M8電源:如果想擴流使用,需要多個功率管并聯,必須加均流電阻。并且同時要增加主濾波和泄放電阻。功率管多需要增加一級推動管。 液晶的連接圖。【注意1腳位置】 液晶的背光接法:從液晶背后標記A和K的位置引出背光電源,接到M8V4電源板上標記LED的位置。注意有正負,反了背光不亮。 首次通電,需要調整液晶對比度才能顯示,調整M8V4電源板上的5K可調。讓顯示清晰即可。
標簽: 電源
上傳時間: 2013-11-02
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Abstract: As electronic systems take over many of the mechanical functions in a car—ranging from engine timing to steering andbraking—there is a growing concern about fault tolerance. There should not be a single point of failure that would prevent a car fromat least "limping" off the road or making it to the nearest service station. Redundant systems, watchdog timers, and other controlcircuits are used to reroute signals and perform other functions that ensure that a vehicle can safely make it off the road when afailure occurs.
上傳時間: 2013-11-10
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線性卷積和線性相關的FFT算法:一 實驗目的 1:掌握FFT基2時間(或基2頻率)抽選法,理解其提高減少乘法運算次數提高運算速度的原理。 2:掌握FFT圓周卷積實現線性卷積的原理 二 實驗內容及要求 1.對N=2048或4096點的離散時間信號x(n),試用Matlab語言編程分別以DFT和FFT計算N個頻率樣值X(k), 比較兩者所用時間的大小。 2.對N/2點長的x(n)和N/2點長的h(n),試用Matlab語言編程實現以圓周卷積代替線性卷積,并比較圓周卷積法和直接計算線性卷積兩者的運算速度。 三預做實驗 1.FFT與DFT計算時間的比較 (1)FFT提高運算速度的原理 (2)實驗數據與結論 2.圓周卷積代替線性卷積的有效性實驗 (1)圓周卷積代替線性卷積的原理 (2)實驗數據和結論 FFT提高運算速度的原理 FFT算法將長序列的DFT分解為短序列的DFT。N點的DFT先分解為2個N/2點的DFT,每個N/2點的DFT又分解為N/4點的DFT,等等。最小變換的點數即所謂的“基數”。因此,基數為2的FFT算法的最小變換(或稱蝶型)是2點的DFT。一般地,對N點FFT,對應于N個輸入樣值,有N個頻域樣值與之對應。
上傳時間: 2013-10-26
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由熱電偶的測溫原理可知,熱電偶產生的熱電勢與熱端(又稱測量端)、參比端(又稱冷端)的熱電勢有關,只有參比端溫度t1 為零或恒定不變,熱電勢才是熱端溫度的單值函數(見圖1)。如果不補償的話,則熱電偶的參比端溫度與儀表接線端溫度t2間的溫差t1-t2越大,測量誤差也越大。由于大多數熱電偶的熱電勢與溫度的關系近似線性,所以造成的測量誤差大致等于上述溫差。以K 分度號的鎳鉻-鎳硅熱電偶為例,當t1=50℃,t2=20℃時,如熱端溫度為1000℃,則顯示溫度僅969℃,誤差達31℃。
上傳時間: 2013-10-15
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D&K電子工作室最新推出的Sunny號STM32開發板的硬件說明書。預計10月份下旬開賣,歡迎關注。。
上傳時間: 2014-12-25
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當執行機構需要的不是控制量的絕對值,而是控制量的增量(例如去驅動 步進電動機)時,需要用PID的“增量算法”。 增量式PID控制算法可以通過(2-4)式推導出。由(2-4)可以得到控制器 的第k-1個采樣時刻的輸出值為:
上傳時間: 2013-10-11
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摘要:介紹采用1f1的MSP430F133為主控芯片的溫控儀的軟、硬件設計。該溫控儀同時兼容PtlO0熱電阻和K、E型熱電偶,軟件采用改進的增量型PID控制方式,并帶有參數自整定功能和簡單的模糊PID參數校正功能。硬軟件設計上充分考慮了抗干擾的措施,可以在惡劣環境中使用。測量溫度范圍為0—6OO℃,控制精度為±1℃。關鍵詞:MSP430F133;溫控儀;熱電偶;模糊PID
上傳時間: 2013-10-20
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摘要:本文詳細敘述了基于FPGA及單片機K實現時碼終端系統的設計方法,該系統可用于對國際通用時間格式碼IRIG碼(簡稱B碼)的解調,以及產生各種采樣、同步頻率信號,也可作為其它系統的時基和采樣、同步信號的基準。關鍵詞:單片機;IRIG-B格式碼;FPGA;解調;控制;接口
上傳時間: 2013-12-16
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單片機系統的工作原理設計 單片機應用系統的存儲器擴充單片機應用系統的存儲器擴充單片機應用系統的開關量輸入...電路工作原理-接點K開啟,電源Vdd經電阻R1,R2和R3,向光二極管提供電流,光敏三...
上傳時間: 2013-11-07
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SDRAM的原理和時序 SDRAM內存模組與基本結構 我們平時看到的SDRAM都是以模組形式出現,為什么要做成這種形式呢?這首先要接觸到兩個概念:物理Bank與芯片位寬。1、 物理Bank 傳統內存系統為了保證CPU的正常工作,必須一次傳輸完CPU在一個傳輸周期內所需要的數據。而CPU在一個傳輸周期能接受的數 據容量就是CPU數據總線的位寬,單位是bit(位)。當時控制內存與CPU之間數據交換的北橋芯片也因此將內存總線的數據位寬 等同于CPU數據總線的位寬,而這個位寬就稱之為物理Bank(Physical Bank,下文簡稱P-Bank)的位寬。所以,那時的內存必須要組織成P-Bank來與CPU打交道。資格稍老的玩家應該還記 得Pentium剛上市時,需要兩條72pin的SIMM才能啟動,因為一條72pin -SIMM只能提供32bit的位寬,不能滿足Pentium的64bit數據總線的需要。直到168pin-SDRAM DIMM上市后,才可以使用一條內存開機。不過要強調一點,P-Bank是SDRAM及以前傳統內存家族的特有概念,RDRAM中將以通道(Channel)取代,而對 于像Intel E7500那樣的并發式多通道DDR系統,傳統的P-Bank概念也不適用。2、 芯片位寬 上文已經講到SDRAM內存系統必須要組成一個P-Bank的位寬,才能使CPU正常工作,那么這個P-Bank位寬怎么得到呢 ?這就涉及到了內存芯片的結構。 每個內存芯片也有自己的位寬,即每個傳輸周期能提供的數據量。理論上,完全可以做出一個位寬為64bit的芯片來滿足P-Ban k的需要,但這對技術的要求很高,在成本和實用性方面也都處于劣勢。所以芯片的位寬一般都較小。臺式機市場所用的SDRAM芯片 位寬最高也就是16bit,常見的則是8bit。這樣,為了組成P-Bank所需的位寬,就需要多顆芯片并聯工作。對于16bi t芯片,需要4顆(4×16bit=64bit)。對于8bit芯片,則就需要8顆了。以上就是芯片位寬、芯片數量與P-Bank的關系。P-Bank其實就是一組內存芯片的集合,這個集合的容量不限,但這個集合的 總位寬必須與CPU數據位寬相符。隨著計算機應用的發展,
上傳時間: 2013-11-04
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