CCD（ Charge Coupled Device ）全稱(chēng)為電荷耦合器件，是70 年代發(fā)展起來(lái)的新型半導(dǎo)體器件。它是在MOS集成電路技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，為半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用開(kāi)拓了新的領(lǐng)域。它具有光電轉(zhuǎn)換、信息存貯和傳輸?shù)裙δ埽哂屑啥雀摺⒐男 ⒔Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、壽命長(zhǎng)、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，故在固體圖像傳感器、信息存貯和處理等方面得到了廣泛的應(yīng)用。CCD圖像傳感器能實(shí)現(xiàn)信息的獲取、轉(zhuǎn)換和視覺(jué)功能的擴(kuò)展，能給出直觀、真實(shí)、多層次的內(nèi)容豐富的可視圖像信息，被廣泛應(yīng)用于軍事、天文、醫(yī)療、廣播、電視、傳真通信以及工業(yè)檢測(cè)和自動(dòng)控制系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)室用的數(shù)碼相機(jī)、光學(xué)多道分析器等儀器，都用了CCD作圖象探測(cè)元件。一個(gè)完整的CCD器件由光敏單元、轉(zhuǎn)移柵、移位寄存器及一些輔助輸入、輸出電路組成。CCD工作時(shí)，在設(shè)定的積分時(shí)間內(nèi)由光敏單元對(duì)光信號(hào)進(jìn)行取樣，將光的強(qiáng)弱轉(zhuǎn)換為各光敏單元的電荷多少。取樣結(jié)束后各光敏元電荷由轉(zhuǎn)移柵轉(zhuǎn)移到移位寄存器的相應(yīng)單元中。移位寄存器在驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘的作用下，將信號(hào)電荷順次轉(zhuǎn)移到輸出端。將輸出信號(hào)接到示波器、圖象顯示器或其它信號(hào)存儲(chǔ)、處理設(shè)備中，就可對(duì)信號(hào)再現(xiàn)或進(jìn)行存儲(chǔ)處理。由于CCD光敏元可做得很小（約10um），所以它的圖象分辨率很高。
上傳時(shí)間： 2022-06-23
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數(shù)學(xué)分析對(duì)于數(shù)學(xué)專(zhuān)業(yè)的學(xué)生是邁進(jìn)大學(xué)大門(mén)后，需要修的第一門(mén)課，也是最基礎(chǔ)最重要的一門(mén)課程。但對(duì)于非數(shù)學(xué)專(zhuān)業(yè)的朋友們是個(gè)陌生的概念，如果身邊有人問(wèn)我數(shù)學(xué)分析學(xué)什么？我會(huì)毫不猶豫地告訴他們就是微積分，那么似乎所有人都會(huì)接著提一個(gè)問(wèn)題：那和我們學(xué)的微積分有什么差異？為什么我們學(xué)一學(xué)期你們要學(xué)一年半到兩年啊？囧……這個(gè)問(wèn)題就不容易回答了，于是我只能應(yīng)付說(shuō)學(xué)得細(xì)了，但其實(shí)并非僅僅如此。對(duì)這個(gè)問(wèn)題我在學(xué)習(xí)數(shù)學(xué)分析的過(guò)程中是不能說(shuō)清楚的，正因?yàn)槿绱耍鹣葘W(xué)分析完全是亂學(xué)，沒(méi)有重點(diǎn)沒(méi)有次序的模仿，其結(jié)果就是感覺(jué)自己學(xué)到的東西好比是一條細(xì)線(xiàn)拴著好多個(gè)大秤癥，只要有一點(diǎn)斷開(kāi)，整個(gè)知識(shí)系統(tǒng)頓時(shí)傾覆。我也一直在思考這個(gè)問(wèn)題，但直到在北師大跟著王昆揚(yáng)老師學(xué)了一學(xué)期實(shí)變函數(shù)論之后，我才意識(shí)到數(shù)分與高數(shù)真正的區(qū)別在于何處。先從微積分說(shuō)起，在國(guó)內(nèi)微積分這門(mén)課程大致是供文科、經(jīng)濟(jì)類(lèi)學(xué)生選修的，其知識(shí)結(jié)構(gòu)非常清晰，主要內(nèi)容就是要說(shuō)清兩件事：第一件介紹兩種運(yùn)算，求導(dǎo)與求不定積分，并且說(shuō)明它們互為逆運(yùn)算。第二件介紹基礎(chǔ)的微分學(xué)和積分學(xué)，并且給出它們之間的聯(lián)系—Newton-Leibniz公式。這里需要強(qiáng)調(diào)的是，求不定積分作為求導(dǎo)數(shù)的逆運(yùn)算屬于微分學(xué)而不屬于積分學(xué)，真正屬于積分學(xué)的是Riemann定積分。不定積分與定積分雖然在字面上只差一字，但從數(shù)學(xué)定義來(lái)看卻有本質(zhì)的區(qū)別，不定積分是找一個(gè)函數(shù)的原函數(shù)，而Riemann定積分則是求Riemann和的極限，事實(shí)上它們之間毫無(wú)關(guān)系，既存在著沒(méi)有原函數(shù)但Riemann可積的函數(shù)，也存在著有原函數(shù)但Riemann不可積的函數(shù)。但無(wú)論如何Newton-Leibniz 公式好比一座橋梁溝通了不定積分（微分學(xué)）和定積分（積分學(xué)），這也是Newton-Leibniz公式被稱(chēng)為微積分基本定理的原因。因此我們可以看出，微積分的核心內(nèi)容就是學(xué)習(xí)兩種新運(yùn)算，了解兩樣新概念，熟悉一條基本定理而已。
標(biāo)簽： 微積分 高等數(shù)學(xué)
上傳時(shí)間： 2022-06-24
上傳用戶(hù)：xsr1983
電容濾波電路單相橋式電容濾波整流電路。在負(fù)載電阻上并聯(lián)了一個(gè)濾波電容C。（1）濾波原理若電路處于正半周，二極管D1、D，導(dǎo)通，變壓器次端電壓v，給電容器C充電。此時(shí)C相當(dāng)于并聯(lián)在v以上，所以輸出波形同v，，是正弦形。在剛過(guò)90°時(shí)，正弦曲線(xiàn)下降的速率很慢。所以剛過(guò)90°時(shí)二極管仍然導(dǎo)通。在超過(guò)90°后的某個(gè)點(diǎn)，正弦曲線(xiàn)下降的速率越來(lái)越快，二極管關(guān)斷。所以，在到，時(shí)刻，二極管導(dǎo)電，C充電，ye=x1按正弦規(guī)律變化；t2到t，時(shí)刻二極管關(guān)斷，y。=x1按指數(shù)曲線(xiàn)下降，放電時(shí)間常數(shù)為RL.C。
標(biāo)簽： 整流電路
上傳時(shí)間： 2022-06-25
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當(dāng)山>0時(shí)，必然使集成運(yùn)放的輸出uo<0，從而導(dǎo)致二極管D2導(dǎo)通，D1截止，電路實(shí)現(xiàn)反相比例運(yùn)算，輸出電壓當(dāng)u<0時(shí)，必然使集成運(yùn)放的輸出uo>0，從而導(dǎo)致二極管D1導(dǎo)通D2截止，R+中電流為零，因此輸出電壓uo=0。u和uo的波形如圖（b）所小如果設(shè)二極管的導(dǎo)通電壓為0.7V，集成運(yùn)放的開(kāi)環(huán)差模放大倍數(shù)為50萬(wàn)倍，那么為使二極管D1導(dǎo)通，集成運(yùn)放的凈輸入電壓0.7v=014×10-=145×10同理可估算出為使D2導(dǎo)通集成運(yùn)放所需的凈輸入電壓，也是同數(shù)量級(jí)。可見(jiàn)，只要輸入電壓u使集成運(yùn)放的凈輸入電壓產(chǎn)生非常微小的變化，就可以改變D1和D2工作狀態(tài)，從而達(dá)到精密整流的目的在半波精密整流電路中，當(dāng)u>0時(shí)，U=Ku（K>0），當(dāng)u<0時(shí)，U=0若利用反相求和電路將-Ku與山負(fù)半周波形相加，就可實(shí)現(xiàn)全波整流。分析由A所組成的反相求和運(yùn)算電路可知，輸出電壓當(dāng)u>0時(shí)，U=2u，u∞=-（-2u+u）=u；當(dāng)u<0時(shí)，uo=0、想想？）uc-u；所以故此圖也稱(chēng)為絕對(duì)值電路。當(dāng)輸入電壓為正弦波和三角波時(shí)，電路輸出波形分別如圖所示。
標(biāo)簽： 精密整流電路
上傳時(shí)間： 2022-06-26
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整流二極管和穩(wěn)壓二極管的參數(shù)及選擇原則電子愛(ài)好者經(jīng)常要用二極管。二極管具有單向?qū)щ娦裕?主要用于整流、穩(wěn)壓和混頻等電路中。本文介紹整流二極管和穩(wěn)壓二極管的參數(shù)及選擇原則。(一)整流二極管的主要參數(shù)1.IF— 最大平均整流電流。指二極管長(zhǎng)期工作時(shí)允許通過(guò)的最大正向平均電流。該電流由PN 結(jié)的結(jié)面積和散熱條件決定。使用時(shí)應(yīng)注意通過(guò)二極管的平均電流不能大于此值， 并要滿(mǎn)足散熱條件。例如1N4000 系列二極管的IF 為1A。2.VR — 最大反向工作電壓。指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值， 則反向電流(IR)劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模?從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB) 的一半作為(VR)。例如1N4001 的VR 為50V，1N4007 的VR 為1OOOV.3.IR— 反向電流。指二極管未擊穿時(shí)反向電流值。溫度對(duì)IR 的影響很大。例如1N4000 系列二極管在100°C 條件IR 應(yīng)小于500uA; 在25°C 時(shí)IR 應(yīng)小于5uA 。4.VR — 擊穿電壓。指二極管反向伏安特性曲線(xiàn)急劇彎曲點(diǎn)的電壓值。反向?yàn)檐浱匦詴r(shí)， 則指給定反向漏電流條件下的電壓值。
標(biāo)簽： 整流二極管 穩(wěn)壓二極管
上傳時(shí)間： 2022-06-26
上傳用戶(hù)：xsr1983
NO1.室內(nèi)表貼全彩LED單元板系列：P50.125/點(diǎn)）P60.126/點(diǎn)），P7.62（0.136點(diǎn)），P100.156/點(diǎn)），P4（0.155/點(diǎn)），P3（0.185/點(diǎn)）；NO2.戶(hù)外插燈全彩LED單元板系列：P10戶(hù)外全彩（82元/張）P16靜態(tài)戶(hù)外全彩（110元/張）；NO3.室內(nèi)點(diǎn)陣單雙色LED模組系列：F3.75單色（61），F(xiàn)3.75雙色（95）；F5.0單色（95），F(xiàn)5.0雙色（148）N04，半戶(hù)外/室外P10單色LED系列：半戶(hù)外P10紅（35）白（46）黃（42）綠（47）藍(lán)（48）紫（65）全戶(hù)外P10紅（44）白（55）黃（51）綠（56）藍(lán)（57）紫（74）NO5，雙色顯示屏LED單元板系列：P10紅綠雙色（90），P16紅綠雙色（45）.P10紅藍(lán)雙色（110），P16紅藍(lán)雙色（55）；NO6.門(mén)頭全彩LED單元板系列：P20半戶(hù)外門(mén)頭全彩58 P20戶(hù)外門(mén)頭全彩68P16半戶(hù)外門(mén)頭全彩：75 P16戶(hù)外門(mén)頭全彩：85
上傳時(shí)間： 2022-06-26
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自從超聲科技問(wèn)世以來(lái)，其發(fā)展日新月異，應(yīng)用日益廣泛，已經(jīng)取得了良好的社會(huì)效益和經(jīng)濟(jì)效益。但是作為一門(mén)綜合性極強(qiáng)的交叉學(xué)科，超聲學(xué)研究與應(yīng)用均起步較晚，技術(shù)狀況已遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿(mǎn)足我國(guó)經(jīng)濟(jì)事業(yè)多領(lǐng)域的需求，廣闊的市場(chǎng)前景促使我們加大研究力度。本文首先介紹了功率超聲波技術(shù)的原理和發(fā)展趨勢(shì)，然后詳細(xì)分析了超聲波設(shè)備的組成、關(guān)鍵技術(shù)以及設(shè)計(jì)難點(diǎn)，并采用三種不同的控制方案設(shè)計(jì)、制作了超聲波發(fā)生器，分別應(yīng)用在超聲波清洗機(jī)和焊接機(jī)中。主電路使用集MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)于一身的IGBT作為開(kāi)關(guān)管，構(gòu)成半橋逆變電路。通過(guò)分析超聲波換能器的阻抗特性，比較換能器工作在串聯(lián)諧振頻率和并聯(lián)諧振頻率的優(yōu)劣，介紹了幾種匹配方式的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了匹配電路。控制電路中分別采用了鎖相方式、掃頻控制方式以及模糊自適應(yīng)控制方式實(shí)現(xiàn)了對(duì)超聲負(fù)載的自動(dòng)頻率跟蹤，并且功能完善，配備了軟啟動(dòng)、死區(qū)調(diào)節(jié)、限流、過(guò)流、驅(qū)動(dòng)自保護(hù)和過(guò)熱保護(hù)，有力的保障了系統(tǒng)長(zhǎng)時(shí)間工作的穩(wěn)定性和可靠性。最后通過(guò)實(shí)驗(yàn)，證明了設(shè)計(jì)的方案可靠，適應(yīng)性強(qiáng)，樣機(jī)不僅具有頻率自適應(yīng)功能，而且能夠功率自適應(yīng)，具有良好的推廣應(yīng)用意義。關(guān)鍵詞：超聲波發(fā)生器、阻抗特性、匹配電路、鎖相環(huán)、掃頻控制、模糊自適應(yīng)
標(biāo)簽： 超聲波發(fā)生器
上傳時(shí)間： 2022-06-29
上傳用戶(hù)：wangshoupeng199
摘 要：該文提出了一種新型雙聲道音頻Σ - Δ數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)小面積插值濾波器設(shè)計(jì)方法。該方法采用左右兩個(gè)聲道復(fù)用一個(gè)插值濾波器的新型結(jié)構(gòu)，并利用存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)第1 級(jí)半帶濾波器，從而降低芯片的實(shí)現(xiàn)面積。提出重新排序方法，保證復(fù)用后兩個(gè)聲道的同步。設(shè)計(jì)在TSMC 0.18 μm 1.8 V/3.3 V 1P5M CMOS 工藝上實(shí)現(xiàn)，測(cè)試信噪比為106 dB，數(shù)字部分芯片的面積僅為0.198 mm2，功耗為0.65 mW。這種設(shè)計(jì)方法降低了Σ - Δ DAC系統(tǒng)中數(shù)字部分的面積和功耗，給模擬部分留有較大的設(shè)計(jì)裕量，這對(duì)模數(shù)混合系統(tǒng)的設(shè)計(jì)具有重要的意義。
標(biāo)簽： 插值濾波器
上傳時(shí)間： 2022-07-04
上傳用戶(hù)：kent
前段時(shí)間有博友問(wèn)到在IAR環(huán)境下隱藏原始代碼開(kāi)放功能性接口的方法，其實(shí)就是庫(kù)（Library）的概念了，算是一種半開(kāi)源的方式吧，估計(jì)應(yīng)該是公司里常用到一種開(kāi)發(fā)模式吧，不同分工團(tuán)隊(duì)部門(mén)之間最后的整合都是通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的接口來(lái)實(shí)現(xiàn)（當(dāng)然限于大公司了，不是那種一個(gè)人負(fù)責(zé)一個(gè)完整項(xiàng)目的小公司），也就是一個(gè)分工團(tuán)隊(duì)接觸不到另一個(gè)團(tuán)隊(duì)的核心代碼，這種模式一定程度上避免了完整產(chǎn)品設(shè)計(jì)技術(shù)的外泄，不過(guò)每個(gè)團(tuán)隊(duì)的人掌握的技術(shù)也就有所局限了，于個(gè)人水平的提升不利，當(dāng)然如果你做的足夠?qū)＞土懋?dāng)別論了，呵呵，總之自己馬上要找工作了，也在大公司和小公司之間矛盾的徘徊，哎~前奏啰嗦了一些東西，明天就帶隊(duì)去參加智能車(chē)比賽了，今天臨走前更新一篇也算是對(duì)那位博友有個(gè)交代，希望有所幫助，哈哈，不多廢話(huà)了，下面進(jìn)入正題（分為生成庫(kù)文件和調(diào)用庫(kù)文件兩部分）：
標(biāo)簽： msp430 庫(kù)函數(shù)
上傳時(shí)間： 2022-07-04
上傳用戶(hù)：XuVshu
由于來(lái)自電路的EMI噪聲發(fā)射、傳導(dǎo)和輻射的過(guò)程十分復(fù)雜，因此抑制這種EM噪聲非常困難。為了提高靜噪效率，必須全面考察采取靜噪措施的位置和方法。在本手冊(cè)的前半部分，我們將通過(guò)引用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)闡述電路發(fā)射EMI噪聲的原理以及EM噪聲通過(guò)電路傳導(dǎo)和輻射的原理。同時(shí)，我們還將闡述抑制EMI噪聲的方法。在本手冊(cè)的后半部分，將講述使用EM靜噪濾波器采取靜噪措施的注意事項(xiàng)，并給出EM靜噪濾波器在典型電路中的應(yīng)用示例。我們衷心希望您在考慮靜噪措施時(shí)參考本手冊(cè)。由于發(fā)生EMI噪聲問(wèn)題的電路中使用很多IC，使得EMI噪聲發(fā)射過(guò)程變得非常復(fù)雜。為了能夠?qū)MI噪聲現(xiàn)象說(shuō)明得簡(jiǎn)單清楚，本章將通過(guò)使用2、3個(gè)C的實(shí)驗(yàn)電路示例來(lái)描述電路發(fā)射EM噪聲的過(guò)程。
上傳時(shí)間： 2022-07-06
上傳用戶(hù)：XuVshu
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