí)在工作站上執(zhí)行的，不利于初學(xué)者。L-Edit軟件是基于PC上的設(shè)計(jì)工具，簡單易學(xué)，操作方便，通過學(xué)習(xí)，掌握版圖的設(shè)計(jì)流程。Tanner Pro簡介：Tanner Pro是一套集成電路設(shè)計(jì)軟件，包括S-EDIT，T-SPICE，W-EDIT，L-EDIT，與LVS，他們的主要功能分別如下：1、S-Edit：編輯電路圖2，T-Spice：電路分析與模擬3，W-Edit：顯示T-Spice模擬結(jié)果4，L-Edit：編輯布局圖、自動(dòng)配置與繞線、設(shè)計(jì)規(guī)則檢查、截面觀察、電路轉(zhuǎn)化5、LVS：電路圖與布局結(jié)果對比設(shè)計(jì)規(guī)則的作用設(shè)計(jì)規(guī)則規(guī)定了生產(chǎn)中可以接受的幾何尺寸的要求和達(dá)到的電學(xué)性能。對設(shè)計(jì)和制造雙方來說，設(shè)計(jì)規(guī)則既是工藝加工應(yīng)該達(dá)到的規(guī)范，也是設(shè)計(jì)必循遵循的原則設(shè)計(jì)規(guī)則表示了成品率和性能的最佳折衷
標(biāo)簽： cmos
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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Modbus尋址Modbus地址通常是包含數(shù)據(jù)類型和偏移量的5 個(gè)或6 個(gè)字符值。第一個(gè)或前兩個(gè)字符決定數(shù)據(jù)類型，最后的四個(gè)字符是符合數(shù)據(jù)類型的一個(gè)適當(dāng)?shù)闹怠odbus主設(shè)備指令能將地址映射至正確的功能，以便發(fā)送到從站。1 Modbus主站尋址Modbus主設(shè)備指令支持下列Modbus地址：(1) 00001 至09999是離散輸出（線圈）。(2) 10001 至19999是離散輸入（觸點(diǎn)）。(3) 30001 至39999是輸入寄存器（通常是模擬量輸入）。(4) 40001 至49999是保持寄存器。所有Modbus地址均以1 為基位，表示第一個(gè)數(shù)據(jù)值從地址1 開始。有效地址范圍將取決于從站。不同的從站將支持不同的數(shù)據(jù)類型和地址范圍。2 Modbus從站尋址Modbus從站指令支持以下地址：(1) 000001 至000128 是實(shí)際輸出，對應(yīng)于Q0.0 ——Q15.7 。(2) 010001 至010128 是實(shí)際輸入，對應(yīng)于I 0.0 ——丨15.7 。(3) 030001 至030032 是模擬輸入寄存器，對應(yīng)于AIW0 至AIW2。(4) 040001 至04XXXX是保持寄存器，對應(yīng)于V 區(qū)。Modbus從站協(xié)議允許您對Modbus主站可訪問的輸入、輸出、模擬量輸入和保持寄存器（ V 區(qū)）的數(shù)量進(jìn)行限定。MBUS_INIT指令的參數(shù)MaxlQ 指定Modbus主站允許訪問的實(shí)際輸入或輸出（ I 或Q) 的最大數(shù)量。MBUS_INIT指令的MaxAl 參數(shù)指定Modbus主站允許訪問的輸入寄存器（ A 丨W)的最大數(shù)量。MBUS_INIT指令的MaxHold 參數(shù)指定Modbus主站允許訪問的保持寄存器（V 存儲區(qū)字）的最大數(shù)
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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0引言任何器件在工作時(shí)都有一定的損耗，大部分的損耗均變成熱量。在實(shí)際應(yīng)用過程中，大功率器件IGBT在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生很大的損耗，這些損耗通常表現(xiàn)為熱量。為了使ICBT能正常工作，必須保證IGBT的耗散功率不大于最大允許耗散功率P額定1660 w，室溫25℃時(shí)），必須保證1GBT的結(jié)溫T，不超過其最大值Timar 50 ℃），因此必須采用適當(dāng)?shù)纳嵫b置，將熱量傳導(dǎo)到外部環(huán)境。如果散熱裝置設(shè)計(jì)或選用不當(dāng)，這些大功率器件因過熱而損壞。為了在確定的散熱條件下設(shè)計(jì)或選用合適的散熱器，確保器件安全、可靠地工作，我們需進(jìn)行散熱計(jì)算。散熱計(jì)算是通過計(jì)算器件工作時(shí)產(chǎn)生的損耗功率Pa、器件允許的結(jié)溫T、環(huán)境溫度T，求出器件允許的總熱阻R，f-a）；：再根據(jù)Raf-a）求出最大允許的散熱器到環(huán)境溫度的熱阻Rinf-）：最后根據(jù)Rbf-a）選取具有合適熱阻的散熱器。1 IGBT損耗分析及計(jì)算對于H型雙極模式PWM系統(tǒng)中使用的1GBT模塊，主要由IGBT元件和續(xù)流二極管FWD組成，它們各自發(fā)生的損耗之和就是IGBT本身的損耗。除此，加上1GBT的基極驅(qū)動(dòng)功耗，即構(gòu)成IGRT模塊整體發(fā)生的損耗。另外，發(fā)生損耗的情況可分為穩(wěn)態(tài)時(shí)和交換時(shí)。對上述內(nèi)容進(jìn)行整理可表述如下：
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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1引言隨著高r能永磁材料、電力電了技術(shù)、大規(guī)模集成電路和計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，永同步電機(jī)PMSMD）的應(yīng)用領(lǐng)城不擴(kuò)大。由于對電機(jī)控制性能的要求越來越高，因此如何建立有效的仿真模型越來受到人們的關(guān)注。本文在分析永司步電機(jī)數(shù)學(xué)模型的基礎(chǔ)上，提出了一種PMSM控制系統(tǒng)建模的方法，在此仿真模型基礎(chǔ)上，可以十分便捷地實(shí)現(xiàn)和驗(yàn)證控制算法。因此，它為分析和設(shè)計(jì)PMSM控制系統(tǒng)提供了有效的手段，也為實(shí)際電機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和調(diào)試提供了新的思路。2永磁同步電機(jī)的數(shù)學(xué)模型[]水磁同步電動(dòng)機(jī)三相繞組分別為U.v.w，各相繞組平面的軸線在與轉(zhuǎn)子軸垂直的平面上，三相繞組的電壓回路方程如下；式中，U L，為各相繞組兩端的電壓14A為各相的線電流，中uoyow為相統(tǒng)組的總磁鏈，R為定子每相繞組的電陽：P為微外算子（d/at）.磁鏈方程為：
標(biāo)簽： 矢量控制 永磁同步電動(dòng)機(jī) matlab
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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MSPFET配置及使用KIYA 設(shè)計(jì)的TXE610P、TXE690U、TXP700U、TXE705U、TXE708U、TXE709U工具可適應(yīng)MSPFET環(huán)境的編程與加密應(yīng)用。MSPFET 是俄羅斯工程師發(fā)布的一款免費(fèi)編程環(huán)境，支持JTAG和BSL編程、熔斷熔絲加密；支持TI 及其兼容工具。最新版本為V1.6.1007 。現(xiàn)在聯(lián)線PC + TX工具 + 目標(biāo)板。在[Setup] 中配置通信接口，從uv 均可選擇LPT并口應(yīng)用于TXE610P；從v 可選擇[TIUSB] 接口應(yīng)用TXE690U、TXE705U、TXE708U、TXE709U；選w 可應(yīng)用于TXE690U、TXP700U。點(diǎn)應(yīng)用筆記查看關(guān)于MSPFET環(huán)境特別注意事項(xiàng)。從
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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本文首先對黑體輻射理論和雙波段比值測溫理論進(jìn)行研究，探討在近紅外區(qū)域?qū)Ω邷貭t窯進(jìn)行比值測溫的可行性；針對工業(yè)高溫爐窯輻射的峰值位置在中紅外區(qū)域，近紅外區(qū)域的輻射仍然比較低，且普通CCD在近紅外區(qū)域響應(yīng)很低的狀況，綜合考慮后選擇近紅外增強(qiáng)型CCD作為探測器；根據(jù)所選CCD本文設(shè)計(jì)了一套完整的雙波段測溫系統(tǒng)的硬件框架，由Sony公司的近紅外增強(qiáng)型黑白CCDICX255AL，10位輸出模數(shù)轉(zhuǎn)換器AD9991、帶有USB接口的可編程增強(qiáng)型8051處理器芯片Cy7c68013和EEPROM存儲器等完成功能，并提出雙波段測溫?cái)z像機(jī)的分束和濾光系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案；由于光學(xué)分束鏡和濾光片都需要定制鍍膜，本文首先設(shè)計(jì)的硬件系統(tǒng)是單波段系統(tǒng)，本系統(tǒng)的硬件電路有兩塊線路板：以ICX255ALCCD和AD9991為核心的圖像采集板和帶USB接口的8051處理器芯片Cy7c68013為核心的控制板，這兩塊PCB均為2層電路板；還開發(fā)了相應(yīng)的固件程序、設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序和應(yīng)用程序，對所設(shè)計(jì)的各個(gè)功能模塊分別進(jìn)行了測試和調(diào)試，計(jì)算機(jī)能通過USB口讀取圖像并在屏幕上顯示，獲得了良好的效果；由于本文設(shè)計(jì)的硬件系統(tǒng)實(shí)際上是單波段的，為了驗(yàn)證雙波段測溫的效果，本文采用ASD FieldSpec HandHeld型光譜儀測量模擬黑體輻射源（工業(yè)爐密的爐膛也是個(gè)近似黑體輻射源）的輻射，用測得的光譜數(shù)據(jù)模擬計(jì)算，獲得了良好的測溫效果。
標(biāo)簽： ccd usb 測溫?cái)z像機(jī)
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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