與其他的隔離式拓?fù)湎啾龋醇な睫D(zhuǎn)換器因其相對(duì)簡單和成本低而在隔離式 DC/DC 應(yīng)用中得到了廣泛的運(yùn)用。即使如此，設(shè)計(jì)傳統(tǒng)的反激式轉(zhuǎn)換器并非易事，變壓器需要謹(jǐn)慎的設(shè)計(jì)，而且眾所周知的右半平面 (RHP) 零點(diǎn)以及光耦合器的傳播延遲會(huì)使環(huán)路補(bǔ)償復(fù)雜化。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
上傳用戶：ouyang426
電子、電氣產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，必須保證在一定的電磁環(huán)境中能正常工作，既滿足標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的抗干擾極限值要求，在受到一定的電磁干擾時(shí)，無性能降級(jí)或故障；又要滿足標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的電磁輻射極限值的要求，對(duì)電磁環(huán)境不構(gòu)成污染。所以，產(chǎn)品設(shè)計(jì)之初，就要從分析產(chǎn)品預(yù)期的電磁環(huán)境、干擾源、耦合途徑和敏感部件入手，采用相應(yīng)的技術(shù)措施，抑制干擾源、切斷或削弱耦合途徑，增強(qiáng)敏感部件的抗干擾能力等。文中詳細(xì)介紹了一款485通訊隔離產(chǎn)品從輻射超標(biāo)到順利通過FCC CLASS B認(rèn)證，在原理設(shè)計(jì)、PCB制板等多方面所做的各項(xiàng)改進(jìn)措施。文中所提到的方法及規(guī)則，對(duì)產(chǎn)品EMC設(shè)計(jì)具有很大的參考及指導(dǎo)意義。
上傳時(shí)間： 2013-10-24
上傳用戶：sz_hjbf
ADuM320x是采用ADI公司iCoupler® 技術(shù)的雙通道數(shù)字隔離器。這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術(shù)融為一體，具有優(yōu)于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光電二極管，因而不存在一般與光耦合器相關(guān)的設(shè)計(jì)困難。簡單的iCoupler 數(shù)字接口和穩(wěn)定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的電流傳輸比不確定、非線性傳遞函數(shù)以及溫度和使用壽命影響等問題。這些iCoupler 產(chǎn)品不需要外部驅(qū)動(dòng)器和其它分立器件。此外，在信號(hào)數(shù)據(jù)速率相當(dāng)?shù)那闆r下，iCoupler 器件的功耗只有光耦合器的1/10至1/6。 ADuM320x隔離器提供兩個(gè)獨(dú)立的隔離通道，支持多種通道配置和數(shù)據(jù)速率（請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)“訂購指南”部分）。兩款器件均可采用2.7 V至5.5 V電源電壓工作，與低壓系統(tǒng)兼容，并且能夠跨越隔離柵實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換功能。ADuM320x隔離器具有已取得專利的刷新特性，可確保不存在輸入邏輯轉(zhuǎn)換時(shí)及上電/關(guān)斷條件下的直流正確性。 與ADuM120x隔離器相比，ADuM320x隔離器包含多項(xiàng)電路和布局改進(jìn)，系統(tǒng)級(jí)IEC 61000-4-x測(cè)試（ESD、突波和浪涌）顯示其性能大大增強(qiáng)。對(duì)于ADuM120x或ADuM320x產(chǎn)品，這些測(cè)試的精度主要取決于用戶電路板或模塊的設(shè)計(jì)與布局。 應(yīng)用 --尺寸至關(guān)重要的多通道隔離 --SPI 接口/數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器隔離 --RS-232/RS-422/RS-485收發(fā)器隔離 --數(shù)字現(xiàn)場總線隔離 特性： 增強(qiáng)的系統(tǒng)級(jí)ESD保護(hù)性能，符合IEC 61000-4-x標(biāo)準(zhǔn) 工作溫度最高可達(dá)：125℃ 8引腳窄體SOIC封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 技術(shù)指標(biāo)： 高共模瞬變抗擾度：>25 kV/μs 雙向通信 - 3 V/5 V 電平轉(zhuǎn)換 - 高數(shù)據(jù)速率：dc 至 25 Mbps（NRZ）
標(biāo)簽： ADUM 3200 雙通道 數(shù)字隔離器
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：skhlm
ADUM1201: 雙通道數(shù)字隔離器（1/1通道方向性） ADuM120x 是采用ADI公司iCoupler® 技術(shù)的雙通道數(shù)字隔離器。這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術(shù)融為一體，具有優(yōu)于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光電二極管，因而不存在一般與光耦合器相關(guān)的設(shè)計(jì)困難。簡單的iCoupler 數(shù)字接口和穩(wěn)定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的電流傳輸比不確定、非線性傳遞函數(shù)以及溫度和使用壽命影響等問題。這些iCoupler產(chǎn)品不需要外部驅(qū)動(dòng)器和其它。 特性： 8引腳窄體SOIC封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 低功耗工作 雙向通信 3 V/5 V電平轉(zhuǎn)換 工作溫度最高可達(dá)125°C
標(biāo)簽： ADuM 1200 雙通道 數(shù)字隔離器
上傳時(shí)間： 2014-01-17
上傳用戶：hui626493
光敏耦合器
上傳時(shí)間： 2014-01-03
上傳用戶：huanglang
本文提出用級(jí)聯(lián)多電平逆變器取代變壓器多重化結(jié)構(gòu)的STATCOM 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，用載波相移正弦脈寬調(diào)制技術(shù)(Carrier phase-shifted SPWM，以下簡稱CPS-SPWM)取代工頻調(diào)制。這種基于CPS-SPWM 級(jí)聯(lián)多電平逆變器的STATCOM 不僅去掉了多重化變壓器，而且用較低的開關(guān)頻率可以獲得較高的等效開關(guān)頻率的輸出效果，簡化了濾波；針對(duì)電力系統(tǒng)強(qiáng)耦合、非線性的特征，本文提出了將自抗擾控制應(yīng)用于STATCOM 裝置的控制策略，此控制策略不但可以大大縮短動(dòng)態(tài)過程，改善系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能，而且具有較強(qiáng)的魯棒性。
標(biāo)簽： STATCOM 級(jí)聯(lián) 電平逆變器
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶：maqianfeng
研究了MPP電荷耦合器件(CCD)暗電流和暗電流非均勻性的溫度特性,并與非MPP CCD的暗電流和暗電流非均勻性的溫度特性進(jìn)行了對(duì)比分析。研究結(jié)果表明,MPP CCD抑制了表面暗電流,相較于非MPP CCD具有較低的暗電流和暗電流非均勻性,可以承受更高的工作溫度。
上傳時(shí)間： 2013-10-23
上傳用戶：netwolf
設(shè)計(jì)了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對(duì)變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對(duì)變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設(shè)計(jì)方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設(shè)計(jì)變壓器時(shí)面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設(shè)計(jì)的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達(dá)76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。
標(biāo)簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術(shù)
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：ewtrwrtwe
提出了利用新型電力線載波芯片ST7540來構(gòu)成低壓電力線載波通信系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案, 介紹了載波芯片ST7540的工作原理、外圍耦合濾波接口電路以及ST7540與主控制器之間的數(shù)據(jù)通訊設(shè)計(jì)方法。
上傳時(shí)間： 2013-10-30
上傳用戶：acwme
本論文系統(tǒng)研究了系統(tǒng)級(jí)封裝的電源完整性分析，電源分布網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)以及三維混合芯片堆疊引起的近場耦合問題。對(duì)封裝級(jí)PDN結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，寬頻帶、高隔離深度的噪聲隔離抑制技術(shù)以及新型混合芯片三維堆疊屏蔽結(jié)構(gòu)進(jìn)行了重點(diǎn)研究上。
標(biāo)簽： 系統(tǒng)級(jí)封裝 電源完整性 分 電磁干擾
上傳時(shí)間： 2013-11-08
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