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誤區(qū)一：認(rèn)為差分信號(hào)不需要地平面作為回流路徑，或者認(rèn)為差分走線彼此為對(duì)方提供回流途徑。造成這種誤區(qū)的原因是被表面現(xiàn)象迷惑，或者對(duì)高速信號(hào)傳輸?shù)臋C(jī)理認(rèn)識(shí)還不夠深入。雖然差分電路對(duì)于類似地彈以及其它可能存在于電源和地平面上的噪音信號(hào)是不敏感的。地平面的部分回流抵消并不代表差分電路就不以參考平面作為信號(hào)返回路徑，其實(shí)在信號(hào)回流分析上，差分走線和普通的單端走線的機(jī)理是一致的，即高頻信號(hào)總是沿著電感最小的回路進(jìn)行回流，最大的區(qū)別在于差分線除了有對(duì)地的耦合之外，還存在相互之間的耦合，哪一種耦合強(qiáng)，那一種就成為主要的回流通路。
上傳時(shí)間： 2014-12-22
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PCB Layout Rule Rev1.70, 規(guī)範(fàn)內(nèi)容如附件所示, 其中分為: (1) ”PCB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)”:為R&D Layout時(shí)必須遵守的事項(xiàng), 否則SMT,DIP,裁板時(shí)無(wú)法生產(chǎn). (2) “錫偷LAYOUT RULE建議規(guī)範(fàn)”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球. (3) “PCB LAYOUT 建議規(guī)範(fàn)”:為製造單位為提高量產(chǎn)良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout. (4) ”零件選用建議規(guī)範(fàn)”: Connector零件在未來(lái)應(yīng)用逐漸廣泛, 又是SMT生產(chǎn)時(shí)是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採(cǎi)購(gòu)在購(gòu)買異形零件時(shí)能顧慮製造的需求, 提高自動(dòng)置件的比例.
標(biāo)簽： LAYOUT PCB 設(shè)計(jì)規(guī)范
上傳時(shí)間： 2013-10-28
上傳用戶：zhtzht
現(xiàn)代的電子設(shè)計(jì)和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品的復(fù)雜度、時(shí)鐘和總線頻率等等都呈快速上升趨勢(shì)，但系統(tǒng)的電壓卻不斷在減小，所有的這一切加上產(chǎn)品投放市場(chǎng)的時(shí)間要求給設(shè)計(jì)師帶來(lái)了前所未有的巨大壓力。要想保證產(chǎn)品的一次性成功就必須能預(yù)見設(shè)計(jì)中可能出現(xiàn)的各種問(wèn)題，并及時(shí)給出合理的解決方案，對(duì)于高速的數(shù)字電路來(lái)說(shuō)，最令人頭大的莫過(guò)于如何確保瞬時(shí)跳變的數(shù)字信號(hào)通過(guò)較長(zhǎng)的一段傳輸線，還能完整地被接收，并保證良好的電磁兼容性，這就是目前頗受關(guān)注的信號(hào)完整性（SI）問(wèn)題。本章就是圍繞信號(hào)完整性的問(wèn)題，讓大家對(duì)高速電路有個(gè)基本的認(rèn)識(shí)，并介紹一些相關(guān)的基本概念。 第一章 高速數(shù)字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來(lái)的問(wèn)題及設(shè)計(jì)流程剖析...............................................................61.3 相關(guān)的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統(tǒng)和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報(bào)方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質(zhì).................................................................................142.3.2 特征阻抗相關(guān)計(jì)算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對(duì)信號(hào)完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報(bào)方程及推導(dǎo).............................................................................182.5 趨膚效應(yīng)和集束效應(yīng).................................................................................232.6 信號(hào)的反射.................................................................................................252.6.1 反射機(jī)理和電報(bào)方程.........................................................................252.6.2 反射導(dǎo)致信號(hào)的失真問(wèn)題.................................................................302.6.2.1 過(guò)沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩：.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負(fù)載的匹配.................................................................................41第三章 串?dāng)_的分析...............................................................................................423.1 串?dāng)_的基本概念.........................................................................................423.2 前向串?dāng)_和后向串?dāng)_.................................................................................433.3 后向串?dāng)_的反射.........................................................................................463.4 后向串?dāng)_的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對(duì)串?dāng)_的影響.................................................................483.6 連接器的串?dāng)_問(wèn)題.....................................................................................513.7 串?dāng)_的具體計(jì)算.........................................................................................543.8 避免串?dāng)_的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產(chǎn)生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號(hào)的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場(chǎng)屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場(chǎng)屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場(chǎng)屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設(shè)計(jì)中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數(shù)和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設(shè)計(jì)抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過(guò)孔對(duì)回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規(guī)則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎(chǔ)...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設(shè)計(jì).............................................................................................855.3 同步開關(guān)噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內(nèi)部開關(guān)噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關(guān)噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應(yīng)用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質(zhì)和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯(lián)特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統(tǒng)時(shí)序.................................................................................................1006.1 普通時(shí)序系統(tǒng)...........................................................................................1006.1.1 時(shí)序參數(shù)的確定...............................................................................1016.1.2 時(shí)序約束條件...................................................................................1066.2 源同步時(shí)序系統(tǒng).......................................................................................1086.2.1 源同步系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)...................................................................1096.2.2 源同步時(shí)序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由來(lái)...................................................................................... 1137.2 IBIS 與SPICE 的比較.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的構(gòu)成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相關(guān)工具及鏈接..............................................................................120第八章 高速設(shè)計(jì)理論在實(shí)際中的運(yùn)用.............................................................1228.1 疊層設(shè)計(jì)方案...........................................................................................1228.2 過(guò)孔對(duì)信號(hào)傳輸?shù)挠绊?..........................................................................1278.3 一般布局規(guī)則...........................................................................................1298.4 接地技術(shù)...................................................................................................1308.5 PCB 走線策略............................................................................................134
標(biāo)簽： 信號(hào)完整性
上傳時(shí)間： 2014-05-15
上傳用戶：dudu1210004
當(dāng)你認(rèn)為你已經(jīng)掌握了PCB 走線的特征阻抗Z0，緊接著一份數(shù)據(jù)手冊(cè)告訴你去設(shè)計(jì)一個(gè)特定的差分阻抗。令事情變得更困難的是，它說(shuō)：“……因?yàn)閮筛呔€之間的耦合可以降低有效阻抗，使用50Ω的設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)得到一個(gè)大約80Ω的差分阻抗！”這的確讓人感到困惑！這篇文章向你展示什么是差分阻抗。除此之外，還討論了為什么是這樣，并且向你展示如何正確地計(jì)算它。 單線：圖1(a)演示了一個(gè)典型的單根走線。其特征阻抗是Z0，其上流經(jīng)的電流為i。沿線任意一點(diǎn)的電壓為V=Z0*i（ 根據(jù)歐姆定律）。一般情況，線對(duì)：圖1(b)演示了一對(duì)走線。線1 具有特征阻抗Z11，與上文中Z0 一致，電流i1。線2具有類似的定義。當(dāng)我們將線2 向線1 靠近時(shí)，線2 上的電流開始以比例常數(shù)k 耦合到線1 上。類似地，線1 的電流i1 開始以同樣的比例常數(shù)耦合到線2 上。每根走線上任意一點(diǎn)的電壓，還是根據(jù)歐姆定律，
標(biāo)簽： 差分阻抗
上傳時(shí)間： 2013-10-20
上傳用戶：lwwhust
PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：pei5
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
隨著通信信道的復(fù)雜度和可靠性不斷增加，人們對(duì)于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高度依賴于高性能、高時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器器 件，而這些器件的性能又非常依賴于系統(tǒng)電源軌的質(zhì)量。當(dāng)使用一個(gè)高噪聲電源供電時(shí)，時(shí)鐘或者轉(zhuǎn)換器 IC 無(wú)法達(dá)到最高性能。僅僅只是少量的電源噪聲，便會(huì)對(duì)性能產(chǎn)生極大的負(fù)面影響。本文將對(duì)一種基本 LDO 拓?fù)溥M(jìn)行仔細(xì)研究，找出其主要噪聲源，并給出最小化其輸出噪聲的一些方法。 表明電源品質(zhì)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)是其噪聲輸出，它常見的參考值為 RMS 噪聲測(cè)量或者頻譜噪聲密度。為了獲得最低 RMS 噪聲或者最佳頻譜噪聲特性，線性電壓穩(wěn)壓器（例如：低壓降電壓穩(wěn)壓器，LDO），始終比開關(guān)式穩(wěn)壓器有優(yōu)勢(shì)。這讓其成為噪聲敏感型應(yīng)用的選擇。 基本 LDO 拓?fù)? 一個(gè)簡(jiǎn)單的線性電壓穩(wěn)壓器包含一個(gè)基本控制環(huán)路，其負(fù)反饋與內(nèi)部參考比較，以提供恒定電壓—與輸入電壓、溫度或者負(fù)載電流的變化或者擾動(dòng)無(wú)關(guān)。 圖 1 顯示了一個(gè) LDO 穩(wěn)壓器的基本結(jié)構(gòu)圖。紅色箭頭表示負(fù)反饋信號(hào)通路。輸出電壓 VOUT 通過(guò)反饋電阻 R1 和 R2 分壓，以提供反饋電壓 VFB。VFB 與誤差放大器負(fù)輸入端的參考電壓 VREF 比較，提供柵極驅(qū)動(dòng)電壓 VGATE。最后，誤差信號(hào)驅(qū)動(dòng)輸出晶體管 NFET，以對(duì) VOUT 進(jìn)行調(diào)節(jié)。 圖 1 LDO 負(fù)反饋環(huán)路 簡(jiǎn)單噪聲分析以圖 2 作為開始。藍(lán)色箭頭表示由常見放大器差異代表的環(huán)路子集（電壓跟隨器或者功率緩沖器）。這種電壓跟隨器電路迫使 VOUT 跟隨 VREF。VFB 為誤差信號(hào)，其參考 VREF。在穩(wěn)定狀態(tài)下，VOUT 大于 VREF，其如方程式 1 所描述：
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：jiwy
N79E8132移動(dòng)電源方案功能介紹 本方案的特色是采用新唐生產(chǎn)的兼容MCS-51核心的N79E8132單片機(jī)，可以在-40度到85度溫度范圍內(nèi)安全工作，具備4K FLASH，4K DATAFLASH，512B RAM，高精度10位ADC，內(nèi)置帶隙電壓可省去外部參考電壓，內(nèi)置22.1184M、11.0592M振蕩器，并具有可分頻的時(shí)鐘供單片機(jī)核心使用，可以根據(jù)性能需要靈活選擇工作時(shí)鐘，提高工作效率，具備外部中斷、按鍵中斷，可以靈活實(shí)現(xiàn)單片機(jī)進(jìn)入掉電模式后的喚醒功能，具備停機(jī)、掉電模式，在產(chǎn)品不使用的時(shí)候進(jìn)入掉電模式，實(shí)現(xiàn)環(huán)保節(jié)能，支持ICE仿真工具，ICP、串口ISP燒寫，開發(fā)硬件成本低。軟件開發(fā)可以使用KEIL C，容易上手。 充電部分采用通用的TP4056，價(jià)格便宜，容易采購(gòu)，可以通過(guò)外部元件靈活配置充電電流。 升壓部分采用日本精工的S8365，工作頻率1.2M，外置MOS，容易實(shí)現(xiàn)大電流，高效率，電感小型化節(jié)省成本。 技術(shù)參數(shù) 1. 輸入： USB 5V/1A ，充電電流可達(dá)500-850mA，可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置 2. 輸出： USB 5V/1A，效率最高可達(dá)到90％以上，可根據(jù)需要提高到2A 3. 電量指示： （可根據(jù)需要自行設(shè)定） 四燈全亮 75%-100% 三個(gè)指示燈亮 50%-75% 兩個(gè)燈亮 25%-55% 一個(gè)指示燈亮 5%-25% 無(wú)指示燈亮 5%以下 4.充電指示： 25%以下 一個(gè)指示燈閃 25%-50% 一個(gè)指示燈亮 第二個(gè)閃 50%--75% 二個(gè)指示燈亮 第三個(gè)閃 75%-99% 三個(gè)指示燈亮 第四個(gè)閃 100% 四個(gè)指示燈長(zhǎng)亮。 5．智能保護(hù)： 低電保護(hù)：電池電壓低于3V時(shí)自動(dòng)關(guān)閉升壓 放電保護(hù)：放電電流大于額定電流自動(dòng)關(guān)閉升壓輸出(1A模式設(shè)置為1.5A保護(hù)) 溫度保護(hù)：檢測(cè)電池溫度，高于55度自動(dòng)關(guān)閉升壓輸出（可選） 低電流關(guān)機(jī)：當(dāng)外部設(shè)備的電流需求小于100mA時(shí)，關(guān)閉升壓輸出以節(jié)省電力。 6．按鍵操作： 短按按鍵，4個(gè)LED顯示剩余電量3～5秒自動(dòng)關(guān)閉 按鍵長(zhǎng)按， LED點(diǎn)亮，閃爍3次后開啟升壓，顯示電量，30秒內(nèi)沒有連接外部設(shè)備自動(dòng)關(guān)機(jī)。 開機(jī)狀態(tài)長(zhǎng)按，點(diǎn)亮照明LED，再長(zhǎng)按熄滅照明LED，照明LED點(diǎn)亮狀態(tài)不會(huì)進(jìn)入自動(dòng)關(guān)機(jī) 帶照明功能。（可選）8．原理圖 9．BOM 序號(hào) 類型 參數(shù) 位號(hào) 封裝 數(shù)量 1 IC N79E8132AS16 U2 SO16 1 2 IC S8365C U4 SOT26 1 3 IC TP4056 U3 SO8M1T 1 4 貼片電阻 0.1R R25 1206 1 5 貼片電阻 1A R28 1812 1 6 貼片電阻 22R R24 0603 1 7 貼片電阻 22R R30 0805 1 8 貼片電阻 100R R3 0805 1 9 貼片電阻 1K R1 R11 R12 R13 R14 0603 5 10 貼片電阻 2.4K R4 0603 1 11 貼片電阻 10K R6 R15 R21 R22 R23 R29 R31 R32 0603 8 12 貼片電阻 43.2KF R46 0603 1 13 貼片電阻 49.9KF R47 R49 0603 2 14 貼片電阻 68KF R27 0603 1 15 貼片電阻 75KF R48 0603 1 16 貼片電阻 100K R2 R16 0603 2 17 貼片電阻 220KF R17 R26 0603 2 18 貼片電阻 1M R5 R7 R18 0603 3 19 貼片電容 47P C1 C7 0603 2 20 貼片電容 103 C4 C8 C9 C13 C14 0603 5 21 貼片電容 104 C2 C5 C11 C16 C17 0603 5 22 貼片電容 226 C3 C6 C10 C12 C15 1206 5 23 貼片電感 3.6UH/3A L1 WBL076 1 24 二極管 1N4148 D1 SOD323 1 25 LED Blue D2 D3 D4 D5 D6 LED 5 26 二極管 SK34 D7 DO214 1 27 MOS 2N7002 Q2 Q5 SOT23 2 28 MOS AO3400 Q3 SOT23 1 29 MOS AO3401 Q4 SOT23 1 30 USB USB J3 USBAFRSMD1 1 31 USB_MINI USB_MINI J4 USBMINIMICRO 1 32 SWPB SWPB S1 SW7X7H 1 10.部件功能說(shuō)明
標(biāo)簽： N79E8132 移動(dòng)電源 方案
上傳時(shí)間： 2013-11-16
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AL-LJ(K)系列零序電流互感器 保定奧蘭電氣科技有限責(zé)任公司生產(chǎn)的AL-LJ(K)系列零序電流互感器經(jīng)電力工業(yè)部電氣設(shè)備質(zhì)量檢測(cè)中心檢測(cè)，質(zhì)量?jī)?yōu)于國(guó)標(biāo)GB1208-1997《電流互感器》，具有精度高，線性度好，運(yùn)行可靠，安裝方便，外型美觀等特點(diǎn)。 零序電流互感器（電纜型）的孔徑范圍為Ф40～Ф360，有各種容量、變比、準(zhǔn)確限值系數(shù)，可與小電流接地選線裝置、繼電器、儀表等配套使用，實(shí)現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)的檢測(cè)和保護(hù)。裝置具有靈敏度高，線性度好等優(yōu)點(diǎn)。產(chǎn)品分整體式和組合式兩類。互感器采用工程塑料外殼、樹脂澆注全密封；外型美觀、安裝方便、節(jié)省安裝空間、規(guī)格品種多，可適用各種保護(hù)裝置和電力系統(tǒng)各種運(yùn)行方式（中性點(diǎn)接地，中性點(diǎn)不接地，大電阻接地，小電阻接地和消弧線圈接地）的需要。 空格：用于小電流接地選線裝置 A：與DD11/60型繼電器配合使用 J：用于微機(jī)型繼電保護(hù) B：與DL11/0.2型繼電器配合使用 保定市奧蘭電氣科技有限責(zé)任公司開發(fā)生產(chǎn)的零序電流互感器是一種套在電纜上的CT，它的一次繞組為穿過(guò)CT內(nèi)孔的三相一次導(dǎo)體電纜，它的一次電流是一次三相電流的向量和（在正常、三相平衡時(shí)為0），當(dāng)發(fā)生一次系統(tǒng)單相接地時(shí)三相平衡關(guān)系被打破，這時(shí)零序電流互感器的二次就有電流輸出，供給保護(hù)裝置，實(shí)現(xiàn)保護(hù)和監(jiān)控。 零序電流互感器的一次絕緣就是電纜自身絕緣，所以這種零序電流互感器可以套在任一電壓等級(jí)的電纜上。
標(biāo)簽： 零序電流互感器
上傳時(shí)間： 2013-10-30
上傳用戶：fengzimili
由熱電偶的測(cè)溫原理可知，熱電偶產(chǎn)生的熱電勢(shì)與熱端（又稱測(cè)量端）、參比端（又稱冷端）的熱電勢(shì)有關(guān)，只有參比端溫度t1 為零或恒定不變，熱電勢(shì)才是熱端溫度的單值函數(shù)（見圖1）。如果不補(bǔ)償?shù)脑挘瑒t熱電偶的參比端溫度與儀表接線端溫度t2間的溫差t1-t2越大，測(cè)量誤差也越大。由于大多數(shù)熱電偶的熱電勢(shì)與溫度的關(guān)系近似線性，所以造成的測(cè)量誤差大致等于上述溫差。以K 分度號(hào)的鎳鉻-鎳硅熱電偶為例，當(dāng)t1=50℃，t2=20℃時(shí)，如熱端溫度為1000℃，則顯示溫度僅969℃，誤差達(dá)31℃。
標(biāo)簽： 補(bǔ)償導(dǎo)線 工作原理
上傳時(shí)間： 2013-10-15
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