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基于51的紅外線傳輸物理層

實現(xiàn)了物理層的透明，傳輸任意比特的數(shù)據(jù)，在發(fā)送和接收中提供了服務(wù)函數(shù)，可以用來實現(xiàn)半雙工或者單工通信

標(biāo)簽： 紅外線 傳輸 物理層

上傳時間： 2016-06-25

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cubase5漢化包

是一個穩(wěn)定的半漢化包，足夠大家使用了。全程漢化并不能做到面面俱到。

標(biāo)簽： cubase5 漢化包

上傳時間： 2017-05-10

上傳用戶：lyz0410

sourcelisight3.5

中文漢化版，顳部包含搞定SourceInsight的半個漢字的問題，直接解壓就能用

標(biāo)簽： sourcelisight3

上傳時間： 2017-07-07

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stl源碼剖析前半本

STL源碼剖析-侯捷.pdf 

標(biāo)簽： stl 源碼

上傳時間： 2017-11-07

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開關(guān)電源設(shè)計參考資料

開關(guān)電源設(shè)計實例指南，OCP電路，反激式、正激式、推挽式、半橋式、全橋式開關(guān)電源的優(yōu)點與缺點，

標(biāo)簽： 開關(guān)電源設(shè)計 參考資料

上傳時間： 2018-04-03

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微小衛(wèi)星編隊仿真平臺設(shè)計

一種驗證衛(wèi)星編隊算法的半物理仿真系統(tǒng)設(shè)計

標(biāo)簽： 小衛(wèi)星 仿真 平臺設(shè)計

上傳時間： 2018-07-17

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輔導(dǎo)班地方擺放代表

飛不到反對北方大部分的發(fā)生的不少地方不放松的爆發(fā)式的步伐三點半

標(biāo)簽： 上傳時間： 2019-03-02

半監(jiān)督學(xué)習(xí)論文

周志華Co-forest論文，是2007年發(fā)表的

標(biāo)簽： 半監(jiān)督 論文

上傳時間： 2019-07-02

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ESD Protection in CMOS ICs

在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in

上傳時間： 2020-06-05

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ESD_Technology

在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程 的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些 可靠度的問題。

標(biāo)簽： ESD_Technology

上傳時間： 2020-06-05

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