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n-q-phi

N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

上傳時(shí)間： 2013-11-12

上傳用戶：thesk123
（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

隨著我國(guó)通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來(lái)越大，系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對(duì)交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來(lái)越重要。在中國(guó)通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國(guó)家，各大通信運(yùn)營(yíng)商、電力供應(yīng)商、軍隊(duì)均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點(diǎn)。

標(biāo)簽： 熱插拔模塊并聯(lián) 應(yīng)用前景

上傳時(shí)間： 2014-03-24

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51單片機(jī)串口發(fā)N字節(jié)

適用于51單片機(jī)的串口發(fā)n

標(biāo)簽： 51單片機(jī) 串口字節(jié)

上傳時(shí)間： 2014-12-25

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一種用N+1條線實(shí)現(xiàn)矩陣鍵盤

89c51一種用N+1條線實(shí)現(xiàn)矩陣鍵盤

標(biāo)簽： 矩陣鍵盤

上傳時(shí)間： 2014-12-26

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調(diào)Q Nd∶YAG環(huán)形腔外腔倍頻技術(shù)研究

摘要:　用磷酸氧鈦鉀(KTP)作為倍頻晶體,對(duì)Nd∶YAG聲光調(diào)Q激光的環(huán)形腔外腔倍頻技術(shù)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)和理論的研究,利用最大平均功率50W、聲光調(diào)Q、輸出頻率1005Hz、燈抽運(yùn)Nd∶YAG激光器做為基頻光光源,在基頻輸入功率35W時(shí),獲得了大約為31.4%的光光轉(zhuǎn)換效率的綠光輸出。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析了環(huán)形腔倍頻的特性,指出了該方法的優(yōu)缺點(diǎn)。從光束質(zhì)量和聚焦光斑直徑方面,對(duì)基頻光和二次諧波進(jìn)行了比較,提供了利用CCD測(cè)得光斑的部分圖片,分析了環(huán)形腔倍頻的工作原理,解決了困擾倍頻技術(shù)的轉(zhuǎn)換效率問(wèn)題和光束質(zhì)量問(wèn)題。關(guān)鍵詞:　激光技術(shù);倍頻;環(huán)形腔;轉(zhuǎn)換效率;光束質(zhì)量

標(biāo)簽： YAG 環(huán)形倍頻技術(shù)研究

上傳時(shí)間： 2013-11-19

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卡爾曼濾波器matlab程序

load initial_track s; % y:initial data,s:data with noiseT=0.1; % yp denotes the sample value of position% yv denotes the sample value of velocity% Y=[yp(n);yv(n)];% error deviation caused by the random acceleration % known dataY=zeros(2,200);Y0=[0;1];Y(:,1)=Y0;A=[1 T 0 1]; B=[1/2*(T)^2 T]';H=[1 0]; C0=[0 0 0 1];C=[C0 zeros(2,2*199)];Q=(0.25)^2; R=(0.25)^2;

標(biāo)簽： matlab 卡爾曼濾波器程序

上傳時(shí)間： 2014-12-28

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基于Q學(xué)習(xí)的無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)自愈算法

無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)存在關(guān)鍵區(qū)域節(jié)點(diǎn)能量消耗過(guò)快，節(jié)點(diǎn)能量供應(yīng)有限以及通信鏈路擁塞等問(wèn)題，容易造成節(jié)點(diǎn)故障和路由破壞。為減小上述問(wèn)題對(duì)網(wǎng)絡(luò)傳輸造成的影響，提出一種基于Q學(xué)習(xí)的無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)自愈算法，通過(guò)引入Q學(xué)習(xí)的反饋機(jī)制，動(dòng)態(tài)感知網(wǎng)絡(luò)的狀態(tài)信息，當(dāng)故障發(fā)生時(shí)，自適應(yīng)地選擇恢復(fù)路徑，保證數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)順利傳輸。仿真結(jié)果表明，該算法降低了錯(cuò)誤選擇故障或擁塞路徑的概率，在故障感知、故障恢復(fù)和延長(zhǎng)網(wǎng)絡(luò)壽命等方面，表現(xiàn)出了良好的性能。

標(biāo)簽： 無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò) 算法

上傳時(shí)間： 2013-10-26

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ARM經(jīng)典300問(wèn)與答

第1 章體系結(jié)構(gòu) ARM經(jīng)典300問(wèn)與答第1 問(wèn):Q:請(qǐng)問(wèn)在初始化CPU 堆棧的時(shí)候一開始在執(zhí)行mov r0, LR 這句指令時(shí)處理器是什么模式A:復(fù)位后的模式,即管理模式.第2 問(wèn):Q:請(qǐng)教:MOV 中的8 位圖立即數(shù),是怎么一回事 0xF0000001 是怎么來(lái)的A:是循環(huán)右移,就是一個(gè)0—255 之間的數(shù)左移或右移偶數(shù)位的來(lái)的,也就是這個(gè)數(shù)除以4一直除, 直到在0-255 的范圍內(nèi)它是整數(shù)就說(shuō)明是可以的!A:8 位數(shù)(0-255)循環(huán)左移或循環(huán)右移偶數(shù)位得到的,F0000001 既是0x1F 循環(huán)右移4 位,符合規(guī)范,所以是正確的.這樣做是因?yàn)橹噶铋L(zhǎng)度的限制,不可能把32 位立即數(shù)放在32 位的指令中.移位偶數(shù)也是這個(gè)原因.可以看一看ARM 體系結(jié)構(gòu)(ADS 自帶的英文文檔)的相關(guān)部分.第3 問(wèn):Q:請(qǐng)教:《ARM 微控制器基礎(chǔ)與實(shí)戰(zhàn)》2.2.1 節(jié)關(guān)于第2 個(gè)操作數(shù)的描述中有這么一段:#inmed_8r 常數(shù)表達(dá)式.該常數(shù)必須對(duì)應(yīng)8 位位圖,即常熟是由一個(gè)8 位的常數(shù)循環(huán)移位偶數(shù)位得到.合法常量:0x3FC,0,0xF0000000,200,0xF0000001.非法常量:0x1FE,511,0xFFFF,0x1010,0xF0000010.常數(shù)表達(dá)式應(yīng)用舉例:......LDR R0,[R1],#-4 ;讀取 R1 地址上的存儲(chǔ)器單元內(nèi)容,且 R1 = R1-4針對(duì)這一段,我的疑問(wèn):1. 即常數(shù)是由一個(gè)8 位的常數(shù)循環(huán)移位偶數(shù)位得到,這句話如何理解2. 該常數(shù)必須對(duì)應(yīng)8 位位圖,既然是8 位位圖,那么取值為0-255,怎么0x3FC 這種超出255 的數(shù)是合法常量呢3. 所舉例子中,合法常量和非法常量是怎么區(qū)分的如0x3FC 合法,而0x1FE 卻非法0xF0000000,0xF0000001 都合法,而0xF0000010 又變成了非法4. 對(duì)于匯編語(yǔ)句 LDR R0,[R1],#-4,是先將R1 的值減4 結(jié)果存入R1,然后讀取R1 所指單元的值到R0,還是先讀取R1 到R0,然后再將R1 減4 結(jié)果存入R1A:提示,任何常數(shù)都可用底數(shù)*2 的n 次冪來(lái)表示.1. ARM 結(jié)構(gòu)中,只有8bits 用來(lái)表示底數(shù),因此底數(shù)必須是8 位位圖.2. 8 位位圖循環(huán)之后得到常數(shù),并非只能是8 位.3. 0xF0000010 底數(shù)是9 位,不能表示.4. LDR R0, [R1], #-4 是后索引,即先讀,再減.可以看一看ARM 體系結(jié)構(gòu)對(duì)相關(guān)尋址方式的說(shuō)明.

標(biāo)簽： ARM 300

上傳時(shí)間： 2013-11-22

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磁芯電感器的諧波失真分析

磁芯電感器的諧波失真分析摘要：簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)，磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來(lái)，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。一、歷史回顧總諧波失真（Total harmonic distortion），簡(jiǎn)稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器，阻抗 150Ω，增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。測(cè)量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝，（線架為一格），其空心電感值為 318μH（誤差1％）被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz，使輸出電平值為+17.4 dB，即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平（P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3），則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證，就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求，必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制）轉(zhuǎn)換時(shí)期，日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

標(biāo)簽： 磁芯電感器分諧波失真

上傳時(shí)間： 2013-12-15

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求N皇后問(wèn)題回溯算法

求N皇后問(wèn)題回溯算法

標(biāo)簽： 回溯算法

上傳時(shí)間： 2014-07-13

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