Analog-Circuit-V（新概念模擬電路-電源電路-信號(hào)源和電源）
上傳時(shí)間： 2021-11-14
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高效率7.6 V, 700 mA隔離式LED驅(qū)動(dòng)器.pdf設(shè)計(jì)特色精確的初級(jí)側(cè)恒壓／恒流控制器(CV/CC)省去了光耦器和所有次級(jí)側(cè)CV/CC控制電路無(wú)需電流檢測(cè)電阻，即可達(dá)到最高效率使用元件少、低成本的解決方案自動(dòng)重啟動(dòng)保護(hù)功能可在輸出短路或開(kāi)環(huán)條件下可將輸出功率降低到95%以下遲滯熱關(guān)斷功能可防止電源損壞滿足CEC及能源之星2.0效率要求：
標(biāo)簽： 隔離 led 驅(qū)動(dòng)器
上傳時(shí)間： 2021-12-09
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arduino pwm太陽(yáng)能控制器（V 2.02）arduino pwm太陽(yáng)能控制器（V 2.02）
標(biāo)簽： arduino pwm 太陽(yáng)能控制器
上傳時(shí)間： 2022-01-14
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詳細(xì)介紹了wd公司開(kāi)源的risc-v core swe eh1,以及對(duì)risc-v做的貢獻(xiàn)
標(biāo)簽： risc-v
上傳時(shí)間： 2022-02-04
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risc-v官方spec，v2.2版本！！！
標(biāo)簽： risc-v
上傳時(shí)間： 2022-06-10
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【資源描述】:RISC-V開(kāi)源源碼
標(biāo)簽： RISC-V
上傳時(shí)間： 2022-06-16
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RISC-V 指令集手冊(cè) 卷 1：用戶級(jí)指令集體系結(jié)構(gòu)（User-Level ISA）
標(biāo)簽： RISC-V 指令集
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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玄鐵C910指令集手冊(cè)，是一款基于RISC-V指令集的高性能處理器，采用12級(jí)亂序執(zhí)行流水線、高精度混合分支預(yù)測(cè)器，并搭載AI擴(kuò)展指令的異構(gòu)處理器，可用于音視頻處理等應(yīng)用領(lǐng)域。
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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45 W隔離式反激式電源(90 VAC - 265 VAC輸入; 24 V，1.88 A輸出)，適用于使用InnoSwitch3-CP(INN3268-H221)以及CV，CC和CP輸出選項(xiàng)的智能揚(yáng)聲器和管狀電機(jī)
標(biāo)簽： 智能揚(yáng)聲器 管狀電機(jī) 輸出隔離式反激式電源
上傳時(shí)間： 2022-07-11
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電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識(shí) 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點(diǎn) 5 1.2 對(duì)靜電認(rèn)識(shí)的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢(shì) 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來(lái)源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來(lái)源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機(jī)器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機(jī)理 15 第2章 制造過(guò)程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護(hù)的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對(duì)電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國(guó)內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對(duì)電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點(diǎn) 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過(guò)程 2.3 靜電防護(hù)的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護(hù)材料 2.4.1 與靜電防護(hù)材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護(hù)材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護(hù)器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護(hù)的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運(yùn)送和存儲(chǔ)工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測(cè) 2.6.4 靜電防護(hù)的管理工作 第3章 抗靜電檢測(cè)及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測(cè)的作用和意義 3.2 靜電放電的標(biāo)準(zhǔn)波形 3.3 抗ESD檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn) 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測(cè)及分類的常用標(biāo)準(zhǔn) 3.3.2 標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法的主要內(nèi)容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實(shí)際ESD檢測(cè)的結(jié)果統(tǒng)計(jì)及分析 3.4.1 試驗(yàn)條件 3.4.2 ESD評(píng)價(jià)試驗(yàn)結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測(cè)中經(jīng)常遇到的一些問(wèn)題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I－V特性檢測(cè) 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對(duì)器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設(shè)計(jì)技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過(guò)電流熱失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.2抗場(chǎng)感應(yīng)ESD失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護(hù)電路 4.2.1基本抗靜電保護(hù)電路 4.2.2對(duì)抗靜電保護(hù)電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護(hù)電路的考慮 4.2.4防靜電保護(hù)元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機(jī)理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計(jì)策略 4.4.1 設(shè)計(jì)保護(hù)電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達(dá)到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì) 4.5.1 基本ESD保護(hù)電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路 4.5.3 ESD設(shè)計(jì)的輔助工具－TLP測(cè)試 4.5.4 CMOS電路ESD保護(hù)設(shè)計(jì)方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護(hù)電路示例 4.6 工藝控制和管理
上傳時(shí)間： 2013-07-13
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