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  • CoolMos的原理、結(jié)構(gòu)及制造

    對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu), Rdson與BV存在矛盾關(guān)系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson增大。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對于COOLMOS,這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū),大大提高了BV,同時(shí)對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū),就能大大提高耐壓呢? 對于常規(guī)VDMOS,反向耐壓,主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié),對于一個(gè)PN結(jié),耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受,耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積,也就是下圖中的淺綠色部分,就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS,P body濃度要大于N EPI, PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散,所以此結(jié)構(gòu)下,P body區(qū)域一側(cè),耗盡區(qū)擴(kuò)展很小,基本對承壓沒有多大貢獻(xiàn),承壓主要是P body--N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域,這個(gè)區(qū)域的電場強(qiáng)度是逐漸變化的,越是靠近PN結(jié)面(a圖的A結(jié)),電場強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。

    標(biāo)簽: CoolMos 制造

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:小眼睛LSL

  • ADI處理器實(shí)用叢書-高速設(shè)計(jì)技術(shù)

    本書內(nèi)容包括三大部分:第1 部分從運(yùn)算放大器的基本概念和理論出發(fā),重點(diǎn)介紹了運(yùn)算放大器的原理與設(shè)計(jì),以及在各種電子系統(tǒng)中的應(yīng)用,包括視頻應(yīng)用、RF/IF 子系統(tǒng)(乘法器、調(diào)制器和混頻器)等;第2 部分主要介紹了高速采樣和高速ADC 及其應(yīng)用、高速DAC 及其應(yīng)用、以及DDS 系統(tǒng)與接收機(jī)子系統(tǒng)等;第3 部分介紹了有關(guān)高速硬件設(shè)計(jì)技術(shù),如仿真、建模、原型、布局、去藕與接地,以及EMI 與RFI設(shè)計(jì)考慮等。   書中內(nèi)容既有完整的理論分析,又有具體的實(shí)際應(yīng)用電路,還包括許多應(yīng)用技巧。特別適合電子電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師、高等院校相關(guān)專業(yè)師生閱讀。

    標(biāo)簽: ADI 處理器 高速設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-11-16

    上傳用戶:qitiand

  • 鎖相環(huán)(PLL)基本原理

    鎖相環(huán)是一種反饋系統(tǒng),其中電壓控制振蕩器(VCO)和相位比較器相互連接,使得振蕩器可以相對于參考信號維持恒定的相位角度。鎖相環(huán)可用來從固定的低頻信號生成穩(wěn)定的輸出高頻信號等。

    標(biāo)簽: PLL 鎖相環(huán)

    上傳時(shí)間: 2013-11-22

    上傳用戶:waixingren

  • 利用傳統(tǒng)旋鈕接口控制AD5111

    數(shù)字電位計(jì)是機(jī)械電位計(jì)的最佳替代產(chǎn)品,因其具有小尺寸封裝、更高可靠性、高精度和更小電壓毛刺等優(yōu)勢。數(shù)字電位計(jì)可采用各種數(shù)字和手動(dòng)接口。手動(dòng)或按鈕接口直接通過兩個(gè)按鈕開關(guān)進(jìn)行控制, 例如AD5116或AD5228。按向上按鈕可提高電阻,按向下按鈕可降低電阻,如圖1所示。

    標(biāo)簽: 5111 AD 旋鈕接口 控制

    上傳時(shí)間: 2013-10-11

    上傳用戶:wyiman

  • 數(shù)字隔離器為工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用帶來性能優(yōu)勢

    工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中使用的電子控制必須能在惡劣的電氣環(huán)境中提供較高的系統(tǒng)性能。電源電路會(huì)在電機(jī)繞組上導(dǎo)致電壓沿激增現(xiàn)象,而這些電壓沿則可以電容耦合進(jìn)低電壓電路之中。電源電路中,電源開關(guān)和寄生元件的非理想行為也會(huì)產(chǎn)生感性耦合噪聲。控制電路與電機(jī)和傳感器之間的長電纜形成多種路徑,可將噪聲耦合到控制反饋信號中。高性能驅(qū)動(dòng)器需要必須與高噪聲電源電路隔離開的高保真反饋控制和信號。在典型的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,包括隔離柵極驅(qū)動(dòng)信號,以便將逆變器、電流和位置反饋信號驅(qū)動(dòng)到電機(jī)控制器,以及隔離各子系統(tǒng)之間的通信信號。實(shí)現(xiàn)信號隔離時(shí),不得犧牲信號路徑的帶寬,也不得顯著增加系統(tǒng)成本。光耦合器是跨越隔離柵實(shí)現(xiàn)安全隔離的傳統(tǒng)方法。盡管光耦合器已使用數(shù)十年,其不足也會(huì)影響系統(tǒng)級性能。

    標(biāo)簽: 數(shù)字隔離器 工業(yè)電機(jī) 帶來 性能

    上傳時(shí)間: 2013-11-03

    上傳用戶:jhs541019

  • 利用AD7142和電容傳感器開發(fā)單鍵數(shù)字快門按鈕

    本應(yīng)用筆記描述如何利用AD7142和電容傳感器環(huán),實(shí)現(xiàn)類似于傳統(tǒng)35 mm單反(SLR)相機(jī)的單一位置數(shù)碼相機(jī)快門按鈕。除了更容易控制快門按鈕的啟動(dòng)之外,其它優(yōu)勢包括:預(yù)對焦速度更快、快門按鈕更便宜。

    標(biāo)簽: 7142 AD 電容傳感器 單鍵

    上傳時(shí)間: 2013-10-26

    上傳用戶:13925096126

  • 電容數(shù)字轉(zhuǎn)換器AD7142和AD7143的傳感器PCB設(shè)計(jì)指南

    AD7142和AD7143是具有片內(nèi)環(huán)境校準(zhǔn)功能的集成式電容數(shù)字轉(zhuǎn)換器(CDC),可用于需要采用新型用戶輸入法的系統(tǒng)。AD7142和AD7143可與外部電容式傳感器接口,從而實(shí)現(xiàn)電容按鈕、滾動(dòng)條或滾輪等功能。

    標(biāo)簽: AD 7142 7143 PCB

    上傳時(shí)間: 2013-11-21

    上傳用戶:zhangzhenyu

  • ADP1047_ADP1048的先進(jìn)功率計(jì)量功能

    能源成本不斷提高,推動(dòng)數(shù)據(jù)中心和其它相關(guān)的計(jì)算業(yè)務(wù)尋找全方位的智能電源管理策略。此類策略的實(shí)現(xiàn)要求準(zhǔn)確采集包括電源在內(nèi)的所有各級的功耗數(shù)據(jù)。如今,數(shù)字通信技術(shù)和智能電源簡化了這項(xiàng)任務(wù),但要實(shí)現(xiàn)精確的電能計(jì)量,仍然存在一些實(shí)際的挑戰(zhàn),因?yàn)殡娫?除少數(shù)例外)不是測量設(shè)備。

    標(biāo)簽: ADP 1047 1048 功率計(jì)量

    上傳時(shí)間: 2014-11-26

    上傳用戶:zgz317

  • ADE7816工作原理

    ADE7816是一款多通道電能計(jì)量IC,可以同時(shí)測量多達(dá)6個(gè)電流通道和1個(gè)電壓通道。ADE7816可提供所有通道的有功和無功電能以及電流和電壓有效值讀數(shù)。另外提供各種電能質(zhì)量功能,包括無負(fù)載、反向功率和角度測量。ADE7816適合各種計(jì)量應(yīng)用,包括智能電表、配電單元和家庭電能監(jiān)控器。

    標(biāo)簽: 7816 ADE 工作原理

    上傳時(shí)間: 2013-10-10

    上傳用戶:wys0120

  • 帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

    設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu),利用增益提高和三支路電流基準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)一個(gè)可用于12~14 bit精度,100 MS/s采樣頻率的高速流水線(Pipelined)ADC的運(yùn)放。設(shè)計(jì)基于SMIC 0.25 μm CMOS工藝,在Cadence環(huán)境下對電路進(jìn)行Spectre仿真。仿真結(jié)果表明,在2.5 V單電源電壓下驅(qū)動(dòng)2 pF負(fù)載時(shí),運(yùn)放的直流增益可達(dá)到124 dB,單位增益帶寬720 MHz,轉(zhuǎn)換速率高達(dá)885 V/μs,達(dá)到0.1%的穩(wěn)定精度的建立時(shí)間只需4 ns,共模抑制比153 dB。

    標(biāo)簽: CMOS 增益提高 運(yùn)算 放大器設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2014-12-23

    上傳用戶:jiiszha

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