CAN51開發(fā)板功能 1、 USB或DC＋5V供電； 2、 89c52＋sja1000＋tja1050（tja1040）（p82c250）；89c52＋mcp2515＋tja1050（tja1040）（p82c250）；通過跳鍵選擇sja1000或 mcp2515，用戶任選一種CAN控制芯片； 3、 支持RS232/422/485總線與CAN總線相互轉(zhuǎn)換； 4、 CAN總線波特率可調(diào)：20，40，50，80，100，125，200，250，400，500，666，800，1000Kbit/s 5、 提供電路圖； 6、 提供源程序：basican和pelican模式（CAN2.0A和CAN2.0B），c語言和匯編語言，程序注釋詳盡； 7、 成對購買開發(fā)板可以實(shí)現(xiàn)：A開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，B開發(fā)板接收數(shù)據(jù)，并把接收到的數(shù)據(jù)通過串口上傳到計(jì)算機(jī)顯示；A開發(fā)板上短路鍵的狀態(tài)，可以通過CAN總線發(fā)送給B開發(fā)板，通過B開發(fā)板LED燈的亮滅，顯示A開發(fā)板上短路鍵的狀態(tài)； 8、 提供技術(shù)支持，接受CAN開發(fā)項(xiàng)目；
標(biāo)簽： tja 89c52 1050 p82c250
上傳時(shí)間： 2016-11-22
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基于MCS-51單片機(jī)調(diào)頻調(diào)相信號發(fā)生器 功能:A路能產(chǎn)生2~200HZ/分鐘頻率可調(diào) @ B路能產(chǎn)生同A路相位滯后0~180讀可調(diào) @ 可以鍵盤設(shè)定頻率和相位 @ 可以顯示頻率和相位
上傳時(shí)間： 2017-05-14
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AC220V轉(zhuǎn)DC(12V15W )電源板AD設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB文件，2層板設(shè)計(jì)，大小為100*55mm, ALTIUM設(shè)計(jì)的原理圖+PCB文件，可以做為你的學(xué)習(xí)設(shè)計(jì)參考。主要器件型號如下：Library Component Count : 24Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------2N3904 NPN General Purpose Amplifier2N3906 PNP General Purpose AmplifierBRIDGE1 Diode BridgeCON2 ConnectorCap CapacitorCap Pol1 Polarized Capacitor (Radial)D Zener Zener DiodeDIODE Diode 1N914 High Conductance Fast DiodeECELECTRO2 Electrolytic CapacitorFP103 FUSE-HHeader 2 Header, 2-PinINDUCTOR2 NMOS-2 N-Channel Power MOSFETPC837 OptoisolatorRES2-B Res Varistor Varistor (Voltage-Sensitive Resistor)T TR-2B TRANS1UCC28051 Volt Reg Voltage Regulator
上傳時(shí)間： 2021-11-21
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1.5V升3V芯片和電路圖，DC-DC升壓IC
標(biāo)簽： 升壓芯片
上傳時(shí)間： 2022-03-18
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隨著光伏發(fā)電系統(tǒng)快速發(fā)展,以及電動汽車充電樁的普及,傳統(tǒng)的剩余電流保護(hù)器無法滿足實(shí)際需求。介紹了一款B型剩余電流保護(hù)器,采用磁調(diào)制剩余電流互感器和零序電流互感器采集剩余電流。根據(jù)GB/T 22794—2017標(biāo)準(zhǔn)要求,可識別1 kHz及以下的正弦交流、帶和不帶直流分量的脈動直流、平滑直流等剩余電流信號。經(jīng)信號調(diào)理電路將電壓信號送到單片機(jī)進(jìn)行采集和判斷。通過試驗(yàn)測試,該樣機(jī)在測試精度和速度上均符合國家標(biāo)準(zhǔn)的相關(guān)要求。The rapid development of photovoltaic power generation systems and the popularity of electric vehicle charging piles make the traditional residual current protective devices unable to meet the actual demand.This paper proposed a type B residual current protective device,which uses the magnetically modulated residual current transformer and the zero sequence current transformer to acquire the residual current.According to the requirements of GB/T 22794—2017,the type B residual current protective device can detect sinusoidal AC residual current of 1kHz and below 1kHz,pulsating DC residual current with and without DC component,smooth DC residual current and so on.The signal processing circuit sends the voltage signal to the MCU for acquisition and judgment.Through experimental tests,the device meets the relevant requirements of national standards in terms of test accuracy and speed.
標(biāo)簽： 電流保護(hù)器
上傳時(shí)間： 2022-03-27
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基于升降壓電路的雙向DC-DC變換電路
標(biāo)簽： DC-DC變換電路
上傳時(shí)間： 2022-04-11
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本論文以西安電子科技大學(xué)電路CAD所的科研項(xiàng)目“電源管理類集成電路關(guān)鍵技術(shù)理論研究與設(shè)計(jì)”為背景，設(shè)計(jì)了一款高性能降壓型DC-DC和LDO雙路輸出控制器XD8912.論文首先對電源管理技術(shù)的現(xiàn)狀以及發(fā)展趨勢作了介紹；隨后分析了線性穩(wěn)壓器及開關(guān)穩(wěn)壓器的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，并對電壓模降壓型PWM DC-DC的原理及其環(huán)路穩(wěn)定性做了深入的研究；最后詳細(xì)介紹了XD8912的設(shè)計(jì)過程，包括芯片性能系統(tǒng)規(guī)劃、特性分析、電路實(shí)現(xiàn)以及仿真驗(yàn)證。XD8912不僅集成了大電流、高效率的電壓模降壓型PWM控制器，而且也集成了小電流、低噪聲的線性穩(wěn)壓控制器，可以為高性能顯卡、主板等設(shè)備供電。芯片采用同步整流技術(shù)，避免了肖特基二極管的使用，大大提高了芯片的工作效率。芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)了微調(diào)電路提高了電壓基準(zhǔn)的精度。設(shè)計(jì)了內(nèi)部頻率補(bǔ)償電路取代芯片外部的補(bǔ)償電容，有效提高了芯片的集成度。另外，芯片還集成了完備的保護(hù)電路，包括過溫保護(hù)、欠壓保護(hù)、過流保護(hù)等.文中對XD8912的系統(tǒng)及主要功能模塊進(jìn)行了詳細(xì)的分析，并基于0.6um BCD工藝，利用Viewdraw，Hspice等EDA軟件，完成了電路的設(shè)計(jì)和前仿真驗(yàn)證仿真結(jié)果表明，電路功能和性能指標(biāo)均已達(dá)到設(shè)計(jì)要求。
上傳時(shí)間： 2022-06-23
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基于saber2007仿真的移相全橋DC-DC變換器，單路原理圖，使用UC3875芯片.zip
標(biāo)簽： DC-DC變換器
上傳時(shí)間： 2022-06-28
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電源是電子設(shè)備的重要組成部分，其性能的優(yōu)劣直接影響著電子設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電子設(shè)備的種類越來越多，其對電源的要求也更加靈活多樣，因此如何很好的解決系統(tǒng)的電源問題已經(jīng)成為了系統(tǒng)成敗的關(guān)鍵因素。 本論文研究選取了BICMOS工藝，具有功耗低、集成度高、驅(qū)動能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)電流模式的PWM控制原理，研究設(shè)計(jì)了一款基于BICMOS工藝的雙相DC-DC電源管理芯片。本電源管理芯片自動控制兩路單獨(dú)的轉(zhuǎn)換器工作，兩相結(jié)構(gòu)能提供大的輸出電流，但是在開關(guān)上的功耗卻很低。芯片能夠精確的調(diào)整CPU核心電壓，對稱不同通道之間的電流。本電源管理芯片單獨(dú)檢測每一通道上的電流，以精確的獲得每個(gè)通道上的電流信息，從而更好的進(jìn)行電流對稱以及電路的保護(hù)。 文中對該DC-DC電源管理芯片的主要功能模塊，如振蕩器電路、鋸齒波發(fā)生電路、比較器電路、平均電流電路、電流檢測電路等進(jìn)行了設(shè)計(jì)并給出了仿真驗(yàn)證結(jié)果。該芯片只需外接少數(shù)元件就可構(gòu)成一個(gè)高性能的雙相DC-DC開關(guān)電源，可廣泛應(yīng)用于CPU供電系統(tǒng)等。 通過應(yīng)用Hspice軟件對該變換器芯片的主要模塊電路進(jìn)行仿真，驗(yàn)證了設(shè)計(jì)方案和理論分析的可行性和正確性，同時(shí)在芯片模塊電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，應(yīng)用0.8μmBICMOS工藝設(shè)計(jì)規(guī)則完成了芯片主要模塊的版圖繪制，編寫了DRC、LVS文件并驗(yàn)證了版圖的正確性。所設(shè)計(jì)的基于BICMOS工藝的DC-DC電源管理芯片的均流控制電路達(dá)到了預(yù)期的要求。
上傳時(shí)間： 2013-06-06
上傳用戶：dbs012280
磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實(shí)用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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