基于CSMC的0.5 μmCMOS工藝，設(shè)計(jì)了一個(gè)高增益、低功耗、恒跨導(dǎo)軌到軌CMOS運(yùn)算放大器，采用最大電流選擇電路作為輸入級(jí)，AB類結(jié)構(gòu)作為輸出級(jí)。通過(guò)cadence仿真，其輸入輸出均能達(dá)到軌到軌，整個(gè)電路工作在3 V電源電壓下，靜態(tài)功耗僅為0.206 mW，驅(qū)動(dòng)10pF的容性負(fù)載時(shí)，增益高達(dá)100.4 dB，單位增益帶寬約為4.2 MHz，相位裕度為63°。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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14 位 LTC®2351-14 是一款 1.5Msps、低功率 SAR 型 ADC，具有 6 個(gè)同時(shí)采樣差分輸入通道。它采用單 3V 工作電源，並具有 6 個(gè)獨(dú)立的采樣及保持放大器 (S/HA) 和一個(gè) ADC。
標(biāo)簽： SAR ADC 工業(yè)監(jiān)控 便攜式
上傳時(shí)間： 2013-11-16
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Filter_Solutions_2009中文教程——低通濾波器設(shè)
標(biāo)簽： Filter_Solutions 2009 教程 低通
上傳時(shí)間： 2014-12-23
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汽車類雙路 FET 輸入低失真運(yùn)算放大器
上傳時(shí)間： 2013-10-11
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基于低噪聲放大器（LNA）的噪聲系數(shù)和駐波比之間的矛盾，本文采用安捷倫公司的ATF54143晶體管計(jì)了一款工作于890~960 MHz平衡式低噪聲放大器。該設(shè)計(jì)分為兩部分：3 dB 90°相移定向耦合器和并聯(lián)的低噪聲放大器。本文中首先介紹LNA相關(guān)理論，然后通過(guò)安捷倫公司的ADS仿真軟件進(jìn)行電路仿真，仿真結(jié)果滿足設(shè)計(jì)要求，達(dá)到了低噪聲系數(shù)和良好地駐波比要求。此文也為后面電路的設(shè)計(jì)和調(diào)試提供了理論支持。
標(biāo)簽： 54143 ATF 平衡式 低噪聲放大器
上傳時(shí)間： 2013-11-02
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ADXL345是一款小巧纖薄的低功耗三軸加速度計(jì)，可以對(duì)高達(dá)±16 g的加速度進(jìn)行高分辨率（13位）測(cè)量。數(shù)字輸出數(shù)據(jù)為16位二進(jìn)制補(bǔ)碼格式，可通過(guò)SPI（3線或4線）或者I2C數(shù)字接口訪問(wèn)。
上傳時(shí)間： 2014-12-23
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本電路為寬帶直接變頻發(fā)射機(jī)模擬部分的完整實(shí)施方案（模擬基帶輸入、RF輸出）。通過(guò)使用鎖相環(huán)(PLL)和寬帶集成電壓控制振蕩器(VCO)，本電路支持500 MHz至4.4 GHz范圍內(nèi)的RF頻率。PLL中的LO執(zhí)行諧波濾波，確保提供出色的正交精度。低噪聲LDO確保電源管理方案對(duì)相位噪聲和EVM沒(méi)有不利影響。這種器件組合可以提供500 MHz至4.4 GHz頻率范圍內(nèi)業(yè)界領(lǐng)先的直接變頻發(fā)射機(jī)性能。
標(biāo)簽： EVM 寬帶 發(fā)射機(jī) 直接變頻
上傳時(shí)間： 2013-11-23
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圖1所示電路采用digiPOT+系列數(shù)字電位計(jì)AD5292、雙通道運(yùn)算放大器ADA4091-2和基準(zhǔn)電壓源ADR512，提供一種低成本、高電壓、單極性DAC。該電路提供10位分辨率，輸出電壓范圍為0 V至30 V，能夠提供最高±20 mA的輸出電流。AD5292可以通過(guò)SPI兼容型串行接口編程。
上傳時(shí)間： 2013-11-23
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低噪聲放大器是接收機(jī)中最重要的模塊之一，文中采用了低噪聲、較高關(guān)聯(lián)增益、PHEMT技術(shù)設(shè)計(jì)的ATF-35176晶體管，設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于5.5~6.5 GHz頻段的低噪聲放大器。為了獲得較高的增益，該電路采用三級(jí)級(jí)聯(lián)放大結(jié)構(gòu)形式，并通過(guò)ADS軟件對(duì)電路的增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進(jìn)行了研究設(shè)計(jì)，最終得到LNA在該頻段內(nèi)增益大于32.8 dB，噪聲小于1.5 dB，輸入輸出駐波比小于2，達(dá)到設(shè)計(jì)指標(biāo)。
標(biāo)簽： ADS C波段 低噪聲放大器 仿真設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-15
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利用pHEMT工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)2~4 GHz寬帶微波單片低噪聲放大器電路。本設(shè)計(jì)中采用了具有低噪聲、較高關(guān)聯(lián)增益、pHEMT技術(shù)設(shè)計(jì)的ATF-54143晶體管，電路采用二級(jí)級(jí)聯(lián)放大的結(jié)構(gòu)形式，利用微帶電路實(shí)現(xiàn)輸入輸出和級(jí)間匹配，通過(guò)ADS軟件提供的功能模塊和優(yōu)化環(huán)境對(duì)電路增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進(jìn)行了研究設(shè)計(jì)，最終使得該LNA在2~4 GHz波段內(nèi)增益大于20 dB，噪聲小于1.2 dB，輸出電壓駐波比小于2，達(dá)到了設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求。
標(biāo)簽： GHz 波段 低噪聲放大器 仿真設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-07-03
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