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硅VDMOS輻照特性研究及應用.rar

  • 資源大小:5054 K
  • 上傳時間: 2023-09-14
  • 上傳用戶:canderile
  • 資源積分:2 下載積分
  • 標      簽: VDMOS

資 源 簡 介

作為功率開關,VDMOS器件以其高開關速度、高耐壓、低導通電阻、寬安全工作區以及很好的熱穩定性等特點,廣泛地應用于開關電源、汽車電子、馬達驅動、節能燈等功率集成電路和功率集成系統中,因此VDMOS在電力電子的應用中占有舉足輕重的作用,對VDMOS器件的物理特性及電學特性研究與建模有著重要的學術意義和實際應用價值。VDMOS器件在核輻照和空間輻照環境中大量應用,對其輻照效應的研究及輻照環境下的電學特性研究、建模及應用有著重要的意義。本文研究和建立了VDMOS等效電路模型和加入輻照效應后的等效電路模型。 首先,基于VDMOS的物理結構和寄生效應對VDMOS電學性能影響,建立了VDMOS等效電路模型,利用PSpice軟件中的Model Editor程序提取了VDMOS等效電路模型參數。所建立的模型能夠進行直流分析和瞬態分析,能夠仿真實際VDMOS器件的電學特性。并建立VDMOS等效電路子電路模型,可以方便應用于電力電子電路CAD設計之中,滿足工程應用的需要。 其次,對VDMOS器件的輻照特性進行了分析,對其各類輻照效應進行了研究,基于總劑量輻照對MOS器件的電學參數的影響,建立VDMOS總劑量輻照等效電路模型,同時該模型也包含不同劑量率的影響。該電路模型嵌入PSpice中用于模擬VDMOS的輻照特性,并將其應用于簡單的開關電源中,研究了VDMOS總劑量輻照效應對整個電路的影響。本論文研究結果可以方便地用于輻照環境下電力電子電路CAD設計與應用之中,對其電路的優化及抗輻照研究有著重要的意義。 關鍵詞:VDMOS ;器件建模; 輻照;總劑量輻照模型

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