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<pre id="kmksw"></pre> 為降低大功率開關(guān)電源設(shè)計(jì)時(shí)功率器件的選擇、開關(guān)頻率和功率密度的提高所面臨的困難，改善單電源供電的可靠性，設(shè)計(jì)并制作程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。系統(tǒng)由2個(gè)額定輸出功率為16 W的8 V DC/DC模塊構(gòu)成的程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。以STM32F103微控制器為核心芯片，通過程序控制內(nèi)部DAC調(diào)節(jié)PWM主控芯片UC3845的反饋端電壓，使DC/DC模塊輸出電壓產(chǎn)生微小變動(dòng)，進(jìn)而可調(diào)整DC/DC模塊的輸出電流并實(shí)時(shí)分配各DC/DC模塊的輸出電流，軟件采用PI算法。試驗(yàn)表明，系統(tǒng)滿載效率高于80.23%，電流分配誤差最大為1.54%；電源輸出在1 s內(nèi)快速達(dá)到穩(wěn)態(tài)；系統(tǒng)以4.5 A為閾值實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)和自恢復(fù)功能。
標(biāo)簽： 程控開關(guān)電源 并聯(lián)供電系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-15
上傳用戶：王慶才
利用RC高通電路的思想，針對(duì)LDO提出了一種新的瞬態(tài)增強(qiáng)電路結(jié)構(gòu)。該電路設(shè)計(jì)有效地加快了LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度，而且瞬態(tài)增強(qiáng)電路工作的過程中，系統(tǒng)的功耗并沒有增加。此LDO芯片設(shè)計(jì)采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號(hào)工藝。仿真結(jié)果表明：整個(gè)LDO是靜態(tài)電流為3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在電源電壓為1.8 V，輸出電壓為1.3 V的情況下，當(dāng)負(fù)載電流在10 ns內(nèi)由100 mA降到50 mA時(shí)，其建立時(shí)間由原來的和28 μs減少到8 μs；而在負(fù)載電流為100 mA的條件下，電源電壓在10 ns內(nèi)，由1.8 V跳變到2.3 V時(shí)，輸出電壓的建立時(shí)間由47 μs降低為15 μs。
標(biāo)簽： LDO 無片外電容 瞬態(tài) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-12-20
上傳用戶：niumeng16
為了提高現(xiàn)有路燈的供電效率，開發(fā)設(shè)計(jì)了單燈恒流的供電模式，在每個(gè)路燈上安裝一個(gè)體積很小的的恒流源，以保障給LED燈提供穩(wěn)定、高效的恒流供電。在恒流源模塊中，恒流源芯片HV9910B可以實(shí)現(xiàn)了高于70 V的電壓的輸入，在不同的輸入電壓下，恒流源芯片工作在恒定關(guān)斷模式下，控制輸出BUCK電路中的開關(guān)MOSE的占空比，以輸出恒定2.2 A的電流，LED燈串聯(lián)起來作為負(fù)載，效率達(dá)到了91%以上。
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：yczrl
AD7280A菊花鏈從它監(jiān)控的電池單元獲得電源。ADuM5401集成一個(gè)DC/DC轉(zhuǎn)換器，用于向ADuM1201的高壓端供電，向AD7280A SPI接口提供VDRIVE電源，以及向AD7280A菊花鏈電路提供關(guān)斷信號(hào)。如果BMS低壓端的+5 V電源被拉低，則隔離器和AD7280A菊花鏈關(guān)斷。同樣，如果來自BMC的PD信號(hào)變?yōu)榈碗娖?，通過ADG849開關(guān)路由的ADuM5401低壓電源將被拉低，這也會(huì)使隔離器和AD7280A菊花鏈發(fā)生硬件關(guān)斷。
標(biāo)簽： 集成信號(hào) 電源隔離 鋰離子電池組 監(jiān)控器
上傳時(shí)間： 2013-12-14
上傳用戶：D&L37
基于1 μm 40V BCD 工藝，使用Cadence軟件對(duì)原邊反饋AC/DC控制器進(jìn)行仿真和分析。線補(bǔ)償技術(shù)可以使原邊反饋AC/DC電路獲得很好的負(fù)載調(diào)整率，抵消電感上所消耗的電壓和整流二極管上的壓降，使輸出達(dá)到的最佳值。在輸入加220 V交流電壓時(shí)，輸出結(jié)果最大值為5.09 V，最小值為5 V，最大負(fù)載調(diào)整率為9.609%。
上傳時(shí)間： 2013-10-20
上傳用戶：sglccwk
基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比，同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應(yīng)不同工藝下負(fù)溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準(zhǔn)電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時(shí)電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時(shí)（PSRR）達(dá)到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內(nèi)的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達(dá)到5.6×10-6 V/℃以下。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準(zhǔn)電壓源
上傳時(shí)間： 2014-12-03
上傳用戶：88mao
基于輸入28.5 VDC，輸出總功率180 W的機(jī)載計(jì)算機(jī)電源的設(shè)計(jì)，為滿足“GJB181飛機(jī)供電特性”中對(duì)飛機(jī)用電設(shè)備輸入28.5 VDC時(shí)過壓浪涌80 V/50ms的要求，采用檢測輸入電壓并控制MOSFET導(dǎo)通和關(guān)斷的方法，通過對(duì)該電路的理論數(shù)據(jù)分析及與實(shí)際測試數(shù)據(jù)做比較，模擬了80 V/50 ms過壓浪涌的試驗(yàn)，并用示波器記錄了測試波形，得出該設(shè)計(jì)電路在輸入28.5 VDC時(shí)，可以完全滿足GJB181飛機(jī)供電特性過壓浪涌要求的結(jié)論。并通過擴(kuò)展應(yīng)用介紹了在其他輸入電壓類型時(shí)過壓浪涌保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：cuibaigao
6 GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器 GEMS壓力變送器3000的行業(yè)應(yīng)用： 船舶、工程機(jī)械 產(chǎn)品特點(diǎn)： ■工作壓力可高達(dá)10,000PSI ■高精度-在整個(gè)應(yīng)用過程中,精度在±0.15%之內(nèi) ■高穩(wěn)定性-長期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震動(dòng)性能-采用了薄膜濺射式設(shè)計(jì),取消了易破的連接線 GEMS壓力變送器3000的性能參數(shù) 精度 0.15%FS 重復(fù)性 0.03%FS 長期穩(wěn)定性 0.06%F.S/年 壓力范圍 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐壓 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂壓力 7xFS 4xFS,對(duì)于10,000psi 疲勞壽命 108次滿量程循環(huán) 零點(diǎn)公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,響應(yīng)時(shí)間0.5毫秒 溫度影響 溫漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS壓力變送器3000的環(huán)境參數(shù) 振動(dòng) 正弦曲線,峰值70g,5～5000HZ(根據(jù)MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 電壓輸出 電路 見PDF文件(3線) 激勵(lì) 高于滿程電壓1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小環(huán)路電阻 (FS輸出/2)Kohms 供電靈敏度 0.01%FS/Volt 電流輸出 電路 2線 環(huán)路供電電壓 24VDC(7-35VDC) 輸出 4-20mA 最大環(huán)路電阻 (Vs-7)x50Ω 供電靈敏度 0.01%FS/V 比率輸出 輸出 0.5v到4.5v(3線)@5VDC供電 輸出激勵(lì)電壓 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS壓力變送器3000的物理參數(shù) 殼體 IP65代碼G(NEMA4);IP67代碼F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不銹鋼 電氣連接 見訂貨指南 壓力連接 1/4″NPT或G1/4 重量(約) 110g(電纜重量另加:75g/m) 機(jī)械震動(dòng) 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的穩(wěn)定加速度時(shí)1bar(15psi)量程變送器的輸出會(huì)波動(dòng)0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)時(shí)輸出波動(dòng)會(huì)按對(duì)數(shù)遞減至0.0007%FS/g. 認(rèn)證等級(jí) CE
上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶：sdfsdfs1
ADuM320x是采用ADI公司iCoupler® 技術(shù)的雙通道數(shù)字隔離器。這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術(shù)融為一體，具有優(yōu)于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光電二極管，因而不存在一般與光耦合器相關(guān)的設(shè)計(jì)困難。簡單的iCoupler 數(shù)字接口和穩(wěn)定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的電流傳輸比不確定、非線性傳遞函數(shù)以及溫度和使用壽命影響等問題。這些iCoupler 產(chǎn)品不需要外部驅(qū)動(dòng)器和其它分立器件。此外，在信號(hào)數(shù)據(jù)速率相當(dāng)?shù)那闆r下，iCoupler 器件的功耗只有光耦合器的1/10至1/6。 ADuM320x隔離器提供兩個(gè)獨(dú)立的隔離通道，支持多種通道配置和數(shù)據(jù)速率（請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)“訂購指南”部分）。兩款器件均可采用2.7 V至5.5 V電源電壓工作，與低壓系統(tǒng)兼容，并且能夠跨越隔離柵實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換功能。ADuM320x隔離器具有已取得專利的刷新特性，可確保不存在輸入邏輯轉(zhuǎn)換時(shí)及上電/關(guān)斷條件下的直流正確性。 與ADuM120x隔離器相比，ADuM320x隔離器包含多項(xiàng)電路和布局改進(jìn)，系統(tǒng)級(jí)IEC 61000-4-x測試（ESD、突波和浪涌）顯示其性能大大增強(qiáng)。對(duì)于ADuM120x或ADuM320x產(chǎn)品，這些測試的精度主要取決于用戶電路板或模塊的設(shè)計(jì)與布局。 應(yīng)用 --尺寸至關(guān)重要的多通道隔離 --SPI 接口/數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器隔離 --RS-232/RS-422/RS-485收發(fā)器隔離 --數(shù)字現(xiàn)場總線隔離 特性： 增強(qiáng)的系統(tǒng)級(jí)ESD保護(hù)性能，符合IEC 61000-4-x標(biāo)準(zhǔn) 工作溫度最高可達(dá)：125℃ 8引腳窄體SOIC封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 技術(shù)指標(biāo)： 高共模瞬變抗擾度：>25 kV/μs 雙向通信 - 3 V/5 V 電平轉(zhuǎn)換 - 高數(shù)據(jù)速率：dc 至 25 Mbps（NRZ）
標(biāo)簽： ADUM 3200 雙通道 數(shù)字隔離器
上傳時(shí)間： 2013-10-11
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ADUM1201: 雙通道數(shù)字隔離器（1/1通道方向性） ADuM120x 是采用ADI公司iCoupler® 技術(shù)的雙通道數(shù)字隔離器。這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術(shù)融為一體，具有優(yōu)于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光電二極管，因而不存在一般與光耦合器相關(guān)的設(shè)計(jì)困難。簡單的iCoupler 數(shù)字接口和穩(wěn)定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的電流傳輸比不確定、非線性傳遞函數(shù)以及溫度和使用壽命影響等問題。這些iCoupler產(chǎn)品不需要外部驅(qū)動(dòng)器和其它。 特性： 8引腳窄體SOIC封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 低功耗工作 雙向通信 3 V/5 V電平轉(zhuǎn)換 工作溫度最高可達(dá)125°C
標(biāo)簽： ADuM 1200 雙通道 數(shù)字隔離器
上傳時(shí)間： 2014-01-17
上傳用戶：hui626493
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