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一種配電網(wǎng)拓?fù)涓櫡椒捌鋺?yīng)用

為了滿足實(shí)時(shí)跟蹤的需求，在分析了3種配電網(wǎng)拓?fù)涓櫵惴ǖ幕A(chǔ)上，提出了一種電網(wǎng)全局以母線為節(jié)點(diǎn)遍歷和設(shè)備單元局部更新相結(jié)合的新型實(shí)時(shí)跟蹤算法。為了便于說(shuō)明算法的應(yīng)用，文中還對(duì)電網(wǎng)拓?fù)渥兓透櫵惴ㄟM(jìn)行了闡述。最后在一個(gè)大型鋼鐵企業(yè)的配電網(wǎng)仿真系統(tǒng)中進(jìn)行了實(shí)際的應(yīng)用，該仿真說(shuō)明了該跟蹤算法是有效的。

標(biāo)簽： 配電網(wǎng) 上傳時(shí)間： 2013-11-06

一種高電源抑制比的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)

介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過(guò)采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓擺動(dòng)僅為1.7 mV，在低頻時(shí)達(dá)到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個(gè)電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應(yīng)用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計(jì)中。

標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源

上傳時(shí)間： 2013-10-27

上傳用戶：thesk123

一種單相電路無(wú)功電流實(shí)時(shí)檢測(cè)新方法的研究

一種單相電路無(wú)功電流實(shí)時(shí)檢測(cè)新方法的研究

標(biāo)簽： 單相 電路 無(wú)功電流 實(shí)時(shí)檢測(cè)

上傳時(shí)間： 2013-10-28

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具故障保險(xiǎn)電壓監(jiān)視功能的按鈕ON OFF控制器

電子設(shè)備的 ON/OFF 按鈕給繫統(tǒng)設(shè)計(jì)師帶來(lái)了一組獨(dú)特的挑戰(zhàn)

標(biāo)簽： OFF 保險(xiǎn) 電壓監(jiān)視 按鈕

上傳時(shí)間： 2013-10-13

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一種非常實(shí)用的Boost升壓電路原理詳解

一種非常實(shí)用的Boost升壓電路原理詳解

標(biāo)簽： Boost 升壓 電路原理

上傳時(shí)間： 2013-10-29

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一種平均電流控制型開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)系統(tǒng)的建模

文中對(duì)BUCK型DC_DC變換器進(jìn)行了系統(tǒng)建模。為了得到包含平均電流調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)控制方式的雙環(huán)控制系統(tǒng)的簡(jiǎn)化模型，提出了一種電流環(huán)閉環(huán)傳遞函數(shù)的近似函數(shù)，并分別對(duì)電流控制器，電流補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)和功率級(jí)進(jìn)行了建模，采用Mathcad進(jìn)行仿真，得到系統(tǒng)相位裕度達(dá)到54°的結(jié)果。

標(biāo)簽： 電流控制 開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)系統(tǒng) 建模

上傳時(shí)間： 2014-12-24

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一種無(wú)片外電容LDO的瞬態(tài)增強(qiáng)電路設(shè)計(jì)

利用RC高通電路的思想，針對(duì)LDO提出了一種新的瞬態(tài)增強(qiáng)電路結(jié)構(gòu)。該電路設(shè)計(jì)有效地加快了LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度，而且瞬態(tài)增強(qiáng)電路工作的過(guò)程中，系統(tǒng)的功耗并沒(méi)有增加。此LDO芯片設(shè)計(jì)采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號(hào)工藝。仿真結(jié)果表明：整個(gè)LDO是靜態(tài)電流為3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在電源電壓為1.8 V，輸出電壓為1.3 V的情況下，當(dāng)負(fù)載電流在10 ns內(nèi)由100 mA降到50 mA時(shí)，其建立時(shí)間由原來(lái)的和28 μs減少到8 μs；而在負(fù)載電流為100 mA的條件下，電源電壓在10 ns內(nèi)，由1.8 V跳變到2.3 V時(shí)，輸出電壓的建立時(shí)間由47 μs降低為15 μs。

標(biāo)簽： LDO 無(wú)片外電容 瞬態(tài) 電路設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-12-20

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一種高電源抑制比全工藝角低溫漂CMOS基準(zhǔn)電壓源

基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比，同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過(guò)電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應(yīng)不同工藝下負(fù)溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準(zhǔn)電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時(shí)電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時(shí)（PSRR）達(dá)到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內(nèi)的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達(dá)到5.6×10-6 V/℃以下。

標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準(zhǔn)電壓源

上傳時(shí)間： 2014-12-03

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一種實(shí)驗(yàn)用直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)

在分析直流穩(wěn)壓電源存在問(wèn)題的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)并制作了一種以AT89C51為核心的智能直流穩(wěn)壓電源。該電源采用數(shù)字調(diào)節(jié)和輸出精度高，且兼具完善的保護(hù)功能，成本低，同時(shí)控制系統(tǒng)在軟件上還可以進(jìn)一步改進(jìn)，不需要增加硬件成本，從而提高穩(wěn)壓電源的性價(jià)比。

標(biāo)簽： 實(shí)驗(yàn) 直流穩(wěn)壓電源

上傳時(shí)間： 2013-10-21

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推薦一款日光燈NU501系列恒流驅(qū)動(dòng)IC的應(yīng)用電路方案全集

LED日光燈恒流驅(qū)動(dòng)IC、NU501無(wú)任何外圍電路直接并連 　　LED日光燈第三代真正恒流驅(qū)動(dòng)IC已經(jīng)成功應(yīng)用 　　恒流IC型號(hào)：UN501 　　生產(chǎn)企業(yè)：臺(tái)灣數(shù)能 授權(quán)代理深圳市誠(chéng)信聯(lián)科技有限公司 QQ：2625696849　　業(yè)內(nèi)人員都知道，LED行業(yè)是一項(xiàng)國(guó)家大力支持的朝陽(yáng)行業(yè)，也是國(guó)家提倡的節(jié)能環(huán)保事業(yè)。而在LED行業(yè)內(nèi)，LED日光燈，是大家日常所需要的，市場(chǎng)前景大，需求量大，目前很多做LED行業(yè)的公司都在生產(chǎn)LED日光燈，但目前所用的方案，都很老舊，很多還是只恒壓不恒流的，目前最多的方案都是用電源模塊去實(shí)現(xiàn)LED恒壓恒流，但這種方式容易造成LED燈發(fā)光不均，時(shí)間久了出現(xiàn)燈衰，壽命不長(zhǎng)，其真正的原因是因?yàn)闆](méi)有真正解決LED燈之間真正的恒流。 　　目前臺(tái)灣出現(xiàn)了一顆驅(qū)動(dòng)IC，UN501解決了這個(gè)問(wèn)題，經(jīng)過(guò)二年多的試驗(yàn)，已有很多工廠在批量生產(chǎn)，這次的上海世博會(huì)，就有該產(chǎn)品的應(yīng)用，到時(shí)大家可以去看看。就是用UN501做出來(lái)的LED背光，及節(jié)能LED日光燈照明。

標(biāo)簽： 501 NU 日光燈 IC的

上傳時(shí)間： 2013-11-04

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