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ns-allinone

  • 一種無片外電容LDO的瞬態(tài)增強電路設計

    利用RC高通電路的思想,針對LDO提出了一種新的瞬態(tài)增強電路結構。該電路設計有效地加快了LDO的瞬態(tài)響應速度,而且瞬態(tài)增強電路工作的過程中,系統(tǒng)的功耗并沒有增加。此LDO芯片設計采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號工藝。仿真結果表明:整個LDO是靜態(tài)電流為3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在電源電壓為1.8 V,輸出電壓為1.3 V的情況下,當負載電流在10 ns內(nèi)由100 mA降到50 mA時,其建立時間由原來的和28 μs減少到8 μs;而在負載電流為100 mA的條件下,電源電壓在10 ns內(nèi),由1.8 V跳變到2.3 V時,輸出電壓的建立時間由47 μs降低為15 μs。

    標簽: LDO 無片外電容 瞬態(tài) 電路設計

    上傳時間: 2013-12-20

    上傳用戶:niumeng16

  • 基于硅堆的猝發(fā)高壓脈沖源初步實驗研究

    為了產(chǎn)生驅(qū)動多幅閃光照相的高重頻猝發(fā)高壓電脈沖,開展了基于硅堆隔離的猝發(fā)高壓脈沖發(fā)生裝置的可行性研究。對普通整流硅堆脈沖條件的導通電流,反向關斷時間進行了實驗研究;采用脈沖形成線產(chǎn)生矩形脈沖,利用不同長度傳輸線的傳輸時延產(chǎn)生多脈沖,以硅堆隔離的方式實現(xiàn)多脈沖在負載的輸出。研究表明:硅堆在500 ns脈寬條件下,其電流過載至少736倍,關斷時間約200 ns,硅堆的絕緣恢復時間決定產(chǎn)生脈沖的最高重復頻率。

    標簽: 實驗 高壓脈沖源

    上傳時間: 2013-11-20

    上傳用戶:稀世之寶039

  • GOLD4P USBHUB分析--雙電源切換

    本文主要介紹在GOLD4P上實現(xiàn)的獨有的無間斷雙電源切換功能,現(xiàn)在為止,我們還沒有發(fā)現(xiàn)有誰家的USB HUB在產(chǎn)品上實現(xiàn)了NS級的無縫雙電源切換功能。要講清這個問題,得先從這個問題的最基本說起。

    標簽: GOLD4P USBHUB 雙電源切換

    上傳時間: 2014-03-30

    上傳用戶:gengxiaochao

  • 2009-2010年中國電源管理芯片市場研究年度報告

      研究領域:電源管理IC、功率IC  涉及廠商:Fairchild、ST、NS、Onsemiconductor、Linear和Maxim等  報告推薦  2009年,受國際金融危機和行業(yè)不景氣的雙重沖擊,全球電源管理芯片市場規(guī)模出現(xiàn)超過10%的大幅下滑,中國電源管理芯片市場也首次出現(xiàn)負增長。雖然整體市場明顯下滑,但分領域來看,汽車電子類電源管理芯片市場依然實現(xiàn)正增長,而計算機、網(wǎng)絡通信和消費電子等領域則由于下游整機出口下滑的拖累導致相關領域的電源管理芯片市場出現(xiàn)大幅衰退。整體來看,2009年中國電源管理芯片市場雖然陷入了前所未有的負增長,但下半年以來市場的明顯復蘇以及人們對節(jié)能、綠色以及低碳需求的不斷增加,未來電源管理芯片市場依然充滿希望?! 榱巳娑鴾蚀_的反映中國電源管理芯片市場地發(fā)展現(xiàn)狀以及未來趨勢,推出《2009-2010年中國電源管理芯片市場研究年度報告》,將幫助業(yè)界廠商、投資者和相關政府機構更準確地把握中國電源管理芯片市場的發(fā)展規(guī)律。  深入、翔實的市場研究數(shù)據(jù)?;趯π袠I(yè)產(chǎn)品的深度研究,提供對產(chǎn)品結構、應用結構等多個角度的市場數(shù)據(jù),明晰市場發(fā)展方向。  全面、深刻的品牌競爭分析。從市場格局、競爭策略、SWOT分析等多個維度分析企業(yè),評點市場領先要素。  科學、完整的未來發(fā)展預測。建立在各重點細分市場上的建模校驗,并與相關產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)進行關聯(lián)分析,確保給出有價值的趨勢分析與定量預測結果。  本報告全面總結了2009年中國電源管理芯片市場的發(fā)展狀況,全面分析了其推進因素和市場特點,并對主要廠商進行了客觀綜合的評價,通過大量的調(diào)研訪談和詳實準確的數(shù)據(jù)支撐,為客戶提供完整的中國電源管理芯片市場信息,為企業(yè)提供有效的決策參考,報告主要為客戶提供了以下方面的內(nèi)容?! ∧壳皣鴥?nèi)電源管理芯片市場規(guī)模及特點  按產(chǎn)品細分的電源管理芯片市場情況  按應用領域細分的電源管理芯片市場情況  主要廠商分析  未來各個細分市場的預測  報告框架

    標簽: 2009 2010 電源管理 報告

    上傳時間: 2013-11-17

    上傳用戶:dysyase

  • 2006-2007年中國電源管理芯片市場研究年度報告

      研究領域:電源管理芯片、功率IC、功率器件  涉及廠商:TI、NS、Fairchild、OnSemiconductor等  報告推薦  和往年一樣,在下游產(chǎn)品產(chǎn)量的不斷增加以及節(jié)能需求的不斷提高等因素的刺激下,2006年中國電源管理芯片市場依然保持快速發(fā)展的勢頭。為了全面而準確的反映中國電源管理芯片市場的現(xiàn)狀以及未來發(fā)展趨勢,顧問特此推出了《2006-2007年中國電源管理芯片市場研究報告》。  本報告全面總結了2006年中國電源管理芯片市場的發(fā)展狀況,全面分析了其推進因素和市場特點,并對主要廠商進行了客觀綜合的評價,通過大量的調(diào)研訪談和詳實準確的數(shù)據(jù),為客戶提供完整的中國電源管理芯片市場信息,為企業(yè)提供有效的決策參考,報告主要為客戶提供了以下方面的內(nèi)容?! ∧壳皣鴥?nèi)電源管理芯片市場規(guī)模及特點  按產(chǎn)品細分的電源管理芯片市場情況  按應用領域細分的電源管理芯片市場情況  主要廠商評價  未來各個細分市場的預測  報告框架  主要結論  重要發(fā)現(xiàn)架

    標簽: 2006 2007 電源管理 報告

    上傳時間: 2013-10-18

    上傳用戶:nem567397

  • Flyback變換器各主要器件設計推算

    一、變壓器Np、Ns、Lp的計算二、如果要計算氣隙長度Lg三、開關管Vce、Ic的計算(非連續(xù))五.輸出整流二極管Id、Vd的計算Flyback輸出濾波電容設計流過輸出電容C的紋波電流Ic=I2- Io   其中:I2為次級線圈電流   Ic的有效值可由下式計算:Icrms=[Ton/3T(I2p^2-I2pIo+Io^2 )+(Toff/T)*           Io^2]^1/2          其中I2p=2io/(1- δmax)   此為輸入電壓最低、輸出功率最大時狀態(tài)。

    標簽: Flyback 變換器 器件設計

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:aesuser

  • 基于LMD18200的直流電機驅(qū)動電路設計

    LMD18200 是美國國家半導體公司(NS)推出的專用于運動控制的H橋組件。同一芯片上集成有CMOS 控制電路和DMOS 功率器件, 峰值輸出電流高達6A ,連續(xù)輸出電流達3A ,工作電壓高達55V ,還具有溫度報警和過熱與短路保護功能。主要應用于位置控制、速度控制、工業(yè)機器人和各種數(shù)控設備都需要直流電機和步進電機.....

    標簽: 18200 LMD 直流 電機驅(qū)動

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:海陸空653

  • SN65LBC170,SN75LBC170,pdf(TRIP

    The SN65LBC170 and SN75LBC170 aremonolithic integrated circuits designed forbidirectional data communication on multipointbus-transmission lines. Potential applicationsinclude serial or parallel data transmission, cabledperipheral buses with twin axial, ribbon, ortwisted-pair cabling. These devices are suitablefor FAST-20 SCSI and can transmit or receivedata pulses as short as 25 ns, with skew lessthan 3 ns.These devices combine three 3-state differentialline drivers and three differential input linereceivers, all of which operate from a single 5-Vpower supply.The driver differential outputs and the receiverdifferential inputs are connected internally to formthree differential input/output (I/O) bus ports thatare designed to offer minimum loading to the buswhenever the driver is disabled or VCC = 0. Theseports feature a wide common-mode voltage rangemaking the device suitable for party-lineapplications over long cable runs.

    標簽: 170 LBC SN TRIP

    上傳時間: 2013-10-13

    上傳用戶:ytulpx

  • P87LPC762/P87LPC764 OTP單片機原理

    PHILIPS半導體針對Atmel、Microchip、NS、ST系列單片機及時推出了51LPC系列OTP單片機。P87LPC762/764是一種80C51改進型MCU,增加了用戶想要的WDT看門狗,I2C總線,二個模擬量比較器可組成8位A/D及D/A轉換器,上電復位檢測,欠壓復位檢測,保證I/O口驅(qū)動電流達到20mA,運行速度為標準80C51的二倍,而且溫度范圍達到了工業(yè)級標準(-40~+85),單片機本身的可靠性即電磁兼容特性極好,同時MCS-51系列已有的特點P87LPC76x也都具備,而且,它還繼承了PHILIPS半導體的低功耗特性及徹底的不可破譯性,更詳細的性能請用戶靜下心來閱讀這本使用指南。

    標簽: LPC 87 762 764

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:ggwz258

  • DA與AD轉換

    計算機應用中,有時需處理的信息不是數(shù)字量,而是一些隨時間連續(xù)變化的模擬量,甚至是一些非電量,如溫度、壓力、速度等。模擬量的存儲處理困難。首先將非電的模擬信號變成與之對應的模擬電信號,這要通過各種傳感器來完成。計算機可處理的信息均是數(shù)字量(電脈沖信號)1和0,必須把要處理的模擬電量轉換成數(shù)字化的電信號,這需要模擬(Analog)與數(shù)字(Digital)轉換電路。數(shù)字到模擬轉換:(Digital to Analog Convert, D/A) D/A轉換電路是模擬電路加上電子開關。D/A轉換電路的核心是一個運算放大器。運算放大器的特性:(Operation Amplifier)    K->無窮大, V和->0  傳遞函數(shù):V0 = -Vi * R0/Ri    Ii->0,  I和=If梯形R-2R電阻網(wǎng)絡D/A轉換器Ki受一個8位二進制代碼控制   某位為1,對應開關K倒向右邊;   某位為0,對應開關K倒向左邊。Ki不論倒向哪邊,均為接地VA-VH 的電位為:     VREF,1/2VREF,..1/128VREFVO= -VREF *(1/2K7+1/4K6+…+1/256K0)V0= -(0-255/256)VREF 8位D/A轉換器DAC0830系列器件國家半導體公司(NS)產(chǎn)品,0830、0831、0832。R-2R梯形電阻網(wǎng)絡D/A轉換器,雙緩沖結構。單電源、低功耗、電流建立時間1uS。與微計算機接口方便。8位D/A轉換器DAC0830系列器件ILE:        輸入鎖存允許;  WR1#:       加載IN REG;  WR2#:        加載DAC REG;    XFER#:       IN REG傳到DAC REG;  Iout1,Iout2: 外接OA輸入;  Rfb:         反饋電阻接OA輸出;  VREF:        參考電源,控制輸出電壓變化范圍。

    標簽: AD轉換

    上傳時間: 2013-10-16

    上傳用戶:lu2767

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