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dRAM

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DynamicRandomAccessMemory,dRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于dRAM來說,周期性地充電是一個(gè)無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性,因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來說,靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。
  • 把flash的代碼搬移到dRAM的0xc

    把flash的代碼搬移到dRAM的0xc

    標(biāo)簽: flash dRAM 0xc 代碼

    上傳時(shí)間: 2014-01-02

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  • 程序主要作用是通過串口下載VxWorks到ARM Flash ROM,主要過程是初始化ARM硬件,初始化串口UART1,從串口接收VxWorks image到dRAM,初始化Flash ROM.最后將

    程序主要作用是通過串口下載VxWorks到ARM Flash ROM,主要過程是初始化ARM硬件,初始化串口UART1,從串口接收VxWorks image到dRAM,初始化Flash ROM.最后將dRAM中的VxWorks寫入Flash ROM. ARM 串口與PC機(jī)串口連接,由PC機(jī)下載(download)VxWorks 到主板Flash ROM. 該程序?qū)W(xué)習(xí)和理解ARM編程很有幫助.為了便于理解,這里我全部采用實(shí)際地址,不用宏定義. 程序語言為 ARM 匯編,具體過程參考ARM編程,具體寄存器接口定義參見ARM硬件手冊(cè)

    標(biāo)簽: VxWorks Flash ARM ROM

    上傳時(shí)間: 2017-01-08

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  • FPGAcpld結(jié)構(gòu)分析 pga的EDA設(shè)計(jì)方法 fpga中的微程序設(shè)計(jì) 復(fù)雜可編程邏輯器件cpld專題講座(Ⅴ)──cpld的應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)數(shù)字邏 一種使用fpga設(shè)計(jì)的dRAM控制器 用cpld器件實(shí)

    FPGAcpld結(jié)構(gòu)分析 pga的EDA設(shè)計(jì)方法 fpga中的微程序設(shè)計(jì) 復(fù)雜可編程邏輯器件cpld專題講座(Ⅴ)──cpld的應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)數(shù)字邏 一種使用fpga設(shè)計(jì)的dRAM控制器 用cpld器件實(shí)現(xiàn)24位同步計(jì)數(shù)器的設(shè)計(jì)

    標(biāo)簽: cpld fpga FPGAcpld dRAM

    上傳時(shí)間: 2017-07-20

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  • 基于FPGA的SdRAM控制器設(shè)計(jì)及應(yīng)用.rar

    在國(guó)家重大科學(xué)工程HIRFL-CSR的CSR控制系統(tǒng)中,需要高速數(shù)據(jù)獲取和處理系統(tǒng)。該系統(tǒng)通常采用存儲(chǔ)器作為數(shù)據(jù)緩沖存儲(chǔ)。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SdRAM憑借其集成度高、功耗低、可靠性高、處理能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)成為最佳選擇。但是SdRAM卻具有復(fù)雜的時(shí)序,為了降低成本,所以采用目前很為流行的EDA技術(shù),選擇可編程邏輯器件中廣泛使用的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列FPGA,使用硬件描述語言VHDL,遵循先進(jìn)的自頂向下的設(shè)計(jì)思想實(shí)現(xiàn)對(duì)SdRAM控制器的設(shè)計(jì)。 論文引言部分簡(jiǎn)單介紹了CSR控制系統(tǒng),指出論文的課題來源與實(shí)際意義。第二章首先介紹了存儲(chǔ)器的概況與性能指標(biāo),其次較為詳細(xì)介紹了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器dRAM的基本時(shí)序,最后對(duì)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SdRAM進(jìn)行詳盡論述,包括性能、特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)以及最為重要的一些操作和時(shí)序。第三、四章分別論述本課題的SdRAM控制器硬件與軟件設(shè)計(jì),重點(diǎn)介紹了具體芯片與FPGA設(shè)計(jì)技術(shù)。第五章為該SdRAM控制器在CsR控制系統(tǒng)中的一個(gè)經(jīng)典應(yīng)用,即同步事例處理器。最后對(duì)FPGA技術(shù)進(jìn)行總結(jié)與展望。 本論文完整論述了控制器的設(shè)計(jì)原理和具體實(shí)現(xiàn)。從測(cè)試的結(jié)果來看,本控制器無論從結(jié)構(gòu)上,還是軟硬件上設(shè)計(jì)均滿足了工程實(shí)際要求。

    標(biāo)簽: SdRAM FPGA 制器設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-07-19

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  • 基于FPGA的SdRAM控制器設(shè)計(jì)及應(yīng)用

    在國(guó)家重大科學(xué)工程HIRFL-CSR的CSR控制系統(tǒng)中,需要高速數(shù)據(jù)獲取和處理系統(tǒng)。該系統(tǒng)通常采用存儲(chǔ)器作為數(shù)據(jù)緩沖存儲(chǔ)。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SdRAM憑借其集成度高、功耗低、可靠性高、處理能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)成為最佳選擇。但是SdRAM卻具有復(fù)雜的時(shí)序,為了降低成本,所以采用目前很為流行的EDA技術(shù),選擇可編程邏輯器件中廣泛使用的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列FPGA,使用硬件描述語言VHDL,遵循先進(jìn)的自頂向下的設(shè)計(jì)思想實(shí)現(xiàn)對(duì)SdRAM控制器的設(shè)計(jì)。 論文引言部分簡(jiǎn)單介紹了CSR控制系統(tǒng),指出論文的課題來源與實(shí)際意義。第二章首先介紹了存儲(chǔ)器的概況與性能指標(biāo),其次較為詳細(xì)介紹了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器dRAM的基本時(shí)序,最后對(duì)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SdRAM進(jìn)行詳盡論述,包括性能、特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)以及最為重要的一些操作和時(shí)序。第三、四章分別論述本課題的SdRAM控制器硬件與軟件設(shè)計(jì),重點(diǎn)介紹了具體芯片與FPGA設(shè)計(jì)技術(shù)。第五章為該SdRAM控制器在CsR控制系統(tǒng)中的一個(gè)經(jīng)典應(yīng)用,即同步事例處理器。最后對(duì)FPGA技術(shù)進(jìn)行總結(jié)與展望。 本論文完整論述了控制器的設(shè)計(jì)原理和具體實(shí)現(xiàn)。從測(cè)試的結(jié)果來看,本控制器無論從結(jié)構(gòu)上,還是軟硬件上設(shè)計(jì)均滿足了工程實(shí)際要求。

    標(biāo)簽: SdRAM FPGA 制器設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-07-11

    上傳用戶:hasan2015

  • DDR2SdRAM存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

    內(nèi)部存儲(chǔ)器負(fù)責(zé)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)部數(shù)據(jù)的中轉(zhuǎn)、存儲(chǔ)與讀取,作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中必不可少的三大件之一,它對(duì)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)性能至關(guān)重要。內(nèi)存可以說是CPU處理數(shù)據(jù)的“大倉(cāng)庫”,所有經(jīng)過CPU處理的指令和數(shù)據(jù)都要經(jīng)過內(nèi)存?zhèn)鬟f到電腦其他配件上,因此內(nèi)存性能的好壞,直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性和運(yùn)行性能。在當(dāng)今的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,內(nèi)存被使用得越來越多,并且對(duì)內(nèi)存的要求越來越高。既要求內(nèi)存讀寫速度盡可能的快、容量盡可能的大,同時(shí)由于競(jìng)爭(zhēng)的加劇以及利潤(rùn)率的下降,人們希望在保持、甚至提高系統(tǒng)性能的同時(shí)也能降低內(nèi)存產(chǎn)品的成本。面對(duì)這種趨勢(shì),設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)大容量高速讀寫的內(nèi)存顯得尤為重要。因此,近年來內(nèi)存產(chǎn)品正經(jīng)歷著從小容量到大容量、從低速到高速的不斷變化,從技術(shù)上也就有了從dRAM到SdRAM,再到DDR SdRAM及DDR2 SdRAM等的不斷演進(jìn)。和普通SdRAM的接口設(shè)計(jì)相比,DDR2 SdRAM存儲(chǔ)器在獲得大容量和高速率的同時(shí),對(duì)存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì)也提出了更高的要求,其接口設(shè)計(jì)復(fù)雜度也大幅增加。一方面,由于I/O塊中的資源是有限的,數(shù)據(jù)多路分解和時(shí)鐘轉(zhuǎn)換邏輯必須在FPGA核心邏輯中實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)者可能不得不對(duì)接口邏輯進(jìn)行手工布線以確保臨界時(shí)序。而另一方面,不得不處理好與DDR2接口有關(guān)的時(shí)序問題(包括溫度和電壓補(bǔ)償)。要正確的實(shí)現(xiàn)DDR2接口需要非常細(xì)致的工作,并在提供設(shè)計(jì)靈活性的同時(shí)確保系統(tǒng)性能和可靠性。 本文對(duì)通過Xilinx的Spartan3 FPGA實(shí)現(xiàn)DDR2內(nèi)存接口的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了詳細(xì)闡述。通過Xilinx FPGA提供了I/O模塊和邏輯資源,從而使接口設(shè)計(jì)變得更簡(jiǎn)單、更可靠。本設(shè)計(jì)中對(duì)I/O模塊及其他邏輯在RTL代碼中進(jìn)行了配置、嚴(yán)整、執(zhí)行,并正確連接到FPGA上,經(jīng)過仔細(xì)仿真,然后在硬件中驗(yàn)證,以確保存儲(chǔ)器接口系統(tǒng)的可靠性。

    標(biāo)簽: DDR2SdRAM 存儲(chǔ)器 接口設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-06-08

    上傳用戶:fairy0212

  • FPGAcpld結(jié)構(gòu)分析 fpga的EDA設(shè)計(jì)方法

    FPGAcpld結(jié)構(gòu)分析 pga的EDA設(shè)計(jì)方法 fpga中的微程序設(shè)計(jì) 復(fù)雜可編程邏輯器件cpld專題講座(Ⅴ)──cpld的應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)數(shù)字邏 一種使用fpga設(shè)計(jì)的dRAM控制器 用cpld器件實(shí)現(xiàn)24位同步計(jì)數(shù)器的設(shè)計(jì)

    標(biāo)簽: FPGAcpld fpga EDA 結(jié)構(gòu)分析

    上傳時(shí)間: 2013-08-10

    上傳用戶:yph853211

  • Hyperlynx仿真應(yīng)用:阻抗匹配

    Hyperlynx仿真應(yīng)用:阻抗匹配.下面以一個(gè)電路設(shè)計(jì)為例,簡(jiǎn)單介紹一下PCB仿真軟件在設(shè)計(jì)中的使用。下面是一個(gè)DSP硬件電路部分元件位置關(guān)系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設(shè)計(jì)),其中dRAM作為DSP的擴(kuò)展Memory(64位寬度,低8bit還經(jīng)過3245接到FLASH和其它芯片),dRAM時(shí)鐘頻率133M。因?yàn)轭l率較高,設(shè)計(jì)過程中我們需要考慮dRAM的數(shù)據(jù)、地址和控制線是否需加串阻。下面,我們以數(shù)據(jù)線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網(wǎng)站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗(yàn)證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面,我們開始導(dǎo)入主芯片DSP的數(shù)據(jù)線D0腳模型。左鍵點(diǎn)芯片管腳處的標(biāo)志,出現(xiàn)未知管腳,然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對(duì)應(yīng)管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術(shù)論壇 http://www.elecfans.com 電子發(fā)燒友點(diǎn)OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣,一樣管腳的配置就完成了。同樣將dRAM的數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)管腳和3245的對(duì)應(yīng)管腳IBIS模型加上(DSP輸出,3245高阻,dRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點(diǎn)DSP芯片腳相連的傳輸線,增添傳輸線,然后右鍵編輯屬性。因?yàn)槲覀兪褂盟膶影澹诒韺幼呔€,所以要選用“Microstrip”,然后點(diǎn)“Value”進(jìn)行屬性編輯。這里,我們要編輯一些PCB的屬性,布線長(zhǎng)度、寬度和層間距等,屬性編輯界面如下:再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠(yuǎn)直線間距1.4inch,對(duì)線長(zhǎng)為1.7inch)。現(xiàn)在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點(diǎn)加示波器探頭了,按照下圖紅線所示路徑為各測(cè)試點(diǎn)增加探頭:為發(fā)現(xiàn)更多的信息,我們使用眼圖觀察。因?yàn)闀r(shí)鐘是133M,數(shù)據(jù)單沿采樣,數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)最高頻率為66.7M,對(duì)應(yīng)位寬為7.58ns。所以設(shè)置參數(shù)如下:之后按照芯片手冊(cè)制作眼圖模板。因?yàn)槲覀冏铌P(guān)心的是接收端(dRAM)信號(hào),所以模板也按照dRAM芯片HY57V283220手冊(cè)的輸入需求設(shè)計(jì)。芯片手冊(cè)中要求輸入高電平VIH高于2.0V,輸入低電平VIL低于0.8V。dRAM芯片的一個(gè)NOTE里指出,芯片可以承受最高5.6V,最低-2.0V信號(hào)(不長(zhǎng)于3ns):按下邊紅線路徑配置眼圖模板:低8位數(shù)據(jù)線沒有串阻可以滿足設(shè)計(jì)要求,而其他的56位都是一對(duì)一,經(jīng)過仿真沒有串阻也能通過。于是數(shù)據(jù)線不加串阻可以滿足設(shè)計(jì)要求,但有一點(diǎn)需注意,就是寫數(shù)據(jù)時(shí)因?yàn)榇嬖诨貨_,dRAM接收高電平在位中間會(huì)回沖到2V。因此會(huì)導(dǎo)致電平判決裕量較小,抗干擾能力差一些,如果調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)寫RAM會(huì)出錯(cuò),還需要改版加串阻。

    標(biāo)簽: Hyperlynx 仿真 阻抗匹配

    上傳時(shí)間: 2013-11-05

    上傳用戶:dudu121

  • DMA技術(shù) -ppt

    數(shù)據(jù)傳送的控制 數(shù)據(jù)傳送涉及的3個(gè)問題1)數(shù)據(jù)的來源;2)數(shù)據(jù)的去處;3)數(shù)據(jù)本身以及如何控制數(shù)據(jù)的傳送。 DMA方式控制的數(shù)據(jù)傳送 DMA傳送方式通常用來高速傳送大批量的數(shù)據(jù)塊。如:  硬盤和軟盤I/O; 快速通信通道I/O; 多處理機(jī)和多程序數(shù)據(jù)塊傳送; 在圖像處理中,對(duì)CRT屏幕送數(shù)據(jù); 快速數(shù)據(jù)采集; dRAM的刷新操作。 DMA傳送包括:(1)存儲(chǔ)單元傳送:存儲(chǔ)器→存儲(chǔ)器。(2)DMA讀傳送:存儲(chǔ)器→I/O設(shè)備。(3)DMA寫傳送:I/O設(shè)備→存儲(chǔ)器。4.1.2  DMA傳送的工作過程 1)I/O設(shè)備向DMAC發(fā)出DMA請(qǐng)求;2) DMAC向CPU發(fā)出總線請(qǐng)求;3)CPU在執(zhí)行完當(dāng)前指令的當(dāng)前的總線周期后,向DMAC發(fā)出總線響應(yīng)信號(hào);4)CPU脫離對(duì)系統(tǒng)總線的控制,由DMAC接管對(duì)系統(tǒng)總線的控制; 為什么DMA傳送方式能實(shí)現(xiàn)高速傳送?DMA傳送的過程是什么樣的?畫出流程。DMA有哪些操作方式?各有什么特點(diǎn)。簡(jiǎn)述DMA控制器的兩個(gè)工作狀態(tài)的特點(diǎn)。試設(shè)計(jì)一種在8088大模式下與8237連接的基本電路圖。并說明你的設(shè)計(jì)中8237各個(gè)端口的實(shí)際地址。DMA控制器的時(shí)序包括哪幾個(gè)狀態(tài)周期?試畫出正常讀傳輸?shù)臅r(shí)序。DMAC的內(nèi)部地址寄存器是16位的,如何擴(kuò)展地址來訪問16MB的地址空間?

    標(biāo)簽: DMA

    上傳時(shí)間: 2013-11-18

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  • 存儲(chǔ)器技術(shù).doc

    存儲(chǔ)器技術(shù).doc 計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器(Main Memory),又稱為內(nèi)部存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱為內(nèi)存。內(nèi)存實(shí)質(zhì)上是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能的集成電路。內(nèi)存的主要作用是用來存放計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行時(shí)所需要的數(shù)據(jù),存放各種輸入、輸出數(shù)據(jù)和中間計(jì)算結(jié)果,以及與外部存儲(chǔ)器交換信息時(shí)作為緩沖用。由于CPU只能直接處理內(nèi)存中的數(shù)據(jù) ,所以內(nèi)存是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可缺少的部件。內(nèi)存的品質(zhì)直接關(guān)系到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的速度、穩(wěn)定性和兼容性。 4.1 存儲(chǔ)器類型計(jì)算機(jī)內(nèi)部存儲(chǔ)器有兩種類型,一種稱為只讀存儲(chǔ)器ROM(Read Only Memiry),另一種稱為隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM(Random Access Memiry)。 4.1.1 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器ROM主要用于存放計(jì)算機(jī)固化的控制程序,如主板的BIOS程序、顯卡BIOS控制程序、硬盤控制程序等。ROM的典型特點(diǎn)是:一旦將數(shù)據(jù)寫入ROM中后,即使在斷電的情況下也能夠永久的保存數(shù)據(jù)。從使用上講,一般用戶能從ROM中讀取數(shù)據(jù),而不能改寫其中的數(shù)據(jù)。但現(xiàn)在為了做一日和尚撞一天鐘于軟件或硬件程序升級(jí),普通用戶使用所謂的閃存(Flash Memiry)也可以有條件地改變ROM中的數(shù)據(jù)。有關(guān)只讀存儲(chǔ)器ROM的內(nèi)容將在第11章中介紹,本章主要介紹隨機(jī)存儲(chǔ)器。4.1.2 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM的最大特點(diǎn)是計(jì)算機(jī)可以隨時(shí)改變RAM中的數(shù)據(jù),并且一旦斷電,TAM中數(shù)據(jù)就會(huì)立即丟失,也就是說,RAM中的數(shù)據(jù)在斷電后是不能保留的。從用于制造隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的材料上看,RAM又可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(Static RAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器dRAM(Dymamic RAM)兩種。1. 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器在dRAM中數(shù)據(jù)是以電荷的形式存儲(chǔ)在電容上的,充電后電容上的電壓被認(rèn)為是邏輯上的“1”,而放電后的電容上的電壓被認(rèn)為是邏輯上的“0”認(rèn)。為了減少存儲(chǔ)器的引腳數(shù),就反存儲(chǔ)器芯片的每個(gè)基本單元按行、列矩陣形式連接起來,使每個(gè)存儲(chǔ)單元位于行、列的交叉點(diǎn)。這樣每個(gè)存儲(chǔ)單元的地址做一日和尚撞一天鐘可以用位數(shù)較少的行地址和列地址兩個(gè)部分表示,在對(duì)每個(gè)單元進(jìn)行讀寫操作時(shí),就可以采用分行、列尋址方式寫入或讀出相應(yīng)的數(shù)據(jù),如圖4-1所示。  由于電容充電后,電容會(huì)緩慢放電,電容 上的電荷會(huì)逐漸

    標(biāo)簽: 存儲(chǔ)器

    上傳時(shí)間: 2014-01-10

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