系統start-up 定時器• 為了讓振蕩器能夠穩定起振所需要的延時時間。• 其時間為1024 個振蕩器振蕩周期。制程和溫度漂移• 因RC 振蕩器的頻率與內建振蕩電容值有關，而此電容值與制程參數有關，所以不同的MCU 會表現出不一致性。在固定電壓和溫度下，振蕩頻率漂移范圍約±25%。• 對于同一顆MCU(與制程漂移無關)，其振蕩頻率會對工作電壓和工作溫度產生漂移。其對工作電壓和工作溫度所產生的漂移，可參考HOLTEK 網站上提供的相關資料。EMI/EMS(EMC)注意事項• ROSC 位置應盡量接近OSC1 引腳，其至OSC1 的連線應最短。• CS 可以提高振蕩器的抗干擾能力，其與MCU OSC1 和GND 的連線應最短。• RPU 在確定系統頻率之后，量產時建議不要接，因為其fSYS/4 頻率輸出會干擾到OSC1
上傳時間： 2014-01-20
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單片機教程內容有：CS-51單片機實用子程序庫,單片機編程入門26講,C51單片機C語言學習,單片機C語言教程,單片機應用等等。
上傳時間： 2013-10-17
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1 概述由于在某些通訊設計應用中，需要擴展更多的串口數量，比如車床監控、紡織儀器檢測和網狀連接的數據采集等應用。為此成都國騰微電子有限公司推出的GM814x 可以滿足多個同類產品的并聯擴展，并且能簡單的實現電路連接和程序控制，主MCU 可以識別數據的來源和指定和某個GM814x 通信。2 應用說明2.1 CS 與SPI 的數據通信GM814x 的CS（片選）引腳可用于控制SPI 總線時鐘有效性，CS 低電平有效，內部下拉。CS 有效時，允許芯片的時鐘接收和數據收發；無效時，SCLK、DIN 和DOUT 均為高阻狀態，GM814x 不響應SPI 上的數據收發，但能正常收發子串口數據和產生相應中斷。2.2 應用建議當使用GM814x 的應用需要擴展4 個以上的串口數量時，就需要使用2 片以上的GM814x。擴展的方式也有多種。方式一：將多個GM814x 的SPI 接口接在主MCU 的SPI 總線上，然后將所有GM814x 的中斷進行線與后連接到MCU 的IRQ 上，同時將各GM814x 的IRQ 輸出又連接到MCU的IO，以便MCU響應中斷后檢測是具體哪一個GM814x 輸出的中斷，然后再拉低對應的CS，拉高其它GM814x的CS，并執行通信操作。方式二：如果擴展的GM814x 數量較多，采用上述擴展方式可能會占用MCU較多的IO 資源，則可以將GM814x 的中斷輸出連接到具有OC 輸出的與門芯片上，再輸出到MCU 的中斷輸入。同時又將所有的GM814x 的中斷輸出進行編碼輸入到MCU，以供其判斷產生中斷的是哪一個GM814x。方式三：將所有GM814x 的中斷輸出連接到優先編碼器進行編碼輸出，同時編碼器也能輸出低電平信號給MCU 作為中斷響應。MCU 檢測編碼數據以獲知產生中斷的GM814x，然后進行數據通信處理。這種方式電路最簡單，占用MCU 的IO 資源也最少。 舉例：使用MCS51 單片機擴展8 片GM814x。本電路中，采用了上述提到的第三種擴展方式。通過普通的MCS51 單片機擴展最多8 片GM814x，可擴展最多32 個標準串口。為了節省MCU的IO 資源，電路中增加了一片8-3 線優先編碼器74LS348 和一片3-8 線譯碼器74HC138。8 片GM814x 的IRQ 中斷通過一片74LS348 輸出中斷源向量，同時產生GS 低電平信號到MCS51 的外部中斷0 上，MCS51 響應中斷后，可查詢A0~A2 的值確定產生中斷的GM814x，然后MCU 使能74HC138，輸出對應的ABC 信號選中產生IRQ 信號的GM814x，再進行SPI 總線上的數據通信。 示例程序：本示例程序使用C 語言描述，僅供參考。 由于74LS348 是優先編碼器，多個中斷同時產生的時候，74LS348 的編碼只會指示輸入編號上最高的IRQ，MCU 無法直接獲知是否其它的GM814x 也產生了中斷。同時GM814x 在自己的中斷申請后，數據傳輸到第8bit 時會自動清除，所以數據接收完后如果MCU 的中斷引腳仍然為低，則表示還有其它GM814x 的中斷申請，故必須在處理完當前中斷后繼續查詢新的中斷向量。這就是上述示例程序中while 循環的目的。 以上應用建議僅供設計者參考，不代表最終實現方式，更可靠和實際的實現方式可由設計者根據自己的實際情況確定。l 示例中的數據、參數和標志字命名不代表實際產品的特性，請參考實際產品的數據手冊來獲取你所需要的數據。
上傳時間： 2013-10-26
上傳用戶：suicoe
存放在計算機中大量信息的安全問題以及敏感信息的防竊取、防篡改問題已經越來越引起人們的關注。為了實現對數據庫管理系統中數據安全的需求，文中對系統的用戶口令、C/S之間的簽名認證、SQL Server 2005數據庫加密、系統分配角色和用戶權限幾方面對數據庫管理系統的安全問題進行研究，使用C#和T-SQL語言進行具體實現。實際應用表明，這些措施能夠準確地實現數據的加密，阻止非法用戶操作系統，保證系統安全，達到了設計要求。
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：wlcaption
采用DQPSK 調制方式對NRZ, RZ 和CSRZ 3 種碼型進行調制, 研究40 Gb/ s 高速傳輸系統中這3 種不同類型的光信號。使用色散補償方式對高速光纖傳輸系統進行200 kM 的模擬仿真, 比較不同碼型的系統傳輸特性。分析表明CS- RZ- DQPSK 調制格式, 在較寬的入纖功率范圍內都能取得最小的眼圖張開代價。
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：YKLMC
第二部分：DRAM 內存模塊的設計技術..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內存的比較..........................................................................143第二章 內存模塊的疊層設計.............................................................................145第三章 內存模塊的時序要求.............................................................................1493.1 無緩沖（Unbuffered）內存模塊的時序分析.......................................1493.2 帶寄存器（Registered）的內存模塊時序分析...................................154第四章 內存模塊信號設計.................................................................................1594.1 時鐘信號的設計.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號的設計..............................................................................1624.3 地址和控制線的設計...............................................................................1634.4 數據信號線的設計...................................................................................1664.5 電源，參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內存模塊的功耗計算.............................................................................172第六章 實際設計案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內存模塊主要是這三種：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS內存采用阻抗受控制的串行連接技術,在這里我們將不做進一步探討，本文所總結的內存設計技術就是針對SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現在我們來簡單地比較一下SDR 和DDR，它們都被稱為同步動態內存，其核心技術是一樣的。只是DDR 在某些功能上進行了改進，所以DDR 有時也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate，也就是雙倍的數據傳輸率，但是其時鐘頻率沒有增加，只是在時鐘的上升和下降沿都可以用來進行數據的讀寫操作。對于SDR 來說,市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應的DDR內存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：宋桃子
Hyperlynx仿真應用:阻抗匹配.下面以一個電路設計為例，簡單介紹一下PCB仿真軟件在設計中的使用。下面是一個DSP硬件電路部分元件位置關系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設計)，其中DRAM作為DSP的擴展Memory(64位寬度，低8bit還經過3245接到FLASH和其它芯片)，DRAM時鐘頻率133M。因為頻率較高，設計過程中我們需要考慮DRAM的數據、地址和控制線是否需加串阻。下面，我們以數據線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面，我們開始導入主芯片DSP的數據線D0腳模型。左鍵點芯片管腳處的標志，出現未知管腳，然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對應管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術論壇 http://www.elecfans.com 電子發燒友點OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣，一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數據線對應管腳和3245的對應管腳IBIS模型加上(DSP輸出，3245高阻，DRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點DSP芯片腳相連的傳輸線，增添傳輸線，然后右鍵編輯屬性。因為我們使用四層板，在表層走線，所以要選用“Microstrip”，然后點“Value”進行屬性編輯。這里，我們要編輯一些PCB的屬性，布線長度、寬度和層間距等，屬性編輯界面如下：再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠直線間距1.4inch，對線長為1.7inch)。現在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點加示波器探頭了，按照下圖紅線所示路徑為各測試點增加探頭：為發現更多的信息，我們使用眼圖觀察。因為時鐘是133M，數據單沿采樣，數據翻轉最高頻率為66.7M，對應位寬為7.58ns。所以設置參數如下：之后按照芯片手冊制作眼圖模板。因為我們最關心的是接收端(DRAM)信號，所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊的輸入需求設計。芯片手冊中要求輸入高電平VIH高于2.0V，輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個NOTE里指出，芯片可以承受最高5.6V，最低-2.0V信號(不長于3ns)：按下邊紅線路徑配置眼圖模板：低8位數據線沒有串阻可以滿足設計要求，而其他的56位都是一對一，經過仿真沒有串阻也能通過。于是數據線不加串阻可以滿足設計要求，但有一點需注意，就是寫數據時因為存在回沖，DRAM接收高電平在位中間會回沖到2V。因此會導致電平判決裕量較小，抗干擾能力差一些，如果調試過程中發現寫RAM會出錯，還需要改版加串阻。
上傳時間： 2013-12-17
上傳用戶：debuchangshi
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上傳時間： 2013-10-23
上傳用戶：彭玖華
PLC
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：haiya2000
本手冊對CX-Programmer 應用程序和其對OMRON SYSMAC CS, CV 以及 C 系列 PLC 編制程序的能力進行了描述。但并不提供有關PLC 本身的詳細資料，要獲得這些資料，必須參考相應設備的商業手冊。
標簽： CX_Programmer 編程 教程
上傳時間： 2013-10-12
上傳用戶：l銀幕海
