http://wordnet.princeton.edu/ WordNet is a large lexical database of English, developed under the direction of George A. Miller. Nouns, verbs, adjectives and adverbs are grouped into sets of cognitive synonyms (synsets), each expressing a distinct concept. Synsets are interlinked by means of conceptual-semantic and lexical relations. The resulting network of meaningfully related words and concepts can be navigated with the browser. WordNet is also freely and publicly available for download. WordNet s structure makes it a useful tool for computational linguistics and natural language processing.
標簽： developed princeton database WordNet
上傳時間： 2013-12-02
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The module includes three sub_module:FDivider128,generates the 1/128 frequency, MD_Counter8Zero, generates the flute when the posedge, MD_Counter8One,generates the flute when the negedge.The aim of the module is to generate the mended miller code to be the source of the MillerDecode. 輸入的數(shù)據(jù)以下降沿采樣，有效輸入范圍為上升沿前一點，輸入數(shù)據(jù)包括1 b0+有效數(shù)據(jù)+1 b0 Operating Rule: R_DATAUNCODE must be synchronous with R_ACTIVE
標簽： MD_Counter sub_module 128 generates
上傳時間： 2013-12-30
上傳用戶：Miyuki
個人編的rsa的源代碼，算出public—private key；其中有Euclid，Extend Euclid的實現(xiàn)，以及Millar-Rabin test的實現(xiàn)，和加密/解密
上傳時間： 2016-10-21
上傳用戶：1427796291
設計功率MOSFET驅動電路時需重點考慮寄生參數(shù)對電路的影響。米勒電容作為MOSFET器件的一項重要參數(shù),在驅動電路的設計時需要重點關注。重點觀察了MOSFET的開通和關斷過程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數(shù)對漏源極電壓和漏源極電流的影響。分析了柵極電壓在米勒平臺附近產生振蕩的原因,并提出了抑制措施,對功率MOSFET的驅動設計具有一定的指導意義。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.
標簽： mosfet
上傳時間： 2022-04-02
上傳用戶：默默
本論文所涉及的電源管理方案來源于與臺灣某上市公司的橫向合作項目，在電源管理產品朝著低功耗、高效率和智能化方向發(fā)展的形勢下，論文采用了一種開關電源與低壓降（LDO）線性電壓調節(jié)器結合應用的集成方案，即將LDO作為升壓型電源管理芯片的內部供電模塊。按照方案的要求，本文設計了一種含緩沖級的低壓降線性電壓調節(jié)器。設計采用0.6um 30V BCD工藝，實現(xiàn)LDO的輸入電壓范圍為6-13V：滿足在-25-85℃的工作溫度范圍內，輸出電壓為5V：在典型負載電流（12.5mA）下，LDO的壓降電壓為120mv.文章首先闡述了整個方案的工作原理，給出LDO設計的指標要求；其次，依據(jù)系統(tǒng)方案的指標要求和制造工藝約束，實現(xiàn)包含誤差放大器、基準源和保護電路等子模塊在內的電壓調整器：此外，文章還著重探討了“如何利用放大器驅動100pF數(shù)量級的大電容負載”的問題：最后，給出整個模塊總體電路的仿真驗證結果。LDO的架構分析和設計以及基準源的設計是本文的核心內容。在LDO架構設計部分，文章基于對三種不同LDO拓撲的分析，選擇并實現(xiàn)了含緩沖器級的LDO.設計中通過改進反饋網(wǎng)絡，采用反饋電容，實現(xiàn)對LDO的環(huán)路補償。同時，為提高誤差放大器驅動功率管的能力、適應LDO低功耗發(fā)展的需求，文章探討了如何使用放大器驅動大負載電容的問題。基于密勒定理和根軌跡原理，本文通過研究密勒電容的作用，采用MPC（Miller-Path-Compensation）結構，實踐了兩級放大器驅動大負載電容的方案，并把MPC補償技術推廣到三級放大器的設計中。
上傳時間： 2022-06-22
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文章首先闡述了整個方案的工作原理，給出LDO設計的指標要求；其次，依據(jù)系統(tǒng)方案的指標要求和制造1藝約束，實現(xiàn)包含誤差放大器、基準源和保護電路等了模塊在內的電壓調整器：此外，文章還著重探討了“如何利用放大器驅動100pF數(shù)量級的大電容負載"的問題；最后，給出整個模塊總體電路的仿真驗證結果。LDO的架構分析和設計以及基準源的設計是本文的核心內容。在LDO架構設計部分，文章基于對三種不同LDO拓撲的分析，選擇并實現(xiàn)了含緩沖器級的LDO./設計中通過改進反饋網(wǎng)絡，采用反饋電容，實現(xiàn)對LDO的環(huán)路補償。同時，為提高誤差放大器驅動功率管的能力、適應LDO低功耗發(fā)展的需求，文章探討了如何使用放大器驅動大負載電容的問題，基于密勒定理和根軌跡原理，本文通過研究密勒電容的作用，采用MPC（Miller-Path-Compersation）結構，實踐了兩級放大器驅動大負載電容的方案，并把MPC補償技術推廣到三級放大器的設計中。文章設計的CRF（CRF：Current Re ference controlled by Feedback）電流基準是基于對傳統(tǒng)自啟動基準電流源的改進實現(xiàn)的。CRF基準電流源架構中存在一條阻性的電流道路，確保其在加載電源電壓的過程中能夠實現(xiàn)快速啟動，響應速度達到1ps：而傳統(tǒng)自啟動基準電流源在相同的設計參數(shù)下，響應速度長達120us.CRF基準電流源突破了響應速度對其應用的限制。
上傳時間： 2022-06-23
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