閘流管和雙向可控硅應(yīng)用的十條黃金原則 中文的，很值得學(xué)習(xí)
上傳時(shí)間： 2013-08-02
上傳用戶(hù)：270189020
閘流管和雙向可控硅成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則，推薦下載。
上傳時(shí)間： 2013-12-12
上傳用戶(hù)：cccole0605
閘流管和雙向可控硅應(yīng)用的十條黃金原則---硬件電路設(shè)計(jì)經(jīng)典。
標(biāo)簽： 閘流管 雙向可控硅 硬件電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-01-25
上傳用戶(hù)：bruce5996
流管中流體震蕩模擬，流線可視化，計(jì)算馬赫數(shù)等參數(shù)
上傳時(shí)間： 2016-02-21
上傳用戶(hù)：ls530720646
閘流管和雙向可控硅-成功應(yīng)用的十條黃金規(guī)則
上傳時(shí)間： 2013-12-07
上傳用戶(hù)：semi1981
FPGA器件在通信、消費(fèi)類(lèi)電子等領(lǐng)域應(yīng)用越來(lái)越廣泛，隨著FPGA規(guī)模的增大、功能的加強(qiáng)對(duì)時(shí)鐘的要求也越來(lái)越高。在FPGA中嵌入時(shí)鐘發(fā)生器對(duì)解決該問(wèn)題是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。本論文首先，描述并分析了電荷泵鎖相環(huán)時(shí)鐘發(fā)生器的體系結(jié)構(gòu)、組成單元及各單元的非理想特性；然后討論并分析了電荷泵鎖相環(huán)的小信號(hào)特性和瞬態(tài)特性；并給出了電荷泵鎖相環(huán)器件參數(shù)的計(jì)算表達(dá)式。其次，研究了環(huán)形振蕩器和鎖相環(huán)的相位噪聲特性。由于噪聲性能是時(shí)鐘發(fā)生器設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵指標(biāo)，本工作對(duì)此進(jìn)行了較為詳細(xì)的分析。相位噪聲和抖動(dòng)是衡量時(shí)鐘信號(hào)的兩個(gè)主要指標(biāo)。文中從理論上推導(dǎo)了一階鎖相環(huán)的噪聲特性，并建立了由噪聲分析抖動(dòng)和由抖動(dòng)分析噪聲的解析表達(dá)式關(guān)系，并討論了環(huán)路低噪聲設(shè)計(jì)的基本原則。在前面討論和分析的基礎(chǔ)上，利用Hynix0.35umCMOS工藝設(shè)計(jì)了200MHz電荷泵鎖相環(huán)時(shí)鐘發(fā)生器，并進(jìn)行了仿真。設(shè)計(jì)中環(huán)形振蕩器的延遲單元采用replica偏置結(jié)構(gòu)，把延遲單元輸出擺幅限定在確定范圍，尾電流源采用cascode結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)電路對(duì)電源和襯底噪聲的抑制作用。通過(guò)增加限流管，改善電荷泵中的開(kāi)關(guān)的非理想特性。
標(biāo)簽： FPGA 200 MHz 內(nèi)嵌
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶(hù)：變形金剛
介紹了一種可調(diào)的高壓脈沖發(fā)生器,該發(fā)生器主要由儲(chǔ)能電容器組、氫閘流管、電壓調(diào)節(jié)器、保護(hù)電路、高壓變壓器等部件組成。
上傳時(shí)間： 2013-12-06
上傳用戶(hù)：stella2015
摘要:高頻感應(yīng)加熱是工業(yè)電加熱領(lǐng)域的一種重要方法,產(chǎn)生高頻電流所采用的器件或設(shè)備可以是變流機(jī)組、電子管振蕩器和半導(dǎo)體變頻器。介紹了采用現(xiàn)代電子電力技術(shù)對(duì)目前普遍使用的以閘流管高壓整流系統(tǒng)作為電子管振蕩器直流可調(diào)電源的設(shè)備進(jìn)行技術(shù)改造的方案。關(guān)鍵詞:工業(yè)電加熱 高頻感應(yīng)加熱 技術(shù)改造
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶(hù)：lht618
一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類(lèi)似 雙向可控硅 于真空閘流管，所以國(guó)際上通稱(chēng)為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱(chēng)可控硅T。又由于可控硅最初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱(chēng)為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅SCR。 在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱(chēng)“死硅 ”）更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。 可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此頻率，因元件開(kāi)關(guān)損耗顯著增加，允許通過(guò)的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用。 可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。
標(biāo)簽： 雙向可控硅實(shí)用電路500例
上傳時(shí)間： 2015-05-07
上傳用戶(hù)：66998877
晶閘管變流技術(shù)應(yīng)用圖集
上傳時(shí)間： 2013-06-19
上傳用戶(hù)：eeworm
蟲(chóng)蟲(chóng)下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
