利用RC高通電路的思想，針對LDO提出了一種新的瞬態(tài)增強電路結構。該電路設計有效地加快了LDO的瞬態(tài)響應速度，而且瞬態(tài)增強電路工作的過程中，系統(tǒng)的功耗并沒有增加。此LDO芯片設計采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號工藝。仿真結果表明：整個LDO是靜態(tài)電流為3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在電源電壓為1.8 V，輸出電壓為1.3 V的情況下，當負載電流在10 ns內由100 mA降到50 mA時，其建立時間由原來的和28 μs減少到8 μs；而在負載電流為100 mA的條件下，電源電壓在10 ns內，由1.8 V跳變到2.3 V時，輸出電壓的建立時間由47 μs降低為15 μs。
標簽：
LDO
無片外電容
瞬態(tài)
電路設計
上傳時間：
2013-12-20
上傳用戶：niumeng16
