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1前言萊鋼型鋼廠大型生產線傳動系統采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電，變頻器采用公共直流母線式結構；冷床傳輸鏈采用4臺電機單獨傳動，每臺電機分別由獨立的逆變單元控制，逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制，相互之間依靠速度給定的同時性保持同步。自2005年投入生產以來，冷床傳輸鏈運行較為穩定，但2007年2月以后，冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現絕緣柵雙極型晶體管（Insolated Gate Bipolar Transistor，IGBT）損壞現象，具體故障情況統計見表1由表1可知，冷床傳輸鏈4臺逆變器都出現過IGBT損壞的現象，故障代碼是F025和F0272原因分析1）IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實際情況上看，檢查輸出電纜及電機等外部條件沒有問題，并且更換新的IGBT后，系統可以立即正常運行，從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2）IGBT存在過壓。該系統采用公共直流母線控制方式，制動電阻直接掛接于直流母線上，當逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時，制動單元動作，進行能耗制動；此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現IGBT損壞的現象，因此不是由于制動反饋過壓造成IGBT燒壞。3）由于負荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實際運行波形上看，負荷分配相對較為均勻，相互差別僅為2%左右，應該不會造成IGBT損壞。此外，4只逆變單元都出現了IGBT損壞現象，如果是由于負荷分配不均造成，應該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞，因此排除由于負荷分配不均造成IGBT損壞。4）逆變單元容量選擇不合適，裝置容量偏小造成長期過流運行，從而導致IGBT燒毀。逆變單元型號及電機參數：額定功率90kw，額定電流186A，負載電流169 A，短時電流254 A，中間同路額定電流221 A，電源電流205 A，電機功率110kw，電機額定電流205 A，電機正常運行時的電流及轉矩波形如圖1所示。
上傳時間： 2022-06-22
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1引言隨著高r能永磁材料、電力電了技術、大規模集成電路和計算機技術的發展，永同步電機PMSMD）的應用領城不擴大。由于對電機控制性能的要求越來越高，因此如何建立有效的仿真模型越來受到人們的關注。本文在分析永司步電機數學模型的基礎上，提出了一種PMSM控制系統建模的方法，在此仿真模型基礎上，可以十分便捷地實現和驗證控制算法。因此，它為分析和設計PMSM控制系統提供了有效的手段，也為實際電機控制系統的設計和調試提供了新的思路。2永磁同步電機的數學模型[]水磁同步電動機三相繞組分別為U.v.w，各相繞組平面的軸線在與轉子軸垂直的平面上，三相繞組的電壓回路方程如下；式中，U L，為各相繞組兩端的電壓14A為各相的線電流，中uoyow為相統組的總磁鏈，R為定子每相繞組的電陽：P為微外算子（d/at）.磁鏈方程為：
上傳時間： 2022-06-22
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MSPFET配置及使用KIYA 設計的TXE610P、TXE690U、TXP700U、TXE705U、TXE708U、TXE709U工具可適應MSPFET環境的編程與加密應用。MSPFET 是俄羅斯工程師發布的一款免費編程環境，支持JTAG和BSL編程、熔斷熔絲加密；支持TI 及其兼容工具。最新版本為V1.6.1007 。現在聯線PC + TX工具 + 目標板。在[Setup] 中配置通信接口，從uv 均可選擇LPT并口應用于TXE610P；從v 可選擇[TIUSB] 接口應用TXE690U、TXE705U、TXE708U、TXE709U；選w 可應用于TXE690U、TXP700U。點應用筆記查看關于MSPFET環境特別注意事項。從
上傳時間： 2022-06-22
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Note: Before commissioning the value of the connected mains voltage must be set in the servo controller(factory setting=3×400 V AC). More detailed information see chapter 4"Commissioning".通訊接口所有的Servo-One系列均有USB及TCP/IP通訊接口，可通過LT-I公司的Drive-Manager5軟件進行通訊，進行相關參數的讀寫和現場調試，詳情請參考章節.…軟件調試。Servo-One Junior:X9（USB1.1）TCP/IP（開發中）Servo-One:X2（USB1.1）X3（TCP/IP）Note: The faults can be acknowledged in accordance with their programmed reaction(ER) or reset via a 24 V-reset(X9/10)(ER.).Attention: Faults marked with a dot can only be reset, after the cause of the fault has been eliminated.顯示為當前版本V5.4.0同時，相應的USB接口驅動也在對應的安裝文件夾內，例：C:\Program FileLTI DRiVES GmbHILTi DriveManager 5.4.0drivers
標簽： servoone
上傳時間： 2022-06-24
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AD7606是鄙人最近調試過的一個模塊，這里也給大家分享分享使用的經驗，以下是原理圖，仍然是備注了詳細的注意事項，方便讀圖和調試：PCB如下，3D封裝，這個KF2EDGK-3.81-10P座子花了不少時間畫3D封裝了~ 不過還是值得，看著很舒服，也方便配合結構設計AD7606這個ADC芯片用的比較廣泛，主要是性能不錯而且價格不算高，它主要有以下一些特點：8/6/4 路同步采樣輸入真雙極性模擬輸入范圍：±10 V、±5 V5V模擬單電源，2.3V至+5V VDRIVE完全集成的數據采集解決方案模擬輸入箝位保護具有1 MΩ模擬輸入阻抗的輸入緩沖器二階抗混疊模擬濾波器片內精密基準電壓及基準電壓緩沖器16位、200 kSPS ADC（所有通道）通過數字濾波器提供過采樣功能
標簽： ad7606
上傳時間： 2022-06-24
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本文在介紹了氮化嫁材料的基本結構特征及物理化學特性之后，從氮化擦的外延結構的屬性和氮化擦基高性能芯片設計兩個方面對氮化家材料和器件結構展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應用范圍，然后根據實驗分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發光譜和電致發光譜，并解釋其光譜藍移和紅移現象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應用。在芯片結構設計部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設計結構，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎，并在此基礎上提出新的設計結構，給出仿真分析結果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結構來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實現較好散熱效果和功率。
標簽： led
上傳時間： 2022-06-25
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主要內容為：1.作為汽車控制器的關鍵技術，介紹了本課題的立項背景，分析了插電式整車控制器面臨開發的幾大關鍵技術，明確定義了控制器底層軟件及軟件結構，規定了論文的研究與開發內容。2.研究控制器底層軟件的功能設計，分析了項目的實際需求及平臺化趨勢，介紹了對軟件功能定義，研究軟件的結構設計，分析了國際流行的設計標準，結合開發實際情況，提出了一種能滿足平臺化設計、層次清晰、合理有效的結構設計。該結構能滿足與其他通用模塊的接口要求，又符合內部開發的形式，采用模塊化開發方法，提高了開發效率，在開發周期上得到了很好的體現。3.完成了診斷管理系統的設計與實現、汽車通訊協議的設計與實現。針對汽車軟件的特點，介紹了汽車控制器對軟件系統的特殊要求，并對其中的CAN接口協議及診斷系統作了深入研究，并給出了仿真和測試結果，對通訊協議系統進行了驗證，并給出了實驗結果。本文同時還介紹了如何利用INCA軟件系統在整車上進行實時的測量與軟件參數標定，以及軟件在線刷新技術。關鍵詞：插電式混合動力汽車，整車控制器，底層軟件，V流程開發，診斷
上傳時間： 2022-06-25
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電容濾波電路單相橋式電容濾波整流電路。在負載電阻上并聯了一個濾波電容C。（1）濾波原理若電路處于正半周，二極管D1、D，導通，變壓器次端電壓v，給電容器C充電。此時C相當于并聯在v以上，所以輸出波形同v，，是正弦形。在剛過90°時，正弦曲線下降的速率很慢。所以剛過90°時二極管仍然導通。在超過90°后的某個點，正弦曲線下降的速率越來越快，二極管關斷。所以，在到，時刻，二極管導電，C充電，ye=x1按正弦規律變化；t2到t，時刻二極管關斷，y。=x1按指數曲線下降，放電時間常數為RL.C。
標簽： 整流電路
上傳時間： 2022-06-25
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當山>0時，必然使集成運放的輸出uo<0，從而導致二極管D2導通，D1截止，電路實現反相比例運算，輸出電壓當u<0時，必然使集成運放的輸出uo>0，從而導致二極管D1導通D2截止，R+中電流為零，因此輸出電壓uo=0。u和uo的波形如圖（b）所小如果設二極管的導通電壓為0.7V，集成運放的開環差模放大倍數為50萬倍，那么為使二極管D1導通，集成運放的凈輸入電壓0.7v=014×10-=145×10同理可估算出為使D2導通集成運放所需的凈輸入電壓，也是同數量級。可見，只要輸入電壓u使集成運放的凈輸入電壓產生非常微小的變化，就可以改變D1和D2工作狀態，從而達到精密整流的目的在半波精密整流電路中，當u>0時，U=Ku（K>0），當u<0時，U=0若利用反相求和電路將-Ku與山負半周波形相加，就可實現全波整流。分析由A所組成的反相求和運算電路可知，輸出電壓當u>0時，U=2u，u∞=-（-2u+u）=u；當u<0時，uo=0、想想？）uc-u；所以故此圖也稱為絕對值電路。當輸入電壓為正弦波和三角波時，電路輸出波形分別如圖所示。
標簽： 精密整流電路
上傳時間： 2022-06-26
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隨著經濟的迅猛發展和人民生活水平的提高，我國私人汽車保有量日益攀升，這一現象給城市交通基礎設施建設提出了新的挑戰。傳統停車場管理方式存在著識別效率低、易出錯、數據傳輸率低、識別距離近、必須停車減速等問題。因此，本文針對上述問題提出了基于RFID高頻有源電子標簽的遠距離車輛識別停車場管理系統，研究了智能停車場管理系統的特點，對軟件系統進行了需求分析與設計實現。系統由車輛基本信息管理，系統運營維護管理、車輛出入車場管理3個功能模塊組成。高頻標簽帶來了更遠的識別距離和更快的識別速度，實現了高速、不停車的車輛識別，但是識別范圍的擴大也給系統帶來了多標簽碰撞問題。針對多車輛信息碰撞的問題，本文對RFID系統的防碰撞算法進行了深入研究，在現有的二進制防碰撞算法基礎上提出了一種改進方法，該算法解決了典型算法在安全性上存在的隱患，在識讀效率上優越于典型算法，在高吞吐率、高負載的情景下性能尤V為關油：隨著停車場的日益大型化，停車場內的路徑選擇也影響著系統的效率。因此，本文設計一種停車場最短路徑停車引導模型，為停車提供最短行駛路線。結合圖論形成停車位的賦權有向圖，然后利用A*算法搜索最短停車路徑，通過數據庫和信息顯示設備引導停車，大大加快了停車速度，提高了停車場的停車位利用率。最后，在總結全文工作的基礎上對進一步研究提出了建議和展望。
上傳時間： 2022-06-26
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