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mosfet 保護(hù)

SiC MOSFET為什么會使用4引腳封裝

ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列產(chǎn)品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻；同時通過采用單獨(dú)設(shè)置柵極驅(qū)動器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開關(guān)特性，使開關(guān)損耗可以降低35%左右。此次，針對SiCMOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了ROHM株式會社的應(yīng)用工程師。關(guān)于SiCMOSFET的SCT3xxxxR系列，除了導(dǎo)通電阻很低，還通過采用4引腳封裝使開關(guān)損耗降低了35%，對此我們非常感興趣。此次，想請您以4引腳封裝為重點(diǎn)介紹一下該產(chǎn)品。首先，請您大致講一下4引腳封裝具體是怎樣的封裝，采用這種封裝的背景和目的是什么。首先，采用4引腳封裝是為了改善SiCMOSFET的開關(guān)損耗。包括SiCMOSFET在內(nèi)的電源開關(guān)用MOSFET和IGBT，被作為開關(guān)元件廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。必須盡可能地降低這種開關(guān)元件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用，其降低損耗的方法也不盡相同。作為其中的一種手法，近年來發(fā)布了一種4引腳的新型封裝，即在MOSFET的源極、漏極、柵極三個引腳之外，另外設(shè)置了驅(qū)動器源極引腳。此次的SCT3xxxxR系列，旨在通過采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和傳導(dǎo)損耗；通過采用4引腳封裝，進(jìn)一步發(fā)揮出SiC本身具有的高速開關(guān)性能，并降低開關(guān)損耗。那么，我想詳細(xì)了解一下剛剛您的概述中出現(xiàn)的幾個要點(diǎn)。首先，什么是“驅(qū)動器源極引腳”？驅(qū)動器源極引腳是應(yīng)用了開爾文連接原理的源極引腳。開爾文連接是通過電阻測量中的4個引腳或四線檢測方式，在電流路徑基礎(chǔ)上加上兩條測量電壓的線路，以極力消除微小電阻測量或大電流條件下測量時不可忽略的線纜電阻和接觸電阻的影響的方法，是一種廣為人知的方法。這種4引腳封裝僅限源極，通過使連接?xùn)艠O驅(qū)動電路返回線的源極電壓引腳與流過大電流的電源源極引腳獨(dú)立，來消除ID對柵極驅(qū)動電路的影響。

標(biāo)簽： sic mosfet 封裝

上傳時間： 2021-11-07

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電力電子半導(dǎo)體器件(MOSFET).

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標(biāo)簽： 電力電子半導(dǎo)體器件 mosfet

上傳時間： 2021-11-11

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高速M(fèi)OSFET柵極驅(qū)動電路的設(shè)計與應(yīng)用

高速M(fèi)OSFET柵極驅(qū)動電路的設(shè)計與應(yīng)用指南

標(biāo)簽： mosfet 柵極驅(qū)動電路

上傳時間： 2021-12-15

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上傳時間： 2021-12-21

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標(biāo)簽： 逆變器 mosfet

上傳時間： 2021-12-28

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HM8205塑料封裝MOSFET的數(shù)據(jù)手冊

本文檔是HM8205塑料封裝MOSFET的數(shù)據(jù)手冊有需要的歡迎下載

標(biāo)簽： hm8205 塑料封裝 mosfet

上傳時間： 2022-01-16

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電力電子半導(dǎo)體器件(MOSFET)(精)

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上傳時間： 2022-02-06

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mosfet并聯(lián)使用

mosfet并聯(lián)使用介紹了并聯(lián)使用的注意事項，特別注意避開Vgsth zero thermal coefficient以下的正溫特性設(shè)計

標(biāo)簽： mosfet 并聯(lián)

上傳時間： 2022-03-01

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MOSFET的datasheet詳細(xì)說明-中文手冊

這個是安世半導(dǎo)體關(guān)于mosfet的詳細(xì)應(yīng)用手冊，可以快速了解mosfet的內(nèi)容。

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上傳時間： 2022-03-19

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高頻率MOSFET驅(qū)動電路PCB

MOSFET，碳化硅的驅(qū)動電路PCB,最高驅(qū)動頻率可達(dá)2Mhz，帶過流保護(hù)功能，帶隔離

標(biāo)簽： mosfet 驅(qū)動電路 pcb

上傳時間： 2022-03-30

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