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硅VDMOS輻照特性研究及應(yīng)用.rar

  • 資源大小:5054 K
  • 上傳時(shí)間: 2023-09-14
  • 上傳用戶:canderile
  • 資源積分:2 下載積分
  • 標(biāo)      簽: VDMOS

資 源 簡(jiǎn) 介

作為功率開(kāi)關(guān),VDMOS器件以其高開(kāi)關(guān)速度、高耐壓、低導(dǎo)通電阻、寬安全工作區(qū)以及很好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn),廣泛地應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、汽車電子、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、節(jié)能燈等功率集成電路和功率集成系統(tǒng)中,因此VDMOS在電力電子的應(yīng)用中占有舉足輕重的作用,對(duì)VDMOS器件的物理特性及電學(xué)特性研究與建模有著重要的學(xué)術(shù)意義和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。VDMOS器件在核輻照和空間輻照環(huán)境中大量應(yīng)用,對(duì)其輻照效應(yīng)的研究及輻照環(huán)境下的電學(xué)特性研究、建模及應(yīng)用有著重要的意義。本文研究和建立了VDMOS等效電路模型和加入輻照效應(yīng)后的等效電路模型。 首先,基于VDMOS的物理結(jié)構(gòu)和寄生效應(yīng)對(duì)VDMOS電學(xué)性能影響,建立了VDMOS等效電路模型,利用PSpice軟件中的Model Editor程序提取了VDMOS等效電路模型參數(shù)。所建立的模型能夠進(jìn)行直流分析和瞬態(tài)分析,能夠仿真實(shí)際VDMOS器件的電學(xué)特性。并建立VDMOS等效電路子電路模型,可以方便應(yīng)用于電力電子電路CAD設(shè)計(jì)之中,滿足工程應(yīng)用的需要。 其次,對(duì)VDMOS器件的輻照特性進(jìn)行了分析,對(duì)其各類輻照效應(yīng)進(jìn)行了研究,基于總劑量輻照對(duì)MOS器件的電學(xué)參數(shù)的影響,建立VDMOS總劑量輻照等效電路模型,同時(shí)該模型也包含不同劑量率的影響。該電路模型嵌入PSpice中用于模擬VDMOS的輻照特性,并將其應(yīng)用于簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)電源中,研究了VDMOS總劑量輻照效應(yīng)對(duì)整個(gè)電路的影響。本論文研究結(jié)果可以方便地用于輻照環(huán)境下電力電子電路CAD設(shè)計(jì)與應(yīng)用之中,對(duì)其電路的優(yōu)化及抗輻照研究有著重要的意義。 關(guān)鍵詞:VDMOS ;器件建模; 輻照;總劑量輻照模型

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