本文將探討微控制器與 PSoC (可編程系統(tǒng)單晶片)在數(shù)位電視應(yīng)用上的設(shè)計挑戰(zhàn),並比較微控制器和 PSoC 架構(gòu)在處理這些挑戰(zhàn)時的不同處,以有效地建置執(zhí)行。
標(biāo)簽: PSoC MCU 比較 數(shù)位電視
上傳時間: 2013-11-22
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采用DQPSK 調(diào)制方式對NRZ, RZ 和CSRZ 3 種碼型進(jìn)行調(diào)制, 研究40 Gb/ s 高速傳輸系統(tǒng)中這3 種不同類型的光信號。使用色散補償方式對高速光纖傳輸系統(tǒng)進(jìn)行200 kM 的模擬仿真, 比較不同碼型的系統(tǒng)傳輸特性。分析表明CS- RZ- DQPSK 調(diào)制格式, 在較寬的入纖功率范圍內(nèi)都能取得最小的眼圖張開代價。
標(biāo)簽: DQPSK 高速傳輸 調(diào)制碼
上傳時間: 2013-10-17
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第二部分:DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存的比較..........................................................................143第二章 內(nèi)存模塊的疊層設(shè)計.............................................................................145第三章 內(nèi)存模塊的時序要求.............................................................................1493.1 無緩沖(Unbuffered)內(nèi)存模塊的時序分析.......................................1493.2 帶寄存器(Registered)的內(nèi)存模塊時序分析...................................154第四章 內(nèi)存模塊信號設(shè)計.................................................................................1594.1 時鐘信號的設(shè)計.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號的設(shè)計..............................................................................1624.3 地址和控制線的設(shè)計...............................................................................1634.4 數(shù)據(jù)信號線的設(shè)計...................................................................................1664.5 電源,參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內(nèi)存模塊的功耗計算.............................................................................172第六章 實際設(shè)計案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內(nèi)存模塊主要是這三種:SDR,DDR,RAMBUS。其中,RAMBUS內(nèi)存采用阻抗受控制的串行連接技術(shù),在這里我們將不做進(jìn)一步探討,本文所總結(jié)的內(nèi)存設(shè)計技術(shù)就是針對SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現(xiàn)在我們來簡單地比較一下SDR 和DDR,它們都被稱為同步動態(tài)內(nèi)存,其核心技術(shù)是一樣的。只是DDR 在某些功能上進(jìn)行了改進(jìn),所以DDR 有時也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate,也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率,但是其時鐘頻率沒有增加,只是在時鐘的上升和下降沿都可以用來進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作。對于SDR 來說,市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應(yīng)的DDR內(nèi)存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
標(biāo)簽: DRAM 內(nèi)存模塊 設(shè)計技術(shù)
上傳時間: 2013-10-18
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PLC
上傳時間: 2013-10-17
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本手冊對CX-Programmer 應(yīng)用程序和其對OMRON SYSMAC CS, CV 以及 C 系列 PLC 編制程序的能力進(jìn)行了描述。但并不提供有關(guān)PLC 本身的詳細(xì)資料,要獲得這些資料,必須參考相應(yīng)設(shè)備的商業(yè)手冊。
標(biāo)簽: CX_Programmer 編程 教程
上傳時間: 2013-10-12
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關(guān)于全站儀的使用
標(biāo)簽: 建筑物 數(shù)字化放樣 數(shù)據(jù)處理
上傳時間: 2013-10-21
上傳用戶:小儒尼尼奧
QX5305 是一款高效率,穩(wěn)定可靠的高亮度LED燈驅(qū)動控制IC,內(nèi)置高精度比較器,off-time控制電路,恒流驅(qū)動控制電路等,特別適合大功率,多個高亮度LED燈串恒流驅(qū)動。 QX5305采用固定off-time控制工作方式,其工作頻率可高達(dá)2.5MHz,可使外部電感和濾波電容、體積減少,效率提高。 在DIM腳加PWM信號,可調(diào)節(jié)LED燈的亮度。 通過調(diào)節(jié)外置的電阻,能控制高亮度LED燈的驅(qū)動電流,使LED燈亮度達(dá)到預(yù)期恒定亮度,流過高亮度LED燈的電流可從幾毫安到2安培變化。 方框圖: 管腳排列圖: QX5305的特性 可編程驅(qū)動電流,最高可達(dá)2A 高效率:最高達(dá)95% 寬輸入電壓范圍:2.5V~36V 高工作頻率:2.5MHz 工作頻率可調(diào):500KHz~2.5MHz 驅(qū)動LED燈功能強:LED燈串可從1個到幾十個LED高亮度燈 亮度可調(diào):通過EN端PWM,調(diào)節(jié)LED燈亮度 QX5305應(yīng)用范圍 干電池供電LED燈串 LED燈杯 RGB大顯屏高亮度LED燈 平板顯示器LED背光燈 恒流充電器控制 通用恒流源。 工作原理簡述: QX5305 采用峰值電流檢測和固定off-time控制方式。片內(nèi)的R-S觸發(fā)器分別由off-time定時器置位和CS比較器、FB比較復(fù)位,它控制外部MOSFET管并和功率電感 L、LED、肖特基二極管共同構(gòu)成一個自振蕩的,連續(xù)電感電流模式的升壓型恒流LED驅(qū)動電路(參見圖1)。 除了固定off-time控制這點外,QX5305的工作方式和普通的電流模式PWM控制型DC/DC升壓電路非常相似。當(dāng)工作在連續(xù)電流模式下時,流過功率電感的電流IL如圖所示:
上傳時間: 2013-10-26
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半條命2(Half Life2)源碼,據(jù)說是泄漏出來的游戲源碼,其中還包含了反恐精英CS游戲以及其他部分的源碼。有興趣的朋友可以去研究一下,請勿用于非法用途。
上傳時間: 2013-12-20
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本程序的壓縮編碼是G.729的編解碼程序,其的算法是基于CS-ACELP的算法基礎(chǔ)上的編碼。用在語音通信中,例如手機中
上傳時間: 2013-12-25
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SUN SCJP經(jīng)典認(rèn)證系列:(PDF) Prentice Hall - Sun Certified Enterprise Architect for J2EE Technology Study Guide.zip
標(biāo)簽: Enterprise Technology Certified Architect
上傳時間: 2015-03-19
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