本文主要是基于氮化鋅（GaN）器件射頻功率放大電路的設計，在s波段頻率范圍內，應用CREE公司的氮化稼（GaN）高電子遷移速率品體管（CGH40010和CGH40045）進行的寬帶功率放大電路設計.主要工作有以下幾個方面：首先，設計功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內，對中間級和末級功放晶體管進行穩定性分析并設置其靜態工作點，繼而進行寬帶阻抗匹配電路的設計。本文采用雙分支平衡漸變線拓撲電路結構，使用ADS軟件對其進行仿真優化，設計出滿足指標要求的匹配電路。具體指標如下：通帶寬度為800MHz，在通帶范圍內的增益dB（S（2，1）>）10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB輸出功率壓縮點分別大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，設計功放偏置電源電路。電路要求是負電壓控制正電壓并帶有過流保護功能，借助Orcad模擬電路仿真軟件，設計出滿足要求的電源電路。最后，分別運用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件，繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板，并通過對硬件電路的調試，最終使得整體電路滿足了設計性能的要求。
上傳時間： 2022-06-20
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論文主要工作如下：一是從功率放大器的物理結構上分析了射頻功率放大器非線性特性產生的原因及其對通信系統的影響，討論了功率放大器的非線性分析模型，即冪級數分析模型，Volterra級數分析模型和諧波平衡分析模型，并簡要的說明了它們各自的特點，總結出了諧波平衡分析法的優點，指出它適合用于射頻功率放大器的大信號非線性分析.二是分析了射頻功率放大器偏置和匹配電路設計中的一些基本問題，比較了有源和無源偏置網絡的優缺點，討論了輸入、輸出匹配電路和級間匹配電路設計的重點問題。介紹了負載牽引設計方法，它是在具備功率管大信號模型的基礎上對負載和源進行牽引仿真，從而確定輸出、輸入阻抗。三是在射頻功率放大器的設計過程中，主要使用了ADS軟件進行輔助分析設計.正是通過對軟件功能的充分應用，替代了射頻功半放大器設計中許多原來需要人工進行的運算工作，提高了工作效率。從仿真結果來看，都達到了預期的設計目標，驗證說明了ADS仿真軟件在射頻功率放大電路設計方面的實用性與優越性，具有繼續進行深入研究的價值。
上傳時間： 2022-06-20
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成功的RF設計必須仔細注意整個設計過程中每個步驟及每個細節，這意味著必須在設計開始階段就要進行徹底的，仔細的規劃，并對每個設計步驟的進展進行全面持續的評估，而這種細致的設計技巧正是國內大多數電子企業文化所欠缺的近幾年來，由于藍芽設備、無線局域網絡（WLAN）設備，和行動電話的需求與成長，促使業者越來越關注RF電路設計的技巧。從過去到現在，RF電路板設計如同電磁干擾（EM）問題一樣，一直是工程師們最難掌控的部份，甚至是夢魔。若想要一次就設計成功，必須事先仔細規劃和注重細節才能奏效。射頻（RF）電路板設計由于在理論上還有很多不確定性，因此常被形容為一種L黑色藝術」（black art）。但這只是一種以偏蓋全的觀點，RF電路板設計還是有許多可以遵循的法則。不過，在實際設計時，真正實用的技巧是當這些法則因各種限制而無法實施時，如何對它們進行折衷處理，重要的RF設計課題包括：阻抗和阻抗匹配、絕緣層材料和層迭板、波長和諧波.等，本文將集中探討與RF電路板分區設計有關的各種問題
上傳時間： 2022-06-21
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一、IGBT 驅動1 驅動電壓的選擇IGBT 模塊GE 間驅動電壓可由不同地驅動電路產生。典型的驅動電路如圖1 所示。圖1 IGBT 驅動電路示意圖Q1，Q2 為驅動功率推挽放大，通過光耦隔離后的信號需通過Q1，Q2 推挽放大。選擇Q1，Q2 其耐壓需大于50V 。選擇驅動電路時，需考慮幾個因素。由于IGBT 輸入電容較MOSFET 大，因此IGBT 關斷時，最好加一個負偏電壓，且負偏電壓比MOSFET 大， IGBT 負偏電壓最好在-5V~-10V 之內；開通時，驅動電壓最佳值為15V 10％ ,15V 的驅動電壓足夠使IGBT 處于充分飽和，這時通態壓降也比較低，同時又能有效地限制短路電流值和因此產生的應力。若驅動電壓低于12V ，則IGBT 通態損耗較大， IGBT 處于欠壓驅動狀態；若 VGE >20V ，則難以實現電流的過流、短路保護，影響 IGBT 可靠工作。2 柵極驅動功率的計算由于IGBT 是電壓驅動型器件，需要的驅動功率值比較小，一般情況下可以不考慮驅動功率問題。但對于大功率IGBT ，或要求并聯運行的IGBT 則需要考慮驅動功率。IGBT 柵極驅動功率受到驅動電壓即開通VGE( ON )和關斷 VGE( off ) 電壓，柵極總電荷 QG 和開關 f 的影響。柵極驅動電源的平均功率 PAV 計算公式為：PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f對一般情況 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，則 PAV 簡化為： PAV =25* QG *f。f 為 IGBT 開關頻率。柵極峰值電流 I GP 為：
上傳時間： 2022-06-21
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1前言萊鋼型鋼廠大型生產線傳動系統采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電，變頻器采用公共直流母線式結構；冷床傳輸鏈采用4臺電機單獨傳動，每臺電機分別由獨立的逆變單元控制，逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制，相互之間依靠速度給定的同時性保持同步。自2005年投入生產以來，冷床傳輸鏈運行較為穩定，但2007年2月以后，冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現絕緣柵雙極型晶體管（Insolated Gate Bipolar Transistor，IGBT）損壞現象，具體故障情況統計見表1由表1可知，冷床傳輸鏈4臺逆變器都出現過IGBT損壞的現象，故障代碼是F025和F0272原因分析1）IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實際情況上看，檢查輸出電纜及電機等外部條件沒有問題，并且更換新的IGBT后，系統可以立即正常運行，從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2）IGBT存在過壓。該系統采用公共直流母線控制方式，制動電阻直接掛接于直流母線上，當逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時，制動單元動作，進行能耗制動；此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現IGBT損壞的現象，因此不是由于制動反饋過壓造成IGBT燒壞。3）由于負荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實際運行波形上看，負荷分配相對較為均勻，相互差別僅為2%左右，應該不會造成IGBT損壞。此外，4只逆變單元都出現了IGBT損壞現象，如果是由于負荷分配不均造成，應該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞，因此排除由于負荷分配不均造成IGBT損壞。4）逆變單元容量選擇不合適，裝置容量偏小造成長期過流運行，從而導致IGBT燒毀。逆變單元型號及電機參數：額定功率90kw，額定電流186A，負載電流169 A，短時電流254 A，中間同路額定電流221 A，電源電流205 A，電機功率110kw，電機額定電流205 A，電機正常運行時的電流及轉矩波形如圖1所示。
上傳時間： 2022-06-22
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電磁爐燒壞IGBT 功率管的八種因素在電磁爐維修中，功率管的損壞占有相當大的比例，若在沒有查明故障原因的情況下貿然更換功率管會引起再次燒毀。一：諧振電容和濾波電容損壞0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電容損壞或容量不足若0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電容容量變小、失效或特性不良，將導致電磁爐LC 振蕩電路頻率偏高，從而引起功率管IGBT管損壞，經查其他電路無異常時，我們必須將0.3uF 和5uF 電容一起更換。二：IGBT 管激勵電路異常振蕩電路輸出的脈沖信號不能直接控制IGBT 管飽和、導通與截至，必須通過激勵電路將脈沖信號放大來完成。如果激勵電路出現故障，高電壓就會加到IGBT 管的G 極，導致IGBT 管瞬間擊穿損壞。常見為驅動管S8050、S8550損壞。三：同步電路異常同步電路在電磁爐中的主要是保證加到IGBT G 極上的開關脈沖前沿與IGBT 管上VCE 脈沖后沿同步。當同步電路工作異常時， 導致IGBT管瞬間擊穿損壞。
上傳時間： 2022-06-22
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隨著半導體技術的發展，模數轉換器（Analog to Digital Converter，ADC）作為模擬與數字接口電路的關鍵模塊，對性能的要求越來越高。為了滿足這些要求，模數轉換器正朝著低功耗、高分辨率和高速度方向快速發展。在磁盤驅動器讀取通道、測試設備、纖維光接收器前端和日期通信鏈路等高性能系統中，高速模數轉換器是最重要的結構單元。因此，對模數轉換器的性能，尤其是速度的要求與日俱增，甚至是決定系統性能的關鍵因素。在分析各種結構的高速模數轉換器的基礎上，本文設計了一個分辨率為6位，采樣時鐘為1GS/s的超高速模數轉換器。本設計采用的是最適合應用于超高速A/D轉換器的全并行結構，整個結構是由分壓電阻階梯，電壓比較器，數字編碼電路三部分組成。在電路設計過程中，主要從以下幾個方面進行分析和改進：采用了無采樣/保持電路的全并行結構；在預放大電路中，使用交叉耦合對晶體管作為負載來降低輸入電容和增加放大電路的帶寬，從而提高比較器的比較速度和信噪比；在比較器的輸出端采用時鐘控制的自偏置差分放大器作為輸出緩沖級，使得比較輸出結果能快速轉換為數字電平，以此來提高ADC的轉換速度；在編碼電路上，先將比較器輸出的溫度計碼轉換成格雷碼，再把格雷碼轉換成二進制碼，這樣進一步提高ADC的轉換速度和減少誤碼率。
上傳時間： 2022-06-22
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產品品牌：VINKA/永嘉微電/永嘉微 產品型號：VK1072D 封裝形式：SSOP28 產品年份：新年份 深圳市永嘉微電科技有限公司，原廠直銷，原裝現貨更有優勢！工程服務，技術支持，讓您的生產高枕無憂！QT516 原廠直銷，樣品免費，技術支持，價格優勢。 概述： VK1072D是一個點陣式存儲映射的LCD驅動器，可支持最大72點（18SEGx4COM） 的LCD屏，也支持2COM和3COM的LCD屏。單片機可通過三條通信線配置顯示參數和發送 顯示數據，也可通過指令進入省電模式。 特點： ? 工作電壓 2.4-5.2V ? 內置256 kHz RC振蕩器（上電默認） ? 偏置電壓（BIAS）可配置為1/2、1/3 ? COM周期（DUTY）可配置為1/2、1/3、1/4 ? 內置顯示RAM為18x4位 ? 省電模式（通過關顯示和關振蕩器進入） ? 3線串行接口 ? VLCD腳調節LCD電壓 ? 軟件配置LCD顯示參數 ? 寫命令和寫數據2種命令格式 ? 寫顯示數據地址自動加1 ? VLCD腳提供LCD驅動電壓（<VDD） ? 封裝： SSOP28（150mil）（9.9mm×3.9mm PP=0.635mm）
標簽： 1072D 1072 SSOP LCD 28 VK 計算器 方案 微電 液晶
上傳時間： 2022-06-22
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產品品牌：VINKA/永嘉微電/永嘉微 產品型號：VK1056B/C 封裝形式：SOP24/SSOP24 產品年份：新年份 深圳市永嘉微電科技有限公司，原廠直銷，原裝現貨更有優勢！工程服務，技術支持，讓您的生產高枕無憂！QT545 原廠直銷，樣品免費，技術支持，價格優勢。 概述： VK1056是一個點陣式存儲映射的LCD驅動器，可支持最大56點（14SEGx4COM）的 LCD屏，也支持2COM和3COM的LCD屏。單片機可通過三條通信線配置顯示參數和發送顯 示數據，也可通過指令進入省電模式。 特點： ? 工作電壓 2.4-5.2V ? 內置256 kHz RC振蕩器（上電默認） ? 偏置電壓（BIAS）可配置為1/2、1/3 ? COM周期（DUTY）可配置為1/2、1/3、1/4 ? 內置顯示RAM為14x4位 ? 省電模式（通過關顯示和關振蕩器進入） ? 3線串行接口 ? VLCD腳調節LCD電壓 ? 軟件配置LCD顯示參數 ? 寫命令和寫數據2種命令格式 ? 寫顯示數據地址自動加1 ? VLCD腳提供LCD驅動電壓（<VDD） ? 封裝: SOP24（VK1056B）(300mil) (15.4mm x 7.5mm PP=1.27mm) SSOP24（VK1056C）(208mil) (8.2mm x 5.3mm PP=0.65mm)
標簽： 1056B 1056 LCD VK 方案 微電 液晶 驅動芯片
上傳時間： 2022-06-23
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產品品牌：VINKA/永嘉微電/永嘉微 產品型號：VK1072D 封裝形式：SSOP28 產品年份：新年份 深圳市永嘉微電科技有限公司，原廠直銷，原裝現貨更有優勢！工程服務，技術支持，讓您的生產高枕無憂！QT546 原廠直銷，樣品免費，技術支持，價格優勢。 概述： VK1072D是一個點陣式存儲映射的LCD驅動器，可支持最大72點（18SEGx4COM） 的LCD屏，也支持2COM和3COM的LCD屏。單片機可通過三條通信線配置顯示參數和發送 顯示數據，也可通過指令進入省電模式。 特點： ? 工作電壓 2.4-5.2V ? 內置256 kHz RC振蕩器（上電默認） ? 偏置電壓（BIAS）可配置為1/2、1/3 ? COM周期（DUTY）可配置為1/2、1/3、1/4 ? 內置顯示RAM為18x4位 ? 省電模式（通過關顯示和關振蕩器進入） ? 3線串行接口 ? VLCD腳調節LCD電壓 ? 軟件配置LCD顯示參數 ? 寫命令和寫數據2種命令格式 ? 寫顯示數據地址自動加1 ? VLCD腳提供LCD驅動電壓（<VDD） ? 封裝： SSOP28（150mil）（9.9mm×3.9mm PP=0.635mm）
標簽： 1072D 1072 LCD VK 方案 微電 液晶 驅動芯片
上傳時間： 2022-06-23
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