這個是安世半導(dǎo)體關(guān)于mosfet的詳細應(yīng)用手冊，可以快速了解mosfet的內(nèi)容。
標(biāo)簽： mosfet
上傳時間： 2022-03-19
上傳用戶：canderile
MOSFET，碳化硅的驅(qū)動電路PCB,最高驅(qū)動頻率可達2Mhz，帶過流保護功能，帶隔離
上傳時間： 2022-03-30
上傳用戶：trh505
深入理解Mosfet中文手冊怎么看，看哪里，哪里是重點，在我們選型的時候到底需要關(guān)注哪些點，本文很好的詮釋了中文手冊到底要看哪些東西對我們才有用，希望大家多多支持!!
標(biāo)簽： mosfet
上傳時間： 2022-04-01
上傳用戶：d1997wayne
設(shè)計功率MOSFET驅(qū)動電路時需重點考慮寄生參數(shù)對電路的影響。米勒電容作為MOSFET器件的一項重要參數(shù),在驅(qū)動電路的設(shè)計時需要重點關(guān)注。重點觀察了MOSFET的開通和關(guān)斷過程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數(shù)對漏源極電壓和漏源極電流的影響。分析了柵極電壓在米勒平臺附近產(chǎn)生振蕩的原因,并提出了抑制措施,對功率MOSFET的驅(qū)動設(shè)計具有一定的指導(dǎo)意義。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.
標(biāo)簽： mosfet
上傳時間： 2022-04-02
上傳用戶：默默
MOSFET單相全橋無源逆變電路
上傳時間： 2022-04-04
上傳用戶：1208020161
MOSFET(MOS場效應(yīng)管)工作原理，有需要的可以參考！
標(biāo)簽： mosfet MOS場效應(yīng)管
上傳時間： 2022-04-19
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MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同, 決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同.1, 由于MOSFET的結(jié)構(gòu), 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點頻率不是太高, 目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯了. 不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領(lǐng)域的產(chǎn)品.3, 就其應(yīng)用, 根據(jù)其特點:MOSFET應(yīng)用于開關(guān)電源, 鎮(zhèn)流器, 高頻感應(yīng)加熱, 高頻逆變焊機, 通信電源等等高頻電源領(lǐng)域;IGBT 集中應(yīng)用于焊機, 逆變器, 變頻器,電鍍電解電源, 超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域開關(guān)電源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數(shù)進行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS ( 零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關(guān)損耗，并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET或 IGBT 導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素， 討論二極管恢復(fù)性能對于硬開關(guān)拓撲的影響。導(dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外， IGBT和功率MOSFET的導(dǎo)通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路（見圖1）可看出，完全調(diào)節(jié)PNP BJT集電極基極區(qū)的少數(shù)載流子所需的時間導(dǎo)致了導(dǎo)通電壓拖尾（ voltage tail ）出現(xiàn)。
上傳時間： 2022-06-21
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MOSFET柵極應(yīng)用電路分析匯總.pdf 理解功率-理解功率MOSFET管的電流.pdf 何種應(yīng)用條件要考慮MOSFET雪崩能量.doc 66KB2019-10-08 11:34 反激式電源中MOSFET的鉗位電路.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET柵極應(yīng)用電路分析匯總.pdf 762KB2019-10-08 11:34 MOS管驅(qū)動電阻怎么選擇.doc 254KB2019-10-08 11:34 采用電壓箝位控制實現(xiàn)串聯(lián)IGBT的動態(tài)均壓.pdf 868KB2019-10-08 11:34 MOSFET驅(qū)動器與MOSFET柵極電荷匹配設(shè)計.pdf 理解MOSFET的每個特性參數(shù)的分析.pdf 讀懂并理解MOSFET的Datasheet.pdf 2M2019-10-08 11:34 功率MOSFET并聯(lián)驅(qū)動特性分析.pdf 592KB2019-10-08 11:34 功率MOSFET的高溫特性及其安全工作區(qū)分析.pdf 118KB2019-10-08 11:34 MOS管驅(qū)動電阻怎么選擇.pdf 1009KB2019-10-08 11:34 并聯(lián)MOSFET的雪崩特性分析.doc 229KB2019-10-08 11:34 MOSFET并聯(lián)技術(shù) -2019-10-08 11:34 IGBT -2019-10-08 11:34 MOSFET驅(qū)動電阻功耗討論-綜合電源技術(shù)-世紀(jì)電源網(wǎng)社區(qū).pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOS管與三極管的區(qū)別作用特性參數(shù).pdf 2.3M2019-10-08 11:34 MOSFET驅(qū)動方式詳解.pdf 592KB2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET開關(guān)詳細過程.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 關(guān)于MOSFET驅(qū)動電阻值的計算.doc 80KB2019-10-08 11:34 理解功率MOSFET的電流.pdf 1.8M2019-10-08 11:34 IR系列MOS驅(qū)動ic中文應(yīng)用手冊.pdf 5.5M2019-10-08 11:34 功率MOSFET和IGBT.pdf 1.5M2019-10-08 11:34 如何確定MOSFET的驅(qū)動電阻.pdf 977KB2019-10-08 11:34 張興柱之MOSFET分析.pdf 1.6M2019-10-08 11:34 MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計參考.pdf 369KB2019-10-08 11:34 MOSFET的雪崩能量與器件的熱性能.doc 264KB2019-10-08 11:34 mos管的最大持續(xù)電流是如何確定.pdf 929KB2019-10-08 11:34 (核心)功率MOSFET的特性.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOSFET選型手冊(ALPHA&OMEGA).pdf …………
上傳時間： 2013-07-01
上傳用戶：eeworm
本書系統(tǒng)論述DC-DC高頻開關(guān)電源的工作原理與工程設(shè)計方法。主要包括：PWM變換器和軟開關(guān)PWM變換器的電路拓撲、原理、控制、動態(tài)分析及穩(wěn)定校正；功率開關(guān)元件MOSFET、IGBT的特性及應(yīng)用；智能功率開關(guān)變換器的原理與應(yīng)用；磁性元件的特性與設(shè)計計算方法；開關(guān)電源中有源功率因數(shù)校正；同步整流與并聯(lián)均流等技術(shù)；PWM開關(guān)電源的可靠穩(wěn)定性與制作問題；開關(guān)電源的數(shù)字仿真方法、計算機輔助優(yōu)化設(shè)計和最優(yōu)控制方法等。
標(biāo)簽： 18.5 557 開關(guān)電源
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：13215175592
該文主要研究開發(fā)了適用于電力有源濾波器、開關(guān)磁阻電機調(diào)速系統(tǒng)等現(xiàn)代電力電子裝置的開關(guān)穩(wěn)壓電源.該電源采用雙端反激式功率變換電路,降低了功率MOSFET截止期間的所承受電壓應(yīng)力,減小了管子的耐壓要求.該文首先詳細分析了多輸出電流型雙端反激式開關(guān)電源的基本工作原理,并在此基礎(chǔ)上建立了一套系統(tǒng)的、準(zhǔn)確的穩(wěn)態(tài)數(shù)學(xué)模型及動態(tài)小信號模型.根據(jù)所建立的數(shù)學(xué)模型,結(jié)合自動控制原理,對閉環(huán)控制系統(tǒng)進行了穩(wěn)定性分析研究,提出了穩(wěn)定運行條件,給出了閉環(huán)系統(tǒng)的參數(shù)設(shè)計.然后根據(jù)已建立的數(shù)學(xué)模型,利用MATLAB軟件仿真分析了系統(tǒng)的穩(wěn)定性,同時建立了PSPICE實時仿真電路模型,進行了深入細致的計算機仿真研究,驗證了理論設(shè)計的正確性、合理性.最后設(shè)計了一套38W、六路輸出的原理樣機,給出了相關(guān)的實驗波形和實驗結(jié)果分析.
標(biāo)簽： 電流型 雙端 反激式開關(guān)電源
上傳時間： 2013-06-25
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