MOSFET和IGBT內部結構不同, 決定了其應用領域的不同.1, 由于MOSFET的結構, 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點頻率不是太高, 目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了. 不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領域的產品.3, 就其應用, 根據其特點:MOSFET應用于開關電源, 鎮流器, 高頻感應加熱, 高頻逆變焊機, 通信電源等等高頻電源領域;IGBT 集中應用于焊機, 逆變器, 變頻器,電鍍電解電源, 超音頻感應加熱等領域開關電源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS ( 零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET或 IGBT 導通開關損耗的主要因素， 討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外， IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路（見圖1）可看出，完全調節PNP BJT集電極基極區的少數載流子所需的時間導致了導通電壓拖尾（ voltage tail ）出現。
標簽：
mosfet
igbt
上傳時間：
2022-06-21
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該文主要研究開發了適用于電力有源濾波器、開關磁阻電機調速系統等現代電力電子裝置的開關穩壓電源.該電源采用雙端反激式功率變換電路,降低了功率MOSFET截止期間的所承受電壓應力,減小了管子的耐壓要求.該文首先詳細分析了多輸出電流型雙端反激式開關電源的基本工作原理,并在此基礎上建立了一套系統的、準確的穩態數學模型及動態小信號模型.根據所建立的數學模型,結合自動控制原理,對閉環控制系統進行了穩定性分析研究,提出了穩定運行條件,給出了閉環系統的參數設計.然后根據已建立的數學模型,利用MATLAB軟件仿真分析了系統的穩定性,同時建立了PSPICE實時仿真電路模型,進行了深入細致的計算機仿真研究,驗證了理論設計的正確性、合理性.最后設計了一套38W、六路輸出的原理樣機,給出了相關的實驗波形和實驗結果分析.
標簽：
電流型
雙端
反激式開關電源
上傳時間：
2013-06-25
上傳用戶：大三三
