【人郵出版社,2004,楊克俊編著】 本書系統(tǒng)介紹電磁兼容技術(shù)的基本知識、概念,以及國內(nèi)、外電磁兼容技術(shù)標準,著重從工程實踐角度闡述電磁兼容技術(shù)的原理、應(yīng)用方法及應(yīng)注意事項。全書共分10章,內(nèi)容包括:屏蔽技術(shù)、濾波技術(shù)、接地技術(shù)、線路板設(shè)計、電纜設(shè)計、瞬態(tài)干擾抑制、電磁干擾診斷與解決技術(shù)以及在無線電通信系統(tǒng)和計算機系統(tǒng)中的EMC技術(shù)。 第9章 無線電通信系統(tǒng)中的電磁兼容技術(shù)
標簽: 電磁兼容 設(shè)計技術(shù)
上傳時間: 2013-04-24
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【人郵出版社,2004,楊克俊編著】 本書系統(tǒng)介紹電磁兼容技術(shù)的基本知識、概念,以及國內(nèi)、外電磁兼容技術(shù)標準,著重從工程實踐角度闡述電磁兼容技術(shù)的原理、應(yīng)用方法及應(yīng)注意事項。全書共分10章,內(nèi)容包括:屏蔽技術(shù)、濾波技術(shù)、接地技術(shù)、線路板設(shè)計、電纜設(shè)計、瞬態(tài)干擾抑制、電磁干擾診斷與解決技術(shù)以及在無線電通信系統(tǒng)和計算機系統(tǒng)中的EMC技術(shù)。 第10章 計算機系統(tǒng)中的電磁兼容技術(shù) 附錄A-F
標簽: 電磁兼容 設(shè)計技術(shù)
上傳時間: 2013-07-23
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·內(nèi)容簡介本書由淺入深、全面系統(tǒng)地介紹了DSP芯片的基本原理、開發(fā)和應(yīng)用。首先介紹了目前廣泛應(yīng)用的DSP芯片的基本結(jié)構(gòu)和特征,以及定點和浮點DSP處理中的一些關(guān)鍵問題;其次介紹了目前應(yīng)用最廣的TI DSP芯片中的TMS320C5000系列及其硬件結(jié)構(gòu)、匯編指令和尋址方式;然后介紹了基于C和匯編語言的開發(fā)方法、芯片的開發(fā)工具及使用,重點介紹了CCS集成開發(fā)環(huán)境:較為詳細地介紹了DSP系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計方
上傳時間: 2013-04-24
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對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu), Rdson與BV存在矛盾關(guān)系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson增大。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對于COOLMOS,這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū),大大提高了BV,同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū),就能大大提高耐壓呢? 對于常規(guī)VDMOS,反向耐壓,主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié),對于一個PN結(jié),耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受,耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴展的寬度的面積,也就是下圖中的淺綠色部分,就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS,P body濃度要大于N EPI, PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴散,所以此結(jié)構(gòu)下,P body區(qū)域一側(cè),耗盡區(qū)擴展很小,基本對承壓沒有多大貢獻,承壓主要是P body--N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域,這個區(qū)域的電場強度是逐漸變化的,越是靠近PN結(jié)面(a圖的A結(jié)),電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時間: 2013-11-11
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PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:單、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點),其原則如下:1. 一般測試點大小均為30-35mil,元件分布較密時,測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上,避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設(shè)置處:Setuppadsstacks
上傳時間: 2013-10-22
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在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計師當中,使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時,必須在功率器件中實現(xiàn)高效率 (低功率損耗),以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要
標簽: 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器
上傳時間: 2014-12-01
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設(shè)計時需要過一款簡單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ?圖一顯示的就是這樣一款電路,基本上是一個可控矽整流器(SCR),結(jié)合了一些離散組件,只需低成本的元件便可以提供電源故障保護。
上傳時間: 2013-11-11
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三、PID調(diào)節(jié)器各校正環(huán)節(jié)的作用 1、比例環(huán)節(jié):即時成比例地反應(yīng)控制系統(tǒng)的偏差信號e(t),偏差一旦產(chǎn)生,調(diào)節(jié)器立即產(chǎn)生控制作用以減小偏差。 2、積分環(huán)節(jié):主要用于消除靜差,提高系統(tǒng)的無差度。積分作用的強弱取決于積分時間常數(shù)TI,TI越大,積分作用越弱,反之則越強。 3、微分環(huán)節(jié):能反應(yīng)偏差信號的變化趨勢(變化速率),并能在偏差信號的值變得太大之前,在系統(tǒng)中引入一個有效的早期修正信號,從而加快系統(tǒng)的動作速度,減小調(diào)節(jié)時間。
上傳時間: 2013-10-19
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主要介紹開關(guān)電源的原理、設(shè)計
上傳時間: 2013-11-04
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內(nèi)容提要: PIC系列微控器系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和工作原理 PIC系列微制器的指令系統(tǒng) PIC系列微控器匯編言程序設(shè)計等。 PIC系列單片機原理和程序設(shè)計》 pdf 竇振中 北京航空航天大學(xué)出版社 本書介紹當前在十分繁榮的單片機世界中異軍突起的一種單片機——Microchip公司的PIC系列單片機。這個系列單片機具有以下體現(xiàn)微控制器工業(yè)發(fā)展新趨勢的特點:高速度、低工作電壓、低功耗、I/O口直接驅(qū)動LED能力、低價位、小體積、指令簡單易學(xué)易用等。內(nèi)容包括:該系列主要芯片的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和工作原理;片內(nèi)各種豐富的部件和資源的使用方法;全系列芯片的指令系統(tǒng)和匯編語言程序設(shè)計技術(shù)及實例;提供了常用的運算子程序。本書內(nèi)容全面而實用,語言邏輯性強,通俗流暢,易學(xué)易懂,適于作廣大從事單片機開發(fā)與應(yīng)用的工程技術(shù)人員的自學(xué)用書和大學(xué)相關(guān)專業(yè)研究生、本科、專科、中專各種單片機應(yīng)用畢業(yè)設(shè)計的參考用書以及培訓(xùn)班的教材。
上傳時間: 2014-12-25
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