功率密度很高的，50KW--5000v-700v碳化硅JFET開關電源
標簽： 碳化硅電源
上傳時間： 2015-03-11
上傳用戶：shaobinw
該文檔為碳化硅功率器件的發展現狀及其在電力系統中的應用展望總結文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
標簽： 碳化硅功率器件 電力系統
上傳時間： 2021-12-12
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7.5 kW電動汽車碳化硅逆變器設計 7.5 kW電動汽車碳化硅逆變器設計
標簽： 電動汽車 碳化硅 逆變器
上傳時間： 2021-12-21
上傳用戶：shjgzh
該文檔為SiC-碳化硅-功率半導體的介紹講解文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
標簽： sic 碳化硅 功率半導體
上傳時間： 2022-02-14
上傳用戶：bluedrops
摘要：針對砂輪產品生產中傳統的人工稱重速度慢、精度低等問題，設計了碳化硅砂子自動稱重系統．該系統采用C8051F020單片機實現傳感器微弱信號的采集與轉換，對A／D轉換值進行數字平均值濾波，并對主直流電機進行PWM調速控制，實現碳化硅砂子的實時準確稱重與定量輸送．實驗結果表明，該系統動態稱重精度較高，誤差為±0．1 g，可完全滿足生產要求．
標簽： C8051F020 自動 稱重 系統設計
上傳時間： 2013-10-19
上傳用戶：stvnash
本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用， 定義了理想功率開關的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 （GTO） 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基IGBT結構， 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結構。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結構設計重點在于保護柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區，以避免擴展擊穿。 這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩沖層設計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘（MCT） 結構和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結構， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關斷。 第10章介紹了發射極開關晶閘（EST）， 該種結構也利用一種MOS柵結構來控制晶閘管的導通與關斷， 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結構。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書， 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。
標簽： 大功率器件
上傳時間： 2021-11-02
半導體云講堂——寬禁帶半導體（GaN、SiC）材料及器件測試寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導體材料被稱為第三代半導體材料。四探針技術要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測量技術，對樣品形狀沒有要求， 且不需要測量樣品所有尺寸， 但需滿足以下四個條件? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。? 樣品不能有任何隔離的孔。? 樣品必須是均質和各向同性的。? 所有四個觸點必須位于樣品的邊緣。
標簽： 半導體 gan sic
上傳時間： 2022-01-03
MOSFET，碳化硅的驅動電路PCB,最高驅動頻率可達2Mhz，帶過流保護功能，帶隔離
標簽： mosfet 驅動電路 pcb
上傳時間： 2022-03-30
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英飛凌EiceDRIVER門極驅動芯片選型指南2019門極驅動芯片相當于控制信號(數字或模擬控制器)與功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之間的接口。集成的門極驅動解決方案有助于您降低設計復雜度，縮短開發時間，節省用料(BOM)及電路板空間，相較于分立的方式實現的門極驅動解決方案，可提高方案的可靠度。每一個功率器件都需要一個門極驅動，同時每一個門極驅動都需要一個功率器件。英飛凌提供一系列擁有各種結構類型、電壓等級、隔離級別、保護功能和封裝選項的驅動芯片產品。這些靈活的門極驅動芯片是英飛凌分立式器件和模塊——包括硅MOSFET(CoolMOS?、OptiMOS?和StrongIRFET?)和碳化硅MOSFET(CoolSiC?)、氮化鎵HEMT(CoolGaN?)，或者作為集成功率模塊的一部分(CIPOS? IPM和iMOTION? smart IPM)——最完美的搭檔。
標簽： 門極驅動
上傳時間： 2022-07-16
此評估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）在全橋LLC電路中的系統性能，該電路通常可用于電動汽車的快速DC充電器。 采用4L-TO247封裝的新型1000V額定器件專為SiC MOSFET設計，具有開爾文源極連接，可改善開關損耗并減少門電路中的振鈴。 它還在漏極和源極引腳之間設有一個凹口，以增加蠕變距離，以適應更高電壓的SiC MOSFET。圖1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封裝的最新Cree 1000V SiC MOSFET。該板旨在讓用戶輕松：在全橋諧振LLC電路中使用4L-TO247封裝的新型1000V，65mΩSiCMOSFET時，評估轉換器級效率和功率密度增益。檢查Vgs和Vds等波形以及振鈴的ID。
標簽： 全橋諧振 LLC轉換器
上傳時間： 2022-07-17
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