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mosfet 保護

  • 一種求解單件車間調度問題的單親遺傳算法

    針對單件車間調度問題,設計一種基于整數編碼的單親遺傳算法。該算法既具有單親遺傳算法運算量小、不存在“早熟收斂”現象等優點,在編碼中又體現了單件車間調度的“保序性”等工藝約束條件,增強了調度算法的整體性

    標簽: 車間調度 單親遺傳算法

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:笨小孩

  • VC編程經驗總結

    VC編程經驗總結.rar一本不錯的介紹VC編程的書 CSDN介紹屏保的好像不多,我來補個空缺,呵呵 :) 對于屏幕保護程序,大家應該不會陌生。屏幕保護程序的后綴名是.scr,其實它就是一個可執行的.exe文件。 VC提供了一個支持屏幕保護的開發庫scrnsave.lib,這個庫已經定制了一個屏幕保護程序的框架結構,開發者只需要在完成相應的函數和提供相應的資源就可以寫出自己的屏幕保護程序。

    標簽: 編程 經驗

    上傳時間: 2013-07-10

    上傳用戶:candice613

  • 幾種MOSFET驅動電路的研究

    摘要:介紹并分析研究了幾種較簡單實用的驅動電路,給出了電路圖,部分仿真波形或實驗波。 關鍵詞:高頻驅動電路

    標簽: MOSFET 驅動電路

    上傳時間: 2013-06-04

    上傳用戶:dave520l

  • IGBT模塊系列

     IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。  

    標簽: IGBT 模塊

    上傳時間: 2013-11-03

    上傳用戶:panpanpan

  • MAX17600數據資料

     The MAX17600–MAX17605 devices are high-speedMOSFET drivers capable of sinking /sourcing 4A peakcurrents. The devices have various inverting and noninvertingpart options that provide greater flexibility incontrolling the MOSFET. The devices have internal logiccircuitry that prevents shoot-through during output-statchanges. The logic inputs are protected against voltagespikes up to +14V, regardless of VDD voltage. Propagationdelay time is minimized and matched between the dualchannels. The devices have very fast switching time,combined with short propagation delays (12ns typ),making them ideal for high-frequency circuits. Thedevices operate from a +4V to +14V single powersupply and typically consume 1mA of supply current.The MAX17600/MAX17601 have standard TTLinput logic levels, while the MAX17603 /MAX17604/MAX17605 have CMOS-like high-noise margin (HNM)input logic levels. The MAX17600/MAX17603 are dualinverting input drivers, the MAX17601/MAX17604 aredual noninverting input drivers, and the MAX17602 /MAX17605 devices have one noninverting and oneinverting input. These devices are provided with enablepins (ENA, ENB) for better control of driver operation.

    標簽: 17600 MAX 數據資料

    上傳時間: 2013-12-20

    上傳用戶:zhangxin

  • MOSFET應用分析

    華為工程師培訓教材模擬電子共含有上下兩冊,是個不錯的資源! ..

    標簽: MOSFET

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:蟲蟲蟲蟲蟲蟲

  • COOLMOS__ICE2A系列的應用研究

    由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165/2,65/365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片,其優點是:用它做開關電源,無需加散熱器,在通用電網即可輸出20~50W 的功率;保護功能齊全;電路結構簡單;能自動降低空載時的工作頻率,從而降低待機狀態的損耗,故在中小功率開關電源中有著廣泛的應用前景。

    標簽: COOLMOS ICE 應用研究

    上傳時間: 2013-11-09

    上傳用戶:chenjjer

  • COOLMOS全面認識

    Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 600V transistors has been reduced by afactor of 5. The devices show no bipolar current contributionlike the well known tail current observed during the turn-offphase of IGBTs. CoolMOS™ virtually combines the lowswitching losses of a MOSFET with the on-state losses of anIGBT.

    標簽: COOLMOS

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:zhyiroy

  • MOS管驅動電路總結

    下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結,其中參考了一些資料,非全部原創。包括MOS管的介紹,特性,驅動以及應用電路。

    標簽: MOS 驅動電路

    上傳時間: 2013-11-18

    上傳用戶:文993

  • 使用LTC運算放大器宏模型

      This application note is an overview discussion of theLinear Technology SPICE macromodel library. It assumeslittle if any prior knowledge of this software library or itshistory. However, it does assume familiarity with both theanalog simulation program SPICE (or one of its manyderivatives), and modern day op amps, including bipolar,JFET, and MOSFET amplifier technologies

    標簽: LTC 運算放大器 模型

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:zhanditian

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