有源分立器件的封裝密度越來越高，功能部分占總體積比例接近1。•CSP, DirectFET, LFPack…–有源部分占整個(gè)變流器的體積比例越來越小。–單純的有源部分進(jìn)行封裝對(duì)于提高
標(biāo)簽： DCDC 封裝技術(shù) 變換器 集成
上傳時(shí)間： 2013-06-10
上傳用戶：qazwsc
基于目前航空電子設(shè)備離散量輸入/輸出電路實(shí)現(xiàn)復(fù)雜，分立器件多，高低溫下參數(shù)不一致等現(xiàn)象，通過對(duì)比分析典型離散量電路，提出了一種簡單、高可靠性的離散量信號(hào)電路設(shè)計(jì)，同時(shí)由于典型離散量輸出電路故障率較高，提出了一種離散量輸出信號(hào)的過流保護(hù)電路設(shè)計(jì)思路，采用電路仿真軟件Multisim進(jìn)行了功能仿真、容差分析，在實(shí)際工程應(yīng)用中各項(xiàng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明，該電路滿足實(shí)際使用要求，具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。
標(biāo)簽： 離散量信號(hào) 電路
上傳時(shí)間： 2014-01-18
上傳用戶：kz_zank
能實(shí)現(xiàn)VCO 功能的電路很多，常用的有分立器件構(gòu)成的振蕩器和集成壓控振蕩器。如串聯(lián)諧振電容三點(diǎn)式電路、壓控晶體振蕩器，積分-施密特電路、射級(jí)耦合多諧振蕩器、變?nèi)荻O管調(diào)諧LC 振蕩器和數(shù)字門電路等幾種。它們之間各有優(yōu)缺點(diǎn)，下面做簡要分析，并選擇最合適的方案。
上傳時(shí)間： 2013-11-06
上傳用戶：tdyoung
ADuM320x是采用ADI公司iCoupler® 技術(shù)的雙通道數(shù)字隔離器。這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術(shù)融為一體，具有優(yōu)于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光電二極管，因而不存在一般與光耦合器相關(guān)的設(shè)計(jì)困難。簡單的iCoupler 數(shù)字接口和穩(wěn)定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的電流傳輸比不確定、非線性傳遞函數(shù)以及溫度和使用壽命影響等問題。這些iCoupler 產(chǎn)品不需要外部驅(qū)動(dòng)器和其它分立器件。此外，在信號(hào)數(shù)據(jù)速率相當(dāng)?shù)那闆r下，iCoupler 器件的功耗只有光耦合器的1/10至1/6。 ADuM320x隔離器提供兩個(gè)獨(dú)立的隔離通道，支持多種通道配置和數(shù)據(jù)速率（請參考數(shù)據(jù)手冊“訂購指南”部分）。兩款器件均可采用2.7 V至5.5 V電源電壓工作，與低壓系統(tǒng)兼容，并且能夠跨越隔離柵實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換功能。ADuM320x隔離器具有已取得專利的刷新特性，可確保不存在輸入邏輯轉(zhuǎn)換時(shí)及上電/關(guān)斷條件下的直流正確性。 與ADuM120x隔離器相比，ADuM320x隔離器包含多項(xiàng)電路和布局改進(jìn)，系統(tǒng)級(jí)IEC 61000-4-x測試（ESD、突波和浪涌）顯示其性能大大增強(qiáng)。對(duì)于ADuM120x或ADuM320x產(chǎn)品，這些測試的精度主要取決于用戶電路板或模塊的設(shè)計(jì)與布局。 應(yīng)用 --尺寸至關(guān)重要的多通道隔離 --SPI 接口/數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器隔離 --RS-232/RS-422/RS-485收發(fā)器隔離 --數(shù)字現(xiàn)場總線隔離 特性： 增強(qiáng)的系統(tǒng)級(jí)ESD保護(hù)性能，符合IEC 61000-4-x標(biāo)準(zhǔn) 工作溫度最高可達(dá)：125℃ 8引腳窄體SOIC封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 技術(shù)指標(biāo)： 高共模瞬變抗擾度：>25 kV/μs 雙向通信 - 3 V/5 V 電平轉(zhuǎn)換 - 高數(shù)據(jù)速率：dc 至 25 Mbps（NRZ）
標(biāo)簽： ADUM 3200 雙通道 數(shù)字隔離器
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：skhlm
linux 中斷和設(shè)備驅(qū)動(dòng) 本章介紹L i n u x內(nèi)核是如何維護(hù)它支持的文件系統(tǒng)中的文件的，我們先介紹 V F S ( Vi r t u a lFile System，虛擬文件系統(tǒng))，再解釋一下L i n u x內(nèi)核的真實(shí)文件系統(tǒng)是如何得到支持的。L i n u x的一個(gè)最重要特點(diǎn)就是它支持許多不同的文件系統(tǒng)。這使 L i n u x非常靈活，能夠與許多其他的操作系統(tǒng)共存。在寫這本書的時(shí)候， L i n u x共支持1 5種文件系統(tǒng)： e x t、 e x t 2、x i a、 m i n i x、 u m s d o s、 msdos 、v f a t、 p r o c、 s m b、 n c p、 i s o 9 6 6 0、 s y s v、 h p f s、 a ffs 和u f s。無疑隨著時(shí)間的推移，L i n u x支持的文件系統(tǒng)數(shù)還會(huì)增加。
標(biāo)簽： linux 中斷 設(shè)備驅(qū)動(dòng)
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶：zxh122
關(guān)鍵詞 I/O 口擴(kuò)展芯片、I2C、SMBus摘要CAT9554A 是一款將I2C/SMBus 接口擴(kuò)展成8 位并行輸入/輸出I/O 口的器件
上傳時(shí)間： 2013-12-27
上傳用戶：txfyddz
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計(jì)目標(biāo)：當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時(shí)，8片分立器件不焊接；當(dāng)使用直接貼片分立內(nèi)存顆粒時(shí)，SODIMM內(nèi)存條不安裝。請問專家：1、在設(shè)計(jì)中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管腳約束文件是否還可更改？若能更改，則必須要滿足什么條件下更改？生成的約束文件中，ADDR，data之間是否能調(diào)換？ 2、對(duì)DDR2數(shù)據(jù)、地址和控制線路的匹配要注意些什么？通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進(jìn)行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進(jìn)行匹配，哪種匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut時(shí)，DDR2線路阻抗單端為50歐，差分為100歐？Hyperlynx仿真時(shí)，那些參數(shù)必須要達(dá)到那些指標(biāo)DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內(nèi)存條，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低頻率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片內(nèi)存顆粒，則物理上兩部分是連在一起的，若實(shí)際使用時(shí)，只安裝內(nèi)存條或只安裝8片內(nèi)存顆粒，是否會(huì)造成信號(hào)完成性的影響？若有影響，如何控制？ 6、SODIMM內(nèi)存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時(shí)使用，構(gòu)成一個(gè)(max:8GB)的DDR2單元？若能，則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制線的TOP圖應(yīng)該怎樣？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的參考電壓0.9V的實(shí)際工作電流有多大？工作時(shí)候，DDR2芯片是否很燙，一般如何考慮散熱？ 8、由于多層板疊層的問題，可能頂層和中間層的銅箔不一樣后，中間的夾層后度不一樣時(shí)，也可能造成阻抗的不同。請教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進(jìn)疊層？
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：han_zh
當(dāng)許多編程人員從事這項(xiàng)工作但又不使用源代碼管理工具時(shí)，源代碼管理幾乎不可能進(jìn)行。Visual SourceSafe是Visual Basic的企業(yè)版配備的一個(gè)工具，不過這個(gè)工具目的是為了保留一個(gè)內(nèi)部應(yīng)用版本，不向公眾發(fā)布（應(yīng)當(dāng)說明的是，M i c r o s o f t并沒有開發(fā)Visual SourceSafe，它是M i c r o s o f t公司買來的） 。雖然Visual SourceSafe有幫助文本可供參考，但該程序的一般運(yùn)行情況和在生產(chǎn)環(huán)境中安裝 Visual SourceSafe的進(jìn)程都沒有詳細(xì)的文字說明。另外，Visual SourceSafe像大多數(shù)M i c r o s o f t應(yīng)用程序那樣經(jīng)過了很好的修飾，它包含的許多功能特征和物理特征都不符合 Microsoft Wi n d o w s應(yīng)用程序的標(biāo)準(zhǔn)。例如，Visual SourceSafe的三個(gè)組件之一（Visual SourceSafe Administrator）甚至連F i l e菜單都沒有。另外，許多程序的菜單項(xiàng)不是放在最合適的菜單上。在程序開發(fā)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)Visual SourceSafe時(shí)存在的復(fù)雜性，加上它的非標(biāo)準(zhǔn)化外觀和文檔資料的不充分，使得許多人無法實(shí)現(xiàn)和使用 Visual SourceSafe。許多人甚至沒有試用 Vi s u a l S o u r c e S a f e的勇氣。我知道許多高水平技術(shù)人員無法啟動(dòng)Visual SourceSafe并使之運(yùn)行，其中有一位是管理控制系統(tǒng)項(xiàng)目師。盡管如此，Visual SourceSafe仍然不失為一個(gè)很好的工具，如果你花點(diǎn)時(shí)間將它安裝在你的小組工作環(huán)境中，你一定會(huì)為此而感到非常高興。在本章中我并不是為你提供一些指導(dǎo)原則來幫助你創(chuàng)建更好的代碼，我的目的是告訴你如何使用工具來大幅度減少管理大型項(xiàng)目和開發(fā)小組所需的資源量，這個(gè)工具能夠很容易處理在沒有某種集成式解決方案情況下幾乎無法處理的各種問題。
上傳時(shí)間： 2013-10-24
上傳用戶：lgd57115700
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計(jì)目標(biāo)：當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時(shí)，8片分立器件不焊接；當(dāng)使用直接貼片分立內(nèi)存顆粒時(shí)，SODIMM內(nèi)存條不安裝。請問專家：1、在設(shè)計(jì)中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管腳約束文件是否還可更改？若能更改，則必須要滿足什么條件下更改？生成的約束文件中，ADDR，data之間是否能調(diào)換？ 2、對(duì)DDR2數(shù)據(jù)、地址和控制線路的匹配要注意些什么？通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進(jìn)行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進(jìn)行匹配，哪種匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut時(shí)，DDR2線路阻抗單端為50歐，差分為100歐？Hyperlynx仿真時(shí)，那些參數(shù)必須要達(dá)到那些指標(biāo)DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內(nèi)存條，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低頻率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片內(nèi)存顆粒，則物理上兩部分是連在一起的，若實(shí)際使用時(shí)，只安裝內(nèi)存條或只安裝8片內(nèi)存顆粒，是否會(huì)造成信號(hào)完成性的影響？若有影響，如何控制？ 6、SODIMM內(nèi)存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時(shí)使用，構(gòu)成一個(gè)(max:8GB)的DDR2單元？若能，則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制線的TOP圖應(yīng)該怎樣？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的參考電壓0.9V的實(shí)際工作電流有多大？工作時(shí)候，DDR2芯片是否很燙，一般如何考慮散熱？ 8、由于多層板疊層的問題，可能頂層和中間層的銅箔不一樣后，中間的夾層后度不一樣時(shí)，也可能造成阻抗的不同。請教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進(jìn)疊層？
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：jjq719719
消費(fèi)電子產(chǎn)品，如手機(jī)、PDA（個(gè)人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機(jī)以及便攜式娛樂系統(tǒng)，正在變得更小、更快和更便宜，而且這類新產(chǎn)品的面市時(shí)間也比以往更短了。為了與時(shí)俱進(jìn)，半導(dǎo)體、無源和有源器件行業(yè)正不斷推動(dòng)其研發(fā)工藝向集成度和復(fù)雜度更高的水平進(jìn)步。這種在更小的空間內(nèi)集成更多電路技術(shù)的進(jìn)步，實(shí)現(xiàn)了在系統(tǒng)芯片(SoC)上集成模擬、數(shù)字甚至射頻電路。類似地，分立器件制造商也在單一芯片上集成了多個(gè)部件，從而實(shí)現(xiàn)更高的電路密度。
上傳時(shí)間： 2013-11-19
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