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dRAM

動態隨機存取存儲器(DynamicRandomAccessMemory,dRAM)是一種半導體存儲器,主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象,導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據,而導致數據毀損。因此對于dRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性,因此被稱為“動態”存儲器。相對來說,靜態存儲器(SRAM)只要存入數據后,縱使不刷新也不會丟失記憶。
  • Hyperlynx仿真應用:阻抗匹配

    Hyperlynx仿真應用:阻抗匹配.下面以一個電路設計為例,簡單介紹一下PCB仿真軟件在設計中的使用。下面是一個DSP硬件電路部分元件位置關系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設計),其中dRAM作為DSP的擴展Memory(64位寬度,低8bit還經過3245接到FLASH和其它芯片),dRAM時鐘頻率133M。因為頻率較高,設計過程中我們需要考慮dRAM的數據、地址和控制線是否需加串阻。下面,我們以數據線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面,我們開始導入主芯片DSP的數據線D0腳模型。左鍵點芯片管腳處的標志,出現未知管腳,然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對應管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術論壇 http://www.elecfans.com 電子發燒友點OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣,一樣管腳的配置就完成了。同樣將dRAM的數據線對應管腳和3245的對應管腳IBIS模型加上(DSP輸出,3245高阻,dRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點DSP芯片腳相連的傳輸線,增添傳輸線,然后右鍵編輯屬性。因為我們使用四層板,在表層走線,所以要選用“Microstrip”,然后點“Value”進行屬性編輯。這里,我們要編輯一些PCB的屬性,布線長度、寬度和層間距等,屬性編輯界面如下:再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠直線間距1.4inch,對線長為1.7inch)。現在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點加示波器探頭了,按照下圖紅線所示路徑為各測試點增加探頭:為發現更多的信息,我們使用眼圖觀察。因為時鐘是133M,數據單沿采樣,數據翻轉最高頻率為66.7M,對應位寬為7.58ns。所以設置參數如下:之后按照芯片手冊制作眼圖模板。因為我們最關心的是接收端(dRAM)信號,所以模板也按照dRAM芯片HY57V283220手冊的輸入需求設計。芯片手冊中要求輸入高電平VIH高于2.0V,輸入低電平VIL低于0.8V。dRAM芯片的一個NOTE里指出,芯片可以承受最高5.6V,最低-2.0V信號(不長于3ns):按下邊紅線路徑配置眼圖模板:低8位數據線沒有串阻可以滿足設計要求,而其他的56位都是一對一,經過仿真沒有串阻也能通過。于是數據線不加串阻可以滿足設計要求,但有一點需注意,就是寫數據時因為存在回沖,dRAM接收高電平在位中間會回沖到2V。因此會導致電平判決裕量較小,抗干擾能力差一些,如果調試過程中發現寫RAM會出錯,還需要改版加串阻。

    標簽: Hyperlynx 仿真 阻抗匹配

    上傳時間: 2013-12-17

    上傳用戶:debuchangshi

  • uCLinux默認的根文件系統是romfs

    uCLinux默認的根文件系統是romfs,由于romfs是一個只讀的文件系統,當你的嵌入式設備動態的修改了一些文件,它無法保存。JFFS而可以動態的把dRAM中的數據燒入Flash中,此文件是實現他的一個MTD文件

    標簽: uCLinux romfs 根文件系統

    上傳時間: 2013-12-24

    上傳用戶:tedo811

  • FPGA內嵌的BRAM資源很少

    FPGA內嵌的BRAM資源很少,此代碼為dRAM代碼風格,可以極大程度上減少FPGA內嵌資源的消耗。txt文檔中含源代碼,直接粘成vhdl即可

    標簽: FPGA BRAM 內嵌 資源

    上傳時間: 2015-11-29

    上傳用戶:asddsd

  • 通過環路串口判斷串行通信電平轉換芯片功能是否正常

    通過環路串口判斷串行通信電平轉換芯片功能是否正常,并通過讀寫dRAM 判斷硬件。

    標簽: 環路 串口 串行通信

    上傳時間: 2014-01-16

    上傳用戶:frank1234

  • The main MIPS processor of SMP8630 comes with a JTAG interface, allowing:  access to caches and da

    The main MIPS processor of SMP8630 comes with a JTAG interface, allowing:  access to caches and data bus (dRAM) with a bandwidth of about 200kbit/s  examining the processor state whatever the execution mode (monice)  connecting to monice using mdi-server and using a gdb client on the processor to step and break accurately whatever the execution mode  running semi-hosted applications  fl ash write tool  memory testing (MT command)  real-time traces: has not been built in CPU (Config3_TL=0) and only supported by MajicPLUS probes (maybe built into emulator?)

    標簽: interface processor allowing access

    上傳時間: 2013-12-19

    上傳用戶:youke111

  • 管腳號 管腳名稱 LEVER 管腳功能描述 1 VSS 0V 電源地 2 VDD 5.0V 電源電壓 3 VEE 5.0V~(-13V) 液晶顯示器驅動電壓 4 D/I H/L D/I

    管腳號 管腳名稱 LEVER 管腳功能描述 1 VSS 0V 電源地 2 VDD 5.0V 電源電壓 3 VEE 5.0V~(-13V) 液晶顯示器驅動電壓 4 D/I H/L D/I=“H”,表示DB7~DB0為顯示數據 D/I=“L”,表示DB7~DB0為顯示指令數據 5 R/W H/L R/W=“H”,E=“H”,數據被讀到DB7~DB0 R/W=“L”,E=“H→L”, DB7~DB0的數據被寫到IR或DR 6 E H/L 使能信號:R/W=“L”,E信號下降沿鎖存DB7~DB0 R/W=“H”,E=“H” dRAM數據讀到DB7~DB0 7 DB0 H/L 數據線 8 DB1 H/L 數據線 9 DB2 H/L 數據線 10 DB3 H/L 數據線 11 DB4 H/L 數據線 12 DB5 H/L 數據線 13 DB6 H/L 數據線 14 DB7 H/L 數據線 15 CS1 L (19264A) 選擇IC1,即(左)64列 16 RESET L 復位控制信號,RST=0有效 17 CS2 L (19264A) 選擇IC2,即(中)64列 18 CS3 L (19264A) 選擇IC3,即(右)64列 19 V0 -9V Negative Voltage for LCD driving 20 LED+ +5.0V The LED supply

    標簽: 5.0 LEVER 管腳 VSS

    上傳時間: 2014-01-01

    上傳用戶:541657925

  • 數據庫實驗五

    1.在訂單數據庫orderDB中,完成如下的查詢: (1)用子查詢查詢員工“張小娟”所做的訂單信息。 (2)查詢沒有訂購商品的且在北京地區的客戶編號,客戶名稱和郵政編碼,并按郵政編碼降序排序。 (3)查詢訂購了“32M dRAM”商品的訂單編號,訂貨數量和訂貨單價。 (4)查詢與員工編號“E2008005”在同一個部門的員工編號,姓名,性別,所屬部門。 (5)查詢既訂購了P20050001商品,又訂購了P20070002商品的客戶編號,訂單編號和訂單金額 (6)查詢沒有訂購“52倍速光驅”或“17寸顯示器”的客戶編號,客戶名稱。 (7)查詢訂單金額最高的訂單編號,客戶姓名,銷售員名稱和相應的訂單金額。 (8)查詢訂購了“52倍速光驅”商品的訂購數量,訂購平均價和訂購總金額。 (9)查詢訂購了“52倍速光驅”商品且訂貨數量界于2~4之間的訂單編號,訂貨數量和訂貨金額。 (10)在訂單主表中查詢每個業務員的訂單數量 (11)統計在業務科工作且在1973年或1967年出生的員工人數和平均工資。 (12)在訂單明細表中統計每種商品的銷售數量和金額,并按銷售金額的升序排序輸出。 (13)統計客戶號為“C20050001”的客戶的訂單數,訂貨總額和平均訂貨金額 (14)統計每個客戶的訂單數,訂貨總額和平均訂貨金額。 (15)查詢訂單中至少包含3種(含3種)以上商品的訂單編號及訂購次數,且訂購的商品數量在3件(含3件)以上。

    標簽: 數據庫 實驗

    上傳時間: 2019-05-24

    上傳用戶:kk開開

  • 基于FPGA設計的sdRAM讀寫測試實驗Verilog邏輯源碼Quartus工程文件+文檔說明 DR

    基于FPGA設計的sdRAM讀寫測試實驗Verilog邏輯源碼Quartus工程文件+文檔說明,dRAM選用海力士公司的 HY57V2562 型號,容量為的 256Mbit,采用了 54 引腳的TSOP 封裝, 數據寬度都為 16 位, 工作電壓為 3.3V,并丏采用同步接口方式所有的信號都是時鐘信號。FPGA型號Cyclone4E系列中的EP4CE6F17C8,Quartus版本17.1。timescale 1ps/1psmodule top(input                        clk,input                        rst_n,output[1:0]                  led,output                       sdRAM_clk,     //sdRAM clockoutput                       sdRAM_cke,     //sdRAM clock enableoutput                       sdRAM_cs_n,    //sdRAM chip selectoutput                       sdRAM_we_n,    //sdRAM write enableoutput                       sdRAM_cas_n,   //sdRAM column address strobeoutput                       sdRAM_ras_n,   //sdRAM row address strobeoutput[1:0]                  sdRAM_dqm,     //sdRAM data enable output[1:0]                  sdRAM_ba,      //sdRAM bank addressoutput[12:0]                 sdRAM_addr,    //sdRAM addressinout[15:0]                  sdRAM_dq       //sdRAM data);parameter MEM_DATA_BITS          = 16  ;        //external memory user interface data widthparameter ADDR_BITS              = 24  ;        //external memory user interface address widthparameter BUSRT_BITS             = 10  ;        //external memory user interface burst widthparameter BURST_SIZE             = 128 ;        //burst sizewire                             wr_burst_data_req;       // from external memory controller,write data request ,before data 1 clockwire                             wr_burst_finish;         // from external memory controller,burst write finish

    標簽: fpga sdRAM verilog quartus

    上傳時間: 2021-12-18

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  • DDR4標準 JESD79_4

    1. Scope ......................................................................................................................................................................... 12. DDR4 SdRAM Package Pinout and Addressing ....................................................................................................... 22.1 DDR4 SdRAM Row for X4,X8 and X16 ................................................................................................................22.2 DDR4 SdRAM Ball Pitch........................................................................................................................................22.3 DDR4 SdRAM Columns for X4,X8 and X16 ..........................................................................................................22.4 DDR4 SdRAM X4/8 Ballout using MO-207......................................................................................................... 22.5 DDR4 SdRAM X16 Ballout using MO-207.............................................................................................................32.6 Pinout Description ..................................................................................................................................................52.7 DDR4 SdRAM Addressing.....................................................................................................................................73. Functional Description ...............................................................................................................................................83.1 Simplified State Diagram ....................................................................................................................................83.2 Basic Functionality..................................................................................................................................................93.3 RESET and Initialization Procedure .....................................................................................................................103.3.1 Power-up Initialization Sequence .............................................................................................................103.3.2 Reset Initialization with Stable Power ......................................................................................................113.4 Register Definition ................................................................................................................................................123.4.1 Programming the mode registers .............................................................................................................123.5 Mode Register ......................................................................................................................................................134. DDR4 SdRAM Command Description and Operation ............................................................................................. 244.1 Command Truth Table ..........................................................................................................................................244.2 CKE Truth Table ...................................................................................................................................................254.3 Burst Length, Type and Order ..............................................................................................................................264.3.1 BL8 Burst order with CRC Enabled .........................................................................................................264.4 DLL-off Mode & DLL on/off Switching procedure ................................................................................................274.4.1 DLL on/off switching procedure ...............................................................................................................274.4.2 DLL “on” to DLL “off” Procedure ..............................................................................................................274.4.3 DLL “off” to DLL “on” Procedure ..............................................................................................................284.5 DLL-off Mode........................................................................................................................................................294.6 Input Clock Frequency Change ............................................................................................................................304.7 Write Leveling.......................................................................................................................................................314.7.1 dRAM setting for write leveling & dRAM termination function in that mode ............................................324.7.2 Procedure Description .............................................................................................................................334.7.3 Write Leveling Mode Exit .........................................................................................................................34

    標簽: DDR4

    上傳時間: 2022-01-09

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  • [AN225301]使用Excelon LP SPI F-RAM低功耗模式進行設計

    [AN225301]使用Excelon LP SPI F-RAM低功耗模式進行設計鐵電隨機存儲器(F-RAM),相對于其它類型的半導體技術而言,鐵電隨機存儲器(F-RAM)具有一些獨一無二的特性。已經確定的半導體存儲器可以分為兩類:易失性和非易失性。易失性存儲器包括靜態隨機存取存儲器(SRAM)和動態隨機存取存儲器(dRAM)以及其他類型存儲器。RAM類型存儲器易于使用,高性能,但它們有著共同的弱點:在掉電的情況下會失去所保存的數據。

    標簽: 鐵電隨機存儲器 F-RAM

    上傳時間: 2022-06-25

    上傳用戶:20125101110

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