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mosfet開關

  • CR6221 Current Mode PWM Power Switch

    CR6221 combines a dedicated current mode PWM controller with a high voltage power MOSFET. It is opti

    標簽: Current Switch Power 6221

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:brucewan

  • CR6228 Current Mode PWM Power Switch

    CR6228 combines a dedicated current mode PWM controller with a high voltage power MOSFET. It is opti

    標簽: Current Switch Power 6228

    上傳時間: 2013-05-17

    上傳用戶:natopsi

  • 開關型單兩節鋰離子鋰聚合物充電管理芯片

    HT6298A 為開關型單節或兩節鋰離子/鋰聚合物電池充電管理芯片,非常適合于便攜式設備的充電管理應用。HT6298A 集內置功率MOSFET、高精度電壓和電流調節器、預充、充電狀態指示和充電截止等功

    標簽: 開關 充電管理芯片 鋰離子 鋰聚合物

    上傳時間: 2013-06-22

    上傳用戶:417313137

  • APT IGBT選型手冊

    APT的IGBT和MOSFET設計選型參考,一目了然,擁有它,很方便

    標簽: IGBT APT 選型手冊

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:jujiast99

  • 基于ARM的模糊PID控制器在直流調速中的應用

    直流電動機由于具有良好的調速特性,寬廣的調速范圍,在某些要求調速的地方,特別是對調速性能指標要求較高的場合,如軋鋼機、龍門刨床、高精度機床、電動汽車等中,得到了廣泛地應用。國外這類調速系統的價格高,而國內的同類產品性能指標不夠穩定,因此設計一個性能價格比較高的直流調速系統,對工業生產具有重要的現實意義。 本文采用ARM S3C2410為控制芯片,以模糊PID為智能控制方法,設計了基于實時嵌入式操作系統μC/OS-Ⅱ的直流電機調速系統。首先對模糊控制及嵌入式系統作了簡單介紹,構建了模糊PID控制的直流電機調速系統模型,并在MATLAB環境下,對設計模型進行了仿真,在仿真的基礎上設計了控制系統硬、軟件,主要包括MOSFET驅動、光電隔離、鍵盤顯示、轉速測量、H橋可逆控制部分等,并將嵌入式操作系統μC/OS-Ⅱ移植到該系統中,實現了對直流電機的良好調速性能。 控制系統硬件實現模塊化設計,線路簡單,可靠性高。軟件設計采用可讀性強的C語言,自底層向上層的原則設計,程序邏輯性強、易于修改維護。以ARM為核心的控制系統,結構簡單,抗干擾能力強,性價比高。仿真和試驗表明:基于模糊PID智能控制的直流電機調速方法是可行的,有很好的應用前景。

    標簽: ARM PID 模糊 控制器

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:yqq309

  • 基于UC3842反激式開關電源的設計

    開關電源是利用現代電力電子技術,控制開關晶體管開通和關斷的時間比率,維持穩定輸出電壓的一種電源,一般由PWM(脈沖寬度調制)控制IC和 MOSFET構成。本文利用開關電源芯片UC3842設計制作一款新穎的單端反激式、寬電壓輸入范圍、12V8A固定電壓輸出的96W 開關穩壓電源,適用于需要較大電流的直流場合(如對汽車電瓶充電)。

    標簽: 3842 UC 反激式開關電源

    上傳時間: 2013-06-10

    上傳用戶:TF2015

  • Android應用架構原理與程式設計36計

    ·目 錄第一篇 良弓之子,必學為箕(框架) ~禮記.學記~第 1 章 認識應用框架, 141.1 何謂應用框架1.2 框架的起源1.3 框架的分層1.4 框架的「無用之用」效果1.5 框架與OS 之關係:常見的迷思第 2 章 應用框架魅力的泉源:反向溝通, 312.1 前言2.2 認識反向溝通2.3 主

    標簽: Android 架構 程式設計

    上傳時間: 2013-05-23

    上傳用戶:181992417

  • 幾種MOSFET驅動電路的研究

    摘要:介紹并分析研究了幾種較簡單實用的驅動電路,給出了電路圖,部分仿真波形或實驗波。 關鍵詞:高頻驅動電路

    標簽: MOSFET 驅動電路

    上傳時間: 2013-06-04

    上傳用戶:dave520l

  • IGBT模塊系列

     IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。  

    標簽: IGBT 模塊

    上傳時間: 2013-11-03

    上傳用戶:panpanpan

  • MAX17600數據資料

     The MAX17600–MAX17605 devices are high-speedMOSFET drivers capable of sinking /sourcing 4A peakcurrents. The devices have various inverting and noninvertingpart options that provide greater flexibility incontrolling the MOSFET. The devices have internal logiccircuitry that prevents shoot-through during output-statchanges. The logic inputs are protected against voltagespikes up to +14V, regardless of VDD voltage. Propagationdelay time is minimized and matched between the dualchannels. The devices have very fast switching time,combined with short propagation delays (12ns typ),making them ideal for high-frequency circuits. Thedevices operate from a +4V to +14V single powersupply and typically consume 1mA of supply current.The MAX17600/MAX17601 have standard TTLinput logic levels, while the MAX17603 /MAX17604/MAX17605 have CMOS-like high-noise margin (HNM)input logic levels. The MAX17600/MAX17603 are dualinverting input drivers, the MAX17601/MAX17604 aredual noninverting input drivers, and the MAX17602 /MAX17605 devices have one noninverting and oneinverting input. These devices are provided with enablepins (ENA, ENB) for better control of driver operation.

    標簽: 17600 MAX 數據資料

    上傳時間: 2013-12-20

    上傳用戶:zhangxin

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