isoad系列產(chǎn)品實現(xiàn)傳感器和主機之間的信號安全隔離和高精度數(shù)字采集與傳輸，廣泛應(yīng)用于rs-232/485總線工業(yè)自動化控制系統(tǒng)，4-20ma / 0-10v信號測量、監(jiān)視和控制，小信號的測量以及工業(yè)現(xiàn)場信號隔離及長線傳輸?shù)冗h程監(jiān)控場合。通過軟件的配置，可接入多種傳感器類型，包括電流輸出型、電壓輸出型、以及熱電偶等等。 產(chǎn)品內(nèi)部包括電源隔離，信號隔離、線性化，a/d轉(zhuǎn)換和rs-485串行通信等模塊。每個串口最多可接256只iso ad系列模塊，通訊方式采用ascii 碼字符通訊協(xié)議或modbus rtu通訊協(xié)議，其指令集兼容于adam模塊，波特率可由用戶設(shè)置，能與其他廠家的控制模塊掛在同一rs-485總線上，便于主機編程。 isoad系列產(chǎn)品是基于單片機的智能監(jiān)測和控制系統(tǒng)，所有用戶設(shè)定的校準值，地址，波特率，數(shù)據(jù)格式，校驗和狀態(tài)等配置信息都儲存在非易失性存儲器eeprom里。 isoad系列產(chǎn)品按工業(yè)標準設(shè)計、制造，信號輸入 / 輸出之間隔離，可承受3000vdc隔離電壓，抗干擾能力強，可靠性高。工作溫度范圍- 45℃～+80℃。
標簽： 20 mA D轉(zhuǎn)換 模擬信號
上傳時間： 2013-11-23
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對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對于一個PN結(jié)，耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個區(qū)域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時間： 2013-11-11
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近年來，隨著集成電路工藝技術(shù)的進步，電子系統(tǒng)的構(gòu)成發(fā)生了兩個重要的變化： 一個是數(shù)字信號處理和數(shù)字電路成為系統(tǒng)的核心，一個是整個電子系統(tǒng)可以集成在一個芯片上（稱為片上系統(tǒng))。這些變化改變了模擬電路在電子系統(tǒng)中的作用，并且影響著模擬集成電路的發(fā)展。 數(shù)字電路不僅具有遠遠超過模擬電路的集成規(guī)模，而且具有可編程、靈活、易于附加功能、設(shè)計周期短、對噪聲和制造工藝誤差的抗擾性強等優(yōu)點，因而大多數(shù)復(fù)雜系統(tǒng)以數(shù)字信號處理和數(shù)字電路為核心已成為必然的趨勢。雖然如此，模擬電路仍然是電子系統(tǒng)中非常重要的組成部分。這是因為我們接觸到的外部世界的物理量主要都是模擬量，比如圖像、聲音、壓力、溫度、濕度、重量等，要將它們變換為數(shù)字信號，需要模擬信號處理和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路，如果這些電路性能不夠高，將會影響整個系統(tǒng)的性能。其次，系統(tǒng)中的許多功能不可能或很難用數(shù)字電路完成，如微弱信號放大，很高頻率和寬頻帶信號的實時處理等。因此，雖然模擬電路在系統(tǒng)中不再是核心，但作為固有的模擬世界與數(shù)字系統(tǒng)的接口，其地位和作用仍然十分重要。 片上系統(tǒng)要求將數(shù)字電路和模擬電路集成在一個芯片上，這希望模擬電路使用與數(shù)字電路相同的制造工藝。隨著MOS器件的線寬不斷減小，使MOS器件的性能不斷提高，MOS數(shù)字電路成為數(shù)字集成電路的主流，并因此促進了MOS模擬集成電路的迅速發(fā)展。為了適應(yīng)電子系統(tǒng)功能的不斷擴展和性能的不斷提高，對模擬電路在降低電源電壓、提高工作頻率、擴大線性工作范圍和提高性能指標的精度和穩(wěn)定度等方面提出更高要求，促進了新電路技術(shù)的發(fā)展。 作為研究生課程的教材，本書內(nèi)容是在本科相關(guān)課程基礎(chǔ)上的深化和擴展，同時涉及實際設(shè)計中需要考慮的一些問題，重點介紹具有高工作頻率、低電源電壓和高工作穩(wěn)定性的新電路技術(shù)和在電子系統(tǒng)中占有重要地位的功能電路及其中的新技術(shù)。全書共7章，大致可分為三個部分。第一部分包括第1章和第7章。第1章為MOS模擬集成電路基礎(chǔ)，比較全面地介紹MOS器件的工作原理和特性以及由MOS器件構(gòu)成的基本單元電路，為學(xué)習(xí)本教材其他內(nèi)容提供必要的知識。由于版圖設(shè)計與工藝參數(shù)對模擬集成電路性能的影響很大，因此第7章簡單介紹制造MOS模擬集成電路的CMOS工藝過程和版圖設(shè)計技術(shù)，讀者可以通過對該章所介紹的相關(guān)背景知識的了解，更深入地理解MOS器件和電路的特性，有助于更好地完成模擬集成電路的可實現(xiàn)性設(shè)計。第二部分為新電路技術(shù)，由第2章、第3章和第5章的部分組成，包括近年來逐步獲得廣泛應(yīng)用的電流模電路、抽樣數(shù)據(jù)電路和對數(shù)域電路，它們在提高工作頻率、降低電源電壓、擴大線性工作范圍和提高性能指標的精度和穩(wěn)定度方面具有明顯的潛力，同時它們也引入了一些模擬電路的新概念。這些內(nèi)容有助于讀者開拓提高電路性能方面的思路。第2章介紹電流模電路的工作原理、特點和典型電路。與傳統(tǒng)的以電壓作為信號載體的電路不同，這是一種以電流作為信號載體的電路，雖然在電路中電壓和電流總是共同存在并相互作用的，但由于信號載體不同，不僅電路性能不同而且電路結(jié)構(gòu)也不同。第3章介紹抽樣數(shù)據(jù)電路的特點和開關(guān)電容與開關(guān)電流電路的工作原理、分析方法與典型電路。抽樣數(shù)據(jù)電路類似于數(shù)字電路，處理的是時間離散信號，又類似于模擬電路，處理的是幅度連續(xù)信號，它比模擬電路具有穩(wěn)定準確的時間常數(shù)，解決了模擬電路實際應(yīng)用中的一大障礙。對數(shù)域電路在第5章中結(jié)合其在濾波器中的應(yīng)用介紹，這類電路除具有良好的電性能外，還提出了一種利用器件的非線性特性實現(xiàn)線性電路的新思路。第三部分介紹幾個模擬電路的功能模塊，它們是電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分，并且與信號和信號處理聯(lián)系密切，有助于在信號和電路間形成整體觀念。這部分包括第4章至第6章。第4章介紹數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路的技術(shù)指標和高精度與高速度轉(zhuǎn)換電路的構(gòu)成、工作原理、特點和典型電路。第5章介紹模擬集成濾波器的設(shè)計方法和主要類型，包括連續(xù)時間濾波器、對數(shù)域濾波器和抽樣數(shù)據(jù)濾波器。第6章介紹通信系統(tǒng)中的收發(fā)器與射頻前端電路，包括收信器、發(fā)信器的技術(shù)指標、結(jié)構(gòu)和典型電路。因為載波通信系統(tǒng)傳輸?shù)氖悄M信號，射頻前端電路的性能對整個通信系統(tǒng)有直接的影響，所以射頻集成電路已成為重要的研究課題。 〖〗高等模擬集成電路〖〗〖〗前言〖〗〖〗本書是在為研究生開設(shè)的“高等模擬集成電路”課程講義的基礎(chǔ)上整理而成，由董在望主編，第1、4、7章由李冬梅編寫，第6章由王志華編寫，第5章由李永明和董在望編寫，第2、3章由董在望編寫，李國林參加了部分章節(jié)的校核工作。 本書可作為信息與通信工程和電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科相關(guān)課程的研究生教材或教學(xué)參考書，也可作為本科教學(xué)參考書或選修課教材和供相關(guān)專業(yè)的工程技術(shù)人員參考。 清華大學(xué)出版社多位編輯為本書的出版做了卓有成效的工作，深致謝意。 限于編者水平，難免有錯誤和疏漏之處，歡迎批評指正。 目錄 1.1MOS器件基礎(chǔ)及器件模型 1.1.1結(jié)構(gòu)及工作原理 1.1.2襯底調(diào)制效應(yīng) 1.1.3小信號模型 1.1.4亞閾區(qū)效應(yīng) 1.1.5短溝效應(yīng) 1.1.6SPICE模型 1.2基本放大電路 1.2.1共源(CS)放大電路 1.2.2共漏(CD)放大電路 1.2.3共柵(CG)放大電路 1.2.4共源共柵(CSCG)放大電路 1.2.5差分放大電路 1.3電流源電路 1.3.1二極管連接的MOS器件 1.3.2基本鏡像電流源 1.3.3威爾遜電流源 1.3.4共源共柵電流源 1.3.5有源負載放大電路 1.4運算放大器 1.4.1運算放大器的主要參數(shù) 1.4.2單級運算放大器 1.4.3兩級運算放大器 1.4.4共模反饋(CMFB) 1.4.5運算放大器的頻率補償 1.5模擬開關(guān) 1.5.1導(dǎo)通電阻 1.5.2電荷注入與時鐘饋通 1.6帶隙基準電壓源 1.6.1工作原理 1.6.2與CMOS工藝兼容的帶隙基準電壓源 思考題 2電流模電路 2.1概述 2.1.1電流模電路的概念 2.1.2電流模電路的特點 2.2基本電流模電路 2.2.1電流鏡電路 2.2.2電流放大器 2.2.3電流模積分器 2.3電流模功能電路 2.3.1跨導(dǎo)線性電路 2.3.2電流傳輸器 2.4從電壓模電路變換到電流模電路 2.5電流模電路中的非理想效應(yīng) 2.5.1MOSFET之間的失配 2.5.2寄生電容對頻率特性的影響 思考題 3抽樣數(shù)據(jù)電路 3.1開關(guān)電容電路和開關(guān)電流電路的基本分析方法 3.1.1開關(guān)電容電路的時域分析 3.1.2開關(guān)電流電路的時域分析 3.1.3抽樣數(shù)據(jù)電路的頻域分析 3.2開關(guān)電容電路 3.2.1開關(guān)電容單元電路 3.2.2開關(guān)電容電路的特點 3.2.3非理想因素的影響 3.3開關(guān)電流電路 3.3.1開關(guān)電流單元電路 3.3.2開關(guān)電流電路的特點 3.3.3非理想因素的影響 思考題 4A/D轉(zhuǎn)換器與D/A轉(zhuǎn)換器 4.1概述 4.1.1電子系統(tǒng)中的A/D與D/A轉(zhuǎn)換 4.1.2A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的基本原理 4.1.3A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的性能指標 4.1.4A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的分類 4.1.5A/D與D/A轉(zhuǎn)換器中常用的數(shù)碼類型 4.2高速A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.1全并行結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.2兩步結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.3插值與折疊結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.4流水線結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.5交織結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.3高精度A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.1逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.2雙斜率積分型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.3過采樣ΣΔA/D轉(zhuǎn)換器 4.4D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.1電阻型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.2電流型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.3電容型D/A轉(zhuǎn)換器 思考題 5集成濾波器 5.1引言 5.1.1濾波器的數(shù)學(xué)描述 5.1.2濾波器的頻率特性 5.1.3濾波器設(shè)計的逼近方法 5.2連續(xù)時間濾波器 5.2.1連續(xù)時間濾波器的設(shè)計方法 5.2.2跨導(dǎo)電容（GmC）連續(xù)時間濾波器 5.2.3連續(xù)時間濾波器的片上自動調(diào)節(jié)電路 5.3對數(shù)域濾波器 5.3.1對數(shù)域電路概念及其特點 5.3.2對數(shù)域電路基本單元 5.3.3對數(shù)域濾波器 5.4抽樣數(shù)據(jù)濾波器 5.4.1設(shè)計方法 5.4.2SZ域映射 5.4.3開關(guān)電容電路轉(zhuǎn)換為開關(guān)電流電路的方法 思考題 6收發(fā)器與射頻前端電路 6.1通信系統(tǒng)中的射頻收發(fā)器 6.2集成收信器 6.2.1外差式接收與鏡像信號 6.2.2復(fù)數(shù)信號處理 6.2.3收信器前端結(jié)構(gòu) 6.3集成發(fā)信器 6.3.1上變換器 6.3.2發(fā)信器結(jié)構(gòu) 6.4收發(fā)器的技術(shù)指標 6.4.1噪聲性能 6.4.2靈敏度 6.4.3失真特性與線性度 6.4.4動態(tài)范圍 6.5射頻電路設(shè)計 6.5.1晶體管模型與參數(shù) 6.5.2噪聲 6.5.3集成無源器件 6.5.4低噪聲放大器 6.5.5混頻器 6.5.6頻率綜合器 6.5.7功率放大器 思考題 7CMOS集成電路制造工藝及版圖設(shè)計 7.1集成電路制造工藝簡介 7.1.1單晶生長與襯底制備 7.1.2光刻 7.1.3氧化 7.1.4擴散及離子注入 7.1.5化學(xué)氣相淀積（CVD） 7.1.6接觸與互連 7.2CMOS工藝流程與集成電路中的元件 7.2.1硅柵CMOS工藝流程 7.2.2CMOS集成電路中的無源元件 7.2.3CMOS集成電路中的寄生效應(yīng) 7.3版圖設(shè)計 7.3.1硅柵CMOS集成電路的版圖構(gòu)成 7.3.2版圖設(shè)計規(guī)則 7.3.3CMOS版圖設(shè)計技術(shù) 思考題
標簽： 模擬集成電路
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：chengxin
越柬越多的應(yīng)用 例如過程控制、稱重等 都需要高分辨率、高集成度和低價格的ADC。 新型Σ ．△轉(zhuǎn)換技術(shù)恰好可以滿足這些要求 然而， 很多設(shè)計者對于這種轉(zhuǎn)換技術(shù)并不 分了解， 因而更愿意選用傳統(tǒng)的逐次比較ADC Σ．A轉(zhuǎn)換器中的模擬部分非常簡單(類似j 個Ibit ADC)， 而數(shù)字部分要復(fù)雜得多， 按照功能町劃分為數(shù)字濾波和抽取單元 由于更接近r 個數(shù)字器件，Σ △ADC的制造成本非常低廉.
標簽： ADC
上傳時間： 2013-10-24
上傳用戶：han_zh
介紹了基于AD549高精度快響應(yīng)低漂移微電流放大器的工作原理、電路設(shè)計和制造工藝、詞試技術(shù)，該微電流放大器是核反應(yīng)堆反應(yīng)性測量的關(guān)鍵部件之一，其低噪聲、快響應(yīng)與低漂移技術(shù)是精確測量反應(yīng)性重要因數(shù)之一。
上傳時間： 2013-10-25
上傳用戶：boyaboy
德州儀器（Texas Instruments），簡稱TI，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，為現(xiàn)實世界的信號處理提供創(chuàng)新的數(shù)字信號處理(DSP)及模擬器件技術(shù)。除半導(dǎo)體業(yè)務(wù)外，還提供包括傳感與控制、教育產(chǎn)品和數(shù)字光源處理解決方案。TI總部位于美國得克薩斯州的達拉斯，并在25多個國家設(shè)有制造、設(shè)計或銷售機構(gòu)。
上傳時間： 2014-05-26
上傳用戶：zhangliming420
2010年4月13日， 專業(yè)設(shè)計和制造固態(tài)高功率寬帶放大器的MILMEGA公司于2010年亞太區(qū)電磁兼容(APEMC)國際學(xué)術(shù)大會及展覽會期間宣布推出一款新的放大器產(chǎn)品。該款產(chǎn)品主要針對商用EMC測試IEC 61000-4-3 標準(覆蓋頻率范圍為80 MHz～1 GHz)。MILMEGA的這一新產(chǎn)品將給EMC測試領(lǐng)域帶來革命性的突破。
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：米米陽123
鋁電解電容器：詳細介紹原理，應(yīng)用，使用技巧 電容器(capacitor)在音響組件中被廣泛運用，濾波、反交連、高頻補償、直流回授...隨處可見。但若依功能及制造材料、制造方法細分，那可不是一朝一夕能說得明白。所以縮小范圍，本文只談電解電容，而且只談電源平滑濾波用的鋁質(zhì)電解電容。 每臺音響機器都要吃電源─除了被動式前級，既然需要供電，那就少不了「濾波」這個動作。不要和我爭，采用電池供電當然無必要電源平滑濾波。但電池充電電路也有整流及濾波，故濾波電容器還是會存在。 我們現(xiàn)在習(xí)用的濾波電容，正式的名稱應(yīng)是：鋁箔干式電解電容器。就我的觀察，除加拿大Sonic Frontiers真空管前級，曾在高壓穩(wěn)壓線路中選用PP塑料電容做濾波外，其它機種一概都是采用鋁箔干式電解電容；因此網(wǎng)友有必要對它多做了解。 面對電源穩(wěn)壓線路中擔(dān)任電源平滑濾波的電容器，你首先想到的會是什幺？─容量？耐壓？電容器的封裝外皮上一定有容量標示，那是指靜電容量；也一定有耐壓標示，那是指工作電壓或額定電壓。 工作電壓(working voltage)簡稱WV，為絕對安全值；若是surge voltage(簡稱SV或Vs)，就是涌浪電壓或崩潰電壓;，超過這個電壓值就保證此電容會被浪淹死─小心電容會爆！根據(jù)國際IEC 384-4規(guī)定，低于315V時，Vs=1.15×Vr，高于315V時，Vs=1.1×Vr。Vs是涌浪電壓，Vr是額定電壓(rated voltage)。
上傳時間： 2013-12-23
上傳用戶：gundan
由于電磁兼容的迫切要求，電磁干擾(EMI)抑制元件獲得了廣泛的應(yīng)用。然而實際應(yīng)用中的電磁兼容問題十分復(fù)雜，單單依靠理論知識是完全不夠的，它更依賴于廣大電子工程師的實際經(jīng)驗。為了更好地解決電子產(chǎn)品的電磁兼容性這一問題，還要考慮接地、 電路與PCB板設(shè)計、電纜設(shè)計、屏蔽設(shè)計等問題[1][2]。本文通過介紹磁珠的基本原理和特性來說明它在開關(guān)電源電磁兼容設(shè)計中的重要性與應(yīng)用，以期為設(shè)計者在設(shè)計新產(chǎn)品時提供必要的參考。 2 磁珠及其工作原理 磁珠的主要原料為鐵氧體，鐵氧體是一種立方晶格結(jié)構(gòu)的亞鐵磁性材料，鐵氧體材料為鐵鎂合金或鐵鎳合金，它的制造工藝和機械性能與陶瓷相似，顏色為灰黑色。電磁干擾濾波器中經(jīng)常使用的一類磁芯就是鐵氧體材料，許多廠商都提供專門用于電磁干擾抑制的鐵氧體材料。這種材料的特點是高頻損耗非常大，具有很高的導(dǎo)磁率，它可以使電感的線圈繞組之間在高頻高阻的情況下產(chǎn)生的電容最小。鐵氧體材料通常應(yīng)用于高頻情況，因為在低頻時它們主要呈現(xiàn)電感特性，使得損耗很小。在高頻情況下，它們主要呈現(xiàn)電抗特性并且隨頻率改變。實際應(yīng)用中，鐵氧體材料是作為射頻電路的高 頻衰減器使用的。實際上，鐵氧體可以較好的等效于電阻以及電感的并聯(lián)，低頻下電阻被電感短路，高頻下電感阻抗變得相當高，以至于電流全部通過電阻。鐵氧體是一個消耗裝置，高頻能量在上面轉(zhuǎn)化為熱能，這是由它的電阻特性決定的。 對于抑制電磁干擾用的鐵氧體，最重要的性能參數(shù)為磁導(dǎo)率和飽和磁通密度。磁導(dǎo)率可以表示為復(fù)數(shù)，實數(shù)部分構(gòu)成電感，虛數(shù)部分代表損耗，隨著頻率的增加而增加。因此它的等效電路為由電感L和電阻R組成的串聯(lián)電路，如圖1所示，電感L和電阻R都是頻率的函數(shù)。當導(dǎo)線穿過這種鐵氧體磁芯時，所構(gòu)成的電感阻抗在形式上是隨著頻率的升高而增加，但是在不同頻率時其機理是完全不同的。
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上傳時間： 2013-11-19
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模擬集成電路的設(shè)計與其說是一門技術(shù)，還不如說是一門藝術(shù)。它比數(shù)字集成電路設(shè)計需要更嚴格的分析和更豐富的直覺。嚴謹堅實的理論無疑是嚴格分析能力的基石，而設(shè)計者的實踐經(jīng)驗無疑是誕生豐富直覺的源泉。這也正足初學(xué)者對學(xué)習(xí)模擬集成電路設(shè)計感到困惑并難以駕馭的根本原因。.美國加州大學(xué)洛杉機分校(UCLA)Razavi教授憑借著他在美國多所著名大學(xué)執(zhí)教多年的豐富教學(xué)經(jīng)驗和在世界知名頂級公司(AT&T，Bell Lab，HP)卓著的研究經(jīng)歷為我們提供了這本優(yōu)秀的教材。本書自2000午出版以來得到了國內(nèi)外讀者的好評和青睞，被許多國際知名大學(xué)選為教科書。同時，由于原著者在世界知名頂級公司的豐富研究經(jīng)歷，使本書也非常適合作為CMOS模擬集成電路設(shè)計或相關(guān)領(lǐng)域的研究人員和工程技術(shù)人員的參考書。... 本書介紹模擬CMOS集成電路的分析與設(shè)計。從直觀和嚴密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念，同時還闡述了在SOC中模擬電路設(shè)計遇到的新問題及電路技術(shù)的新發(fā)展。本書由淺入深，理論與實際結(jié)合，提供了大量現(xiàn)代工業(yè)中的設(shè)計實例。全書共18章。前10章介紹各種基本模塊和運放及其頻率響應(yīng)和噪聲。第11章至第13章介紹帶隙基準、開關(guān)電容電路以及電路的非線性和失配的影響，第14、15章介紹振蕩器和鎖相環(huán)。第16章至18章介紹MOS器件的高階效應(yīng)及其模型、CMOS制造工藝和混合信號電路的版圖與封裝。 1 Introduction to Analog Design 2 Basic MOS Device Physics 3 Single-Stage Amplifiers 4 Differential Amplifiers 5 Passive and Active Current Mirrors 6 Frequency Response of Amplifiers 7 Noise 8 Feedback 9 Operational Amplifiers 10 Stability and Frequency Compensation 11 Bandgap References 12 Introduction to Switched-Capacitor Circuits 13 Nonlinearity and Mismatch 14 Oscillators 15 Phase-Locked Loops 16 Short-Channel Effects and Device Models 17 CMOS Processing Technology 18 Layout and Packaging
上傳時間： 2014-12-23
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