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半橋

  • 基于51的紅外線傳輸物理層

    實現了物理層的透明,傳輸任意比特的數據,在發送和接收中提供了服務函數,可以用來實現半雙工或者單工通信

    標簽: 紅外線 傳輸 物理層

    上傳時間: 2016-06-25

    上傳用戶:jiuxiaxixi

  • cubase5漢化包

    是一個穩定的半漢化包,足夠大家使用了。全程漢化并不能做到面面俱到。

    標簽: cubase5 漢化包

    上傳時間: 2017-05-10

    上傳用戶:lyz0410

  • sourcelisight3.5

    中文漢化版,顳部包含搞定SourceInsight的半個漢字的問題,直接解壓就能用

    標簽: sourcelisight3

    上傳時間: 2017-07-07

    上傳用戶:八分青年

  • stl源碼剖析前半本

    STL源碼剖析-侯捷.pdf 

    標簽: stl 源碼

    上傳時間: 2017-11-07

    上傳用戶:seesoj

  • 開關電源設計參考資料

    開關電源設計實例指南,OCP電路,反激式、正激式、推挽式、半橋式、全橋式開關電源的優點與缺點,

    標簽: 開關電源設計 參考資料

    上傳時間: 2018-04-03

    上傳用戶:yuwei664

  • 微小衛星編隊仿真平臺設計

    一種驗證衛星編隊算法的半物理仿真系統設計

    標簽: 小衛星 仿真 平臺設計

    上傳時間: 2018-07-17

    上傳用戶:w827870485

  • 輔導班地方擺放代表

    飛不到反對北方大部分的發生的不少地方不放松的爆發式的步伐三點半

    標簽: 發送到不服輸的吧

    上傳時間: 2019-03-02

    上傳用戶:qhb1023

  • 半監督學習論文

    周志華Co-forest論文,是2007年發表的

    標簽: 半監督 論文

    上傳時間: 2019-07-02

    上傳用戶:Alice2008273

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程的演進,元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發展出所謂 Salicide 製程

    標簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

  • ESD_Technology

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程 的演進,元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現一些 可靠度的問題。

    標簽: ESD_Technology

    上傳時間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

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