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  • ARM定址方式 直接由暫存器取出值操作 指令中的位址為暫存器編號 例題: MOV r1,R2 R2 -> r1 SUB R0,r1,R2 r1 - R2 -> R

    ARM定址方式 直接由暫存器取出值操作 指令中的位址為暫存器編號 例題: MOV r1,R2 R2 -> r1 SUB R0,r1,R2 r1 - R2 -> R0

    標(biāo)簽: R2 r1 gt ARM

    上傳時間: 2016-03-26

    上傳用戶:邶刖

  • 華恒公司ARM9-EDU-r1嵌入式實驗平臺的串行口通信的源代碼。可以作為開發(fā)參考。

    華恒公司ARM9-EDU-r1嵌入式實驗平臺的串行口通信的源代碼。可以作為開發(fā)參考。

    標(biāo)簽: EDU-R ARM 嵌入式 實驗

    上傳時間: 2014-11-29

    上傳用戶:洛木卓

  • Euler函數(shù): m = p1^r1 * p2^r2 * …… * pn^rn ai >= 1 , 1 <= i <= n Euler函數(shù): 定義:phi(m) 表示小于等

    Euler函數(shù): m = p1^r1 * p2^r2 * …… * pn^rn ai >= 1 , 1 <= i <= n Euler函數(shù): 定義:phi(m) 表示小于等于m并且與m互質(zhì)的正整數(shù)的個數(shù)。 phi(m) = p1^(r1-1)*(p1-1) * p2^(r2-1)*(p2-1) * …… * pn^(rn-1)*(pn-1) = m*(1 - 1/p1)*(1 - 1/p2)*……*(1 - 1/pn) = p1^(r1-1)*p2^(r2-1)* …… * pn^(rn-1)*phi(p1*p2*……*pn) 定理:若(a , m) = 1 則有 a^phi(m) = 1 (mod m) 即a^phi(m) - 1 整出m 在實際代碼中可以用類似素數(shù)篩法求出 for (i = 1 i < MAXN i++) phi[i] = i for (i = 2 i < MAXN i++) if (phi[i] == i) { for (j = i j < MAXN j += i) { phi[j] /= i phi[j] *= i - 1 } } 容斥原理:定義phi(p) 為比p小的與p互素的數(shù)的個數(shù) 設(shè)n的素因子有p1, p2, p3, … pk 包含p1, p2…的個數(shù)為n/p1, n/p2… 包含p1*p2, p2*p3…的個數(shù)為n/(p1*p2)… phi(n) = n - sigm_[i = 1](n/pi) + sigm_[i!=j](n/(pi*pj)) - …… +- n/(p1*p2……pk) = n*(1 - 1/p1)*(1 - 1/p2)*……*(1 - 1/pk)

    標(biāo)簽: Euler lt phi 函數(shù)

    上傳時間: 2014-01-10

    上傳用戶:wkchong

  • 對給定的正規(guī)式r1、r2

    對給定的正規(guī)式r1、r2,已知它們的NFA分別為M1、M2(其狀態(tài)轉(zhuǎn)換矩陣及初態(tài)、終態(tài)信息分別保存在指定文件中)。構(gòu)造一程序,由此程序構(gòu)造正規(guī)式r1r2(連接運算)的NFA(將其狀態(tài)轉(zhuǎn)換矩陣及初態(tài)、終態(tài)信息保存在指定文件中)。

    標(biāo)簽:

    上傳時間: 2017-01-27

    上傳用戶:朗朗乾坤

  • 40kHZ超聲波發(fā)射電路

    40kHZ 超聲波發(fā)射電路之一,由F1~F3 三門振蕩器在F3 的輸出為40kHZ 方波,工作頻率主要由C1、r1 和RP 決定,用RP 可調(diào)電阻來調(diào)節(jié)頻率。 F3 的輸出激勵換能器T40-1

    標(biāo)簽: kHZ 40 超聲波 發(fā)射電路

    上傳時間: 2013-07-28

    上傳用戶:wanghui2438

  • 幾種常見開關(guān)電源電路圖

    用UC3842做的開關(guān)電源的典型電路見圖1。過載和短路保護(hù),一般是通過在開關(guān)管的源極串一個電阻(R4),把電流信號送到3842的第3腳來實現(xiàn)保護(hù)。當(dāng)電源過載時,3842保護(hù)動作,使占空比減小,輸出電壓降低,3842的供電電壓Vaux也跟著降低,當(dāng)?shù)偷?842不能工作時,整個電路關(guān)閉,然后靠r1、R2開始下一次啟動過程。這被稱為“打嗝”式(hiccup)保護(hù)。

    標(biāo)簽: 開關(guān)電源 電路圖

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:564708051@qq.com

  • PCB設(shè)計經(jīng)典資料

    本文將接續(xù)介紹電源與功率電路基板,以及數(shù)字電路基板導(dǎo)線設(shè)計。寬帶與高頻電路基板導(dǎo)線設(shè)計a.輸入阻抗1MHz,平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器電路基板圖26 是由FET 輸入的高速OP 增幅器OPA656 構(gòu)成的高輸入阻抗OP 增幅電路,它的gain取決于r1、R2,本電路圖的電路定數(shù)為2 倍。此外為改善平滑性特別追加設(shè)置可以加大噪訊gain,抑制gain-頻率特性高頻領(lǐng)域時峰值的R3。圖26 高輸入阻抗的寬帶OP增幅電路圖27 是高輸入阻抗OP 增幅器的電路基板圖案。降低高速OP 增幅器反相輸入端子與接地之間的浮游容量非常重要,所以本電路的浮游容量設(shè)計目標(biāo)低于0.5pF。如果上述部位附著大浮游容量的話,會成為高頻領(lǐng)域的頻率特性產(chǎn)生峰值的原因,嚴(yán)重時頻率甚至?xí)驗閒eedback 阻抗與浮游容量,造成feedback 信號的位相延遲,最后導(dǎo)致頻率特性產(chǎn)生波動現(xiàn)象。此外高輸入阻抗OP 增幅器輸入部位的浮游容量也逐漸成為問題,圖27 的電路基板圖案的非反相輸入端子部位無full ground設(shè)計,如果有外部噪訊干擾之虞時,接地可設(shè)計成網(wǎng)格狀(mesh)。圖28 是根據(jù)圖26 制成的OP 增幅器Gain-頻率特性測試結(jié)果,由圖可知即使接近50MHz頻率特性非常平滑,-3dB cutoff頻率大約是133MHz。

    標(biāo)簽: PCB

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:hebanlian

  • 德州儀器技術(shù)專家分享:LDO噪聲詳解

      隨著通信信道的復(fù)雜度和可靠性不斷增加,人們對于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高度依賴于高性能、高時鐘頻率和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器器 件,而這些器件的性能又非常依賴于系統(tǒng)電源軌的質(zhì)量。當(dāng)使用一個高噪聲電源供電時,時鐘或者轉(zhuǎn)換器 IC 無法達(dá)到最高性能。僅僅只是少量的電源噪聲,便會對性能產(chǎn)生極大的負(fù)面影響。本文將對一種基本 LDO 拓?fù)溥M(jìn)行仔細(xì)研究,找出其主要噪聲源,并給出最小化其輸出噪聲的一些方法。   表明電源品質(zhì)的一個關(guān)鍵參數(shù)是其噪聲輸出,它常見的參考值為 RMS 噪聲測量或者頻譜噪聲密度。為了獲得最低 RMS 噪聲或者最佳頻譜噪聲特性,線性電壓穩(wěn)壓器(例如:低壓降電壓穩(wěn)壓器,LDO),始終比開關(guān)式穩(wěn)壓器有優(yōu)勢。這讓其成為噪聲敏感型應(yīng)用的選擇。   基本 LDO 拓?fù)?   一個簡單的線性電壓穩(wěn)壓器包含一個基本控制環(huán)路,其負(fù)反饋與內(nèi)部參考比較,以提供恒定電壓—與輸入電壓、溫度或者負(fù)載電流的變化或者擾動無關(guān)。    圖 1 顯示了一個 LDO 穩(wěn)壓器的基本結(jié)構(gòu)圖。紅色箭頭表示負(fù)反饋信號通路。輸出電壓 VOUT 通過反饋電阻 r1 和 R2 分壓,以提供反饋電壓 VFB。VFB 與誤差放大器負(fù)輸入端的參考電壓 VREF 比較,提供柵極驅(qū)動電壓 VGATE。最后,誤差信號驅(qū)動輸出晶體管 NFET,以對 VOUT 進(jìn)行調(diào)節(jié)。    圖 1 LDO 負(fù)反饋環(huán)路    簡單噪聲分析以圖 2 作為開始。藍(lán)色箭頭表示由常見放大器差異代表的環(huán)路子集(電壓跟隨器或者功率緩沖器)。這種電壓跟隨器電路迫使 VOUT 跟隨 VREF。VFB 為誤差信號,其參考 VREF。在穩(wěn)定狀態(tài)下,VOUT 大于 VREF,其如方程式 1 所描述:

    標(biāo)簽: LDO 德州儀器

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:jiwy

  • N79E8132移動電源方案

    N79E8132移動電源方案功能介紹     本方案的特色是采用新唐生產(chǎn)的兼容MCS-51核心的N79E8132單片機,可以在-40度到85度溫度范圍內(nèi)安全工作,具備4K FLASH,4K DATAFLASH,512B RAM,高精度10位ADC,內(nèi)置帶隙電壓可省去外部參考電壓,內(nèi)置22.1184M、11.0592M振蕩器,并具有可分頻的時鐘供單片機核心使用,可以根據(jù)性能需要靈活選擇工作時鐘,提高工作效率,具備外部中斷、按鍵中斷,可以靈活實現(xiàn)單片機進(jìn)入掉電模式后的喚醒功能,具備停機、掉電模式,在產(chǎn)品不使用的時候進(jìn)入掉電模式,實現(xiàn)環(huán)保節(jié)能,支持ICE仿真工具,ICP、串口ISP燒寫,開發(fā)硬件成本低。軟件開發(fā)可以使用KEIL C,容易上手。     充電部分采用通用的TP4056,價格便宜,容易采購,可以通過外部元件靈活配置充電電流。     升壓部分采用日本精工的S8365,工作頻率1.2M,外置MOS,容易實現(xiàn)大電流,高效率,電感小型化節(jié)省成本。 技術(shù)參數(shù) 1. 輸入: USB 5V/1A ,充電電流可達(dá)500-850mA,可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置 2. 輸出: USB 5V/1A,效率最高可達(dá)到90%以上,可根據(jù)需要提高到2A 3. 電量指示: (可根據(jù)需要自行設(shè)定)     四燈全亮 75%-100%     三個指示燈亮 50%-75%     兩個燈亮 25%-55%     一個指示燈亮 5%-25%     無指示燈亮 5%以下 4.充電指示:     25%以下 一個指示燈閃     25%-50% 一個指示燈亮 第二個閃     50%--75% 二個指示燈亮 第三個閃     75%-99% 三個指示燈亮 第四個閃     100% 四個指示燈長亮。 5.智能保護(hù):     低電保護(hù):電池電壓低于3V時自動關(guān)閉升壓     放電保護(hù):放電電流大于額定電流自動關(guān)閉升壓輸出(1A模式設(shè)置為1.5A保護(hù))     溫度保護(hù):檢測電池溫度,高于55度自動關(guān)閉升壓輸出(可選)     低電流關(guān)機:當(dāng)外部設(shè)備的電流需求小于100mA時,關(guān)閉升壓輸出以節(jié)省電力。 6.按鍵操作:     短按按鍵,4個LED顯示剩余電量3~5秒自動關(guān)閉   按鍵長按, LED點亮,閃爍3次后開啟升壓,顯示電量,30秒內(nèi)沒有連接外部設(shè)備自動關(guān)機。   開機狀態(tài)長按,點亮照明LED,再長按熄滅照明LED,照明LED點亮狀態(tài)不會進(jìn)入自動關(guān)機 帶照明功能。(可選)8.原理圖 9.BOM 序號 類型 參數(shù) 位號 封裝 數(shù)量 1 IC N79E8132AS16 U2 SO16 1 2 IC S8365C U4 SOT26 1 3 IC TP4056 U3 SO8M1T 1 4 貼片電阻 0.1R R25 1206 1 5 貼片電阻 1A R28 1812 1 6 貼片電阻 22R R24 0603 1 7 貼片電阻 22R R30 0805 1 8 貼片電阻 100R R3 0805 1 9 貼片電阻 1K r1 r11 r12 r13 r14 0603 5 10 貼片電阻 2.4K R4 0603 1 11 貼片電阻 10K R6 r15 R21 R22 R23 R29 R31 R32 0603 8 12 貼片電阻 43.2KF R46 0603 1 13 貼片電阻 49.9KF R47 R49 0603 2 14 貼片電阻 68KF R27 0603 1 15 貼片電阻 75KF R48 0603 1 16 貼片電阻 100K R2 r16 0603 2 17 貼片電阻 220KF r17 R26 0603 2 18 貼片電阻 1M R5 R7 r18 0603 3 19 貼片電容 47P C1 C7 0603 2 20 貼片電容 103 C4 C8 C9 C13 C14 0603 5 21 貼片電容 104 C2 C5 C11 C16 C17 0603 5 22 貼片電容 226 C3 C6 C10 C12 C15 1206 5 23 貼片電感 3.6UH/3A L1 WBL076 1 24 二極管 1N4148 D1 SOD323 1 25 LED Blue D2 D3 D4 D5 D6 LED 5 26 二極管 SK34 D7 DO214 1 27 MOS 2N7002 Q2 Q5 SOT23 2 28 MOS AO3400 Q3 SOT23 1 29 MOS AO3401 Q4 SOT23 1 30 USB USB J3 USBAFRSMD1 1 31 USB_MINI USB_MINI J4 USBMINIMICRO 1 32 SWPB SWPB S1 SW7X7H 1 10.部件功能說明

    標(biāo)簽: N79E8132 移動電源 方案

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:sxdtlqqjl

  • 用PNP管驅(qū)動繼電器電路

    當(dāng)控制端電壓為0時,Q1基極電壓為(12-0.7=11.3V),改變r1的大小便可改變基極電流,當(dāng)基極電流足夠大時,三極管飽合。

    標(biāo)簽: PNP 驅(qū)動 繼電器電路

    上傳時間: 2013-10-23

    上傳用戶:wyiman

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