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半監(jiān)督

  • 基于CPLD-FPGA的半整數分頻器的設計

    基于CPLD-FPGA的半整數分頻器的設計,用于設計EDA

    標簽: CPLD-FPGA 整數 分頻器

    上傳時間: 2013-09-03

    上傳用戶:pioneer_lvbo

  • <快學易用Protel99se>\r\n

    \r\n經典的Protel99se入門教程,孫輝著北京郵電大學出版社出版

    標簽: Protel 99 se

    上傳時間: 2013-09-11

    上傳用戶:Yukiseop

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR,不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個,分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)

    標簽: THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間: 2014-01-22

    上傳用戶:魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    標簽: MOS N溝道 H橋驅動 電路設計

    上傳時間: 2014-08-01

    上傳用戶:1109003457

  • 采用歸零法的N進制計數器原理

    計數器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎,用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。

    標簽: 歸零法 N進制計數器原

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • p-n結的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • 自動消防控制系統的半實物仿真研究

    介紹了基于Matlab/Simulink在研發自動消防控制系統中的設計與應用,提出了一種新的研發方法和理論,從而搭建起理論仿真研究與實時控制之間的橋梁。該方法利用Matlab/Simulink 提供的模型建立起自動消防的模糊PID自動控制模型,所建成的半實物仿真系統通過Q8卡的I/O 接口與實物相連,最后通過半實物仿真實驗給出結果曲線。結果表明,相比于傳統的研發方式,它不僅降低了研發成本和提高研發速度,而且結果非常直觀。

    標簽: 自動 消防控制系統 實物 仿真研究

    上傳時間: 2013-10-12

    上傳用戶:lihairui42

  • L6599控制的半橋LLC諧振變換器設計與實現

    LLC諧振變換器非常適合應用于高效率和高功率密度的場合,成為目前新型諧振變換器的典型代表。文章首先簡要介紹了半橋LLC諧振變換器的工作原理和優點,然后計算了主電路和控制電路的主要參數,并根據參數計算結果選擇電力電子元器件,最后研制并完善了實驗樣機。樣機實現了變壓器漏感充當諧振電感與變壓器勵磁電感和諧振電容諧振,主開關管實現ZVS,控制電路實現單管自舉驅動,驗證了文章的正確性和可行性。文章為后續研究奠定了理論和實驗基礎。

    標簽: L6599 LLC 控制 半橋

    上傳時間: 2013-10-13

    上傳用戶:diets

  • LLC諧振半橋DC-DC電路設計

    LED驅動電源的后級DC-DC恒流電路采用LLC諧振半橋的拓撲結構,并通過輸出的電流電壓雙環反饋來實現恒流限壓功能。LLC諧振半橋DC-DC恒流電路的功率部分包括了諧振電路和輸出整流電路,控制部分有芯片供電電路、控制芯片外圍電路、輸出反饋回路等,經試驗證明該系統輸出穩定好,能夠長時間高效工作。

    標簽: DC-DC LLC 諧振半橋 電路設計

    上傳時間: 2013-12-22

    上傳用戶:l銀幕海

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

     N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

    標簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

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