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BTS7960大功率直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)板ALTIUM設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB文件 2層板設(shè)計(jì) 大小為66 7

BTS7960大功率直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)板ALTIUM設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB文件,2層板設(shè)計(jì)，大小為66*76mm, 包括完整的原理圖和PCB工程文件，可以做為你的設(shè)計(jì)參考。主要器件如下：Library Component Count : 13Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------CPDR 瓷片電容Component_1_1 DG 電感DJDR 電解電容Header 2 Header, 2-PinLED 發(fā)光二極管LED3 Typical BLUE SiC LEDLM2576HVT-3.3 Simple Switcher 3A Step Down Voltage RegulatorPZ_2 排針——2RES2 Res 電阻TLP521-1WY2JG 穩(wěn)壓二級(jí)管

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上傳時(shí)間： 2021-11-21

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你一定需要！2019最新門極驅(qū)動(dòng)選型指南

英飛凌EiceDRIVER門極驅(qū)動(dòng)芯片選型指南2019門極驅(qū)動(dòng)芯片相當(dāng)于控制信號(hào)(數(shù)字或模擬控制器)與功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之間的接口。集成的門極驅(qū)動(dòng)解決方案有助于您降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度，縮短開發(fā)時(shí)間，節(jié)省用料(BOM)及電路板空間，相較于分立的方式實(shí)現(xiàn)的門極驅(qū)動(dòng)解決方案，可提高方案的可靠度。每一個(gè)功率器件都需要一個(gè)門極驅(qū)動(dòng)，同時(shí)每一個(gè)門極驅(qū)動(dòng)都需要一個(gè)功率器件。英飛凌提供一系列擁有各種結(jié)構(gòu)類型、電壓等級(jí)、隔離級(jí)別、保護(hù)功能和封裝選項(xiàng)的驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品。這些靈活的門極驅(qū)動(dòng)芯片是英飛凌分立式器件和模塊——包括硅MOSFET(CoolMOS?、OptiMOS?和StrongIRFET?)和碳化硅MOSFET(CoolSiC?)、氮化鎵HEMT(CoolGaN?)，或者作為集成功率模塊的一部分(CIPOS? IPM和iMOTION? smart IPM)——最完美的搭檔。

標(biāo)簽： 門極驅(qū)動(dòng)

上傳時(shí)間： 2022-07-16

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20kW全橋諧振LLC轉(zhuǎn)換器

此評(píng)估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）在全橋LLC電路中的系統(tǒng)性能，該電路通常可用于電動(dòng)汽車的快速DC充電器。采用4L-TO247封裝的新型1000V額定器件專為SiC MOSFET設(shè)計(jì)，具有開爾文源極連接，可改善開關(guān)損耗并減少門電路中的振鈴。它還在漏極和源極引腳之間設(shè)有一個(gè)凹口，以增加蠕變距離，以適應(yīng)更高電壓的SiC MOSFET。圖1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封裝的最新Cree 1000V SiC MOSFET。該板旨在讓用戶輕松：在全橋諧振LLC電路中使用4L-TO247封裝的新型1000V，65mΩSiCMOSFET時(shí)，評(píng)估轉(zhuǎn)換器級(jí)效率和功率密度增益。檢查Vgs和Vds等波形以及振鈴的ID。

標(biāo)簽： 全橋諧振 LLC轉(zhuǎn)換器

上傳時(shí)間： 2022-07-17

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