介紹了基于AD549高精度快響應低漂移微電流放大器的工作原理、電路設計和制造工藝、詞試技術,該微電流放大器是核反應堆反應性測量的關鍵部件之一,其低噪聲、快響應與低漂移技術是精確測量反應性重要因數之一。
標簽: 低漂移 微電流放大器
上傳時間: 2013-10-25
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標簽: IzWwR IRTWw JGR 8vQ
上傳時間: 2015-02-22
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b to b 模式 電子商務系統 ,c# 開發 , B/S結構
標簽: to 模式 電子商務系統
上傳時間: 2014-01-20
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一種低噪聲可變增益放大器。文中介紹了以AD603 為核心構成的低噪聲可變增益放大器的實用電路, 通過模式選擇、 引腳編程, 可選擇不同的帶寬, 以及得到不同的增益。通過對增益控制方式的選擇, 可得到最佳的信 噪比。
標簽: 603 低噪聲 可變增益放大器 AD
上傳時間: 2016-10-05
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樣板 B 樹 ( B - tree ) 規則 : (1) 每個節點內元素個數在 [MIN,2*MIN] 之間, 但根節點元素個數為 [1,2*MIN] (2) 節點內元素由小排到大, 元素不重複 (3) 每個節點內的指標個數為元素個數加一 (4) 第 i 個指標所指向的子節點內的所有元素值皆小於父節點的第 i 個元素 (5) B 樹內的所有末端節點深度一樣
標簽: MIN 元素 tree
上傳時間: 2017-05-14
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歐幾里德算法:輾轉求余 原理: gcd(a,b)=gcd(b,a mod b) 當b為0時,兩數的最大公約數即為a getchar()會接受前一個scanf的回車符
標簽: gcd getchar scanf mod
上傳時間: 2014-01-10
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數據結構課程設計 數據結構B+樹 B+ tree Library
標簽: Library tree 數據結構 樹
上傳時間: 2013-12-31
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近年來,以電池作為電源的微電子產品得到廣泛使用,因而迫切要求采用低電源電壓的模擬電路來降低功耗。目前低電壓、低功耗的模擬電路設計技術正成為微電子行業研究的熱點之一。 在模擬集成電路中,運算放大器是最基本的電路,所以設計低電壓、低功耗的運算放大器非常必要。在實現低電壓、低功耗設計的過程中,必須考慮電路的主要性能指標。由于電源電壓的降低會影響電路的性能,所以只實現低壓、低功耗的目標而不實現優良的性能(如高速)是不大妥當的。 論文對國內外的低電壓、低功耗模擬電路的設計方法做了廣泛的調查研究,分析了這些方法的工作原理和各自的優缺點,在吸收這些成果的基礎上設計了一個3.3 V低功耗、高速、軌對軌的CMOS/BiCMOS運算放大器。在設計輸入級時,選擇了兩級直接共源一共柵輸入級結構;為穩定運放輸出共模電壓,設計了共模負反饋電路,并進行了共模回路補償;在偏置電路設計中,電流鏡負載并不采用傳統的標準共源-共柵結構,而是采用適合在低壓工況下的低壓、寬擺幅共源-共柵結構;為了提高效率,在設計時采用了推挽共源極放大器作為輸出級,輸出電壓擺幅基本上達到了軌對軌;并采用帶有調零電阻的密勒補償技術對運放進行頻率補償。 采用標準的上華科技CSMC 0.6μpm CMOS工藝參數,對整個運放電路進行了設計,并通過了HSPICE軟件進行了仿真。結果表明,當接有5 pF負載電容和20 kΩ負載電阻時,所設計的CMOS運放的靜態功耗只有9.6 mW,時延為16.8ns,開環增益、單位增益帶寬和相位裕度分別達到82.78 dB,52.8 MHz和76°,而所設計的BiCMOS運放的靜態功耗達到10.2 mW,時延為12.7 ns,開環增益、單位增益帶寬和相位裕度分別為83.3 dB、75 MHz以及63°,各項技術指標都達到了設計要求。
標簽: CMOSBiCMOS 低壓 低功耗
上傳時間: 2013-06-29
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光電二極管可分為兩類:具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管
標簽: 光電二極管 低躁聲放大器
上傳時間: 2013-11-21
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* 高斯列主元素消去法求解矩陣方程AX=B,其中A是N*N的矩陣,B是N*M矩陣 * 輸入: n----方陣A的行數 * a----矩陣A * m----矩陣B的列數 * b----矩陣B * 輸出: det----矩陣A的行列式值 * a----A消元后的上三角矩陣 * b----矩陣方程的解X
標簽: 矩陣 AX 高斯 元素
上傳時間: 2015-07-26
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