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FPGA/SOPC開(kāi)發(fā)教程,片上系統(tǒng)快速入門(mén)教程

FPGA/SOPC開(kāi)發(fā)教程,片上系統(tǒng)快速入門(mén)教程

標(biāo)簽： FPGA SOPC 開(kāi)發(fā)教程 片上系統(tǒng)

上傳時(shí)間： 2013-08-12

上傳用戶(hù)：redmoons

用兩片AVR（ATmega16）單片機(jī)

用兩片AVR（ATmega16）單片機(jī) 實(shí)現(xiàn)雙機(jī)通信（雙向，并帶反饋）。開(kāi)發(fā)環(huán)境為ICCAVR。文件中不但有完整的源代碼，還有用PROTEUS作的仿真圖。

標(biāo)簽： ATmega AVR 16 單片機(jī)

上傳時(shí)間： 2013-09-27

上傳用戶(hù)：m62383408

基于BCB鍵合的MEMS加速度計(jì)圓片級(jí)封裝工藝

　　對(duì)基于BCB的圓片級(jí)封裝工藝進(jìn)行了研究，該工藝代表了MEMS加速度計(jì)傳感器封裝的發(fā)展趨勢(shì)，是MEMS加速度計(jì)產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵。選用3000系列BCB材料進(jìn)行MEMS傳感器的粘結(jié)鍵合工藝試驗(yàn)，解決了圓片級(jí)封裝問(wèn)題，在低溫250 ℃和適當(dāng)壓力輔助下≤2.5 bar（1 bar=100 kPa）實(shí)現(xiàn)了加速度計(jì)的圓片級(jí)封裝，并對(duì)相關(guān)的旋涂、鍵合、氣氛、壓力等諸多工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。

標(biāo)簽： MEMS BCB 鍵合 加速度計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-11-17

上傳用戶(hù)：JasonC

工業(yè)監(jiān)控和便攜式儀器的6通道SAR型ADC

14 位 LTC®2351-14 是一款 1.5Msps、低功率 SAR 型 ADC，具有 6 個(gè)同時(shí)采樣差分輸入通道。它采用單 3V 工作電源，並具有 6 個(gè)獨(dú)立的采樣及保持放大器 (S/HA) 和一個(gè) ADC。

標(biāo)簽： SAR ADC 工業(yè)監(jiān)控 便攜式

上傳時(shí)間： 2013-11-16

上傳用戶(hù)：dbs012280

串入式聲音延時(shí)開(kāi)關(guān)的制作

串入式聲音延時(shí)開(kāi)關(guān)的制作

標(biāo)簽： 聲音延時(shí)開(kāi)關(guān)

上傳時(shí)間： 2013-10-29

上傳用戶(hù)：392210346

一種DDS任意波形發(fā)生器的ROM優(yōu)化方法

提出了一種改進(jìn)的基于直接頻率合成技術(shù)（DDS）的任意波形發(fā)生器在現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）上的實(shí)現(xiàn)方法。首先將三角波、正弦波、方波和升/降鋸齒波的波形數(shù)據(jù)寫(xiě)入片外存儲(chǔ)器，當(dāng)調(diào)用時(shí)再將相應(yīng)的數(shù)據(jù)移入FPGA的片上RAM，取代分區(qū)塊的將所有類(lèi)型波形數(shù)據(jù)同時(shí)存儲(chǔ)在片上RAM中的傳統(tǒng)方法；再利用正弦波和三角波的波形在4個(gè)象限的對(duì)稱(chēng)性以及鋸齒波的線性特性，通過(guò)硬件反相器對(duì)波形數(shù)據(jù)和尋址地址值進(jìn)行處理，實(shí)現(xiàn)了以1/4的數(shù)據(jù)量還原出精度不變的模擬信號(hào)，從而將整體的存儲(chǔ)量減小為原始設(shè)計(jì)方案的5%。經(jīng)驗(yàn)證，這種改進(jìn)方法正確可行，能夠大大降低開(kāi)發(fā)成本。

標(biāo)簽： DDS ROM 任意波形發(fā)生器

上傳時(shí)間： 2013-12-25

上傳用戶(hù)：日光微瀾

ICL8038 單片函數(shù)發(fā)生器

ICL8038 單片函數(shù)發(fā)生器

標(biāo)簽： 8038 ICL 函數(shù)發(fā)生器

上傳時(shí)間： 2014-12-23

上傳用戶(hù)：wushengwu

PADS制作鍋?zhàn)衅馕?/a>

標(biāo)簽： PADS

上傳時(shí)間： 2013-11-18

上傳用戶(hù)：michael20

一種無(wú)片外電容LDO的穩(wěn)定性分析

電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對(duì)比分析了傳統(tǒng)LDO和無(wú)片電容LDO的零極點(diǎn)，運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無(wú)片外電容LDO，電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對(duì)理論分析結(jié)果在Cadence平臺(tái)基上于CSMC0.5um工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無(wú)片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí)，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz

標(biāo)簽： LDO 無(wú)片外電容 穩(wěn)定性分析

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶(hù)：wangjin2945

XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開(kāi)關(guān)電源芯片

XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開(kāi)關(guān)電源芯片，測(cè)試板加芯片資料

標(biāo)簽： 4016 XL 高效率 大電流

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶(hù)：Shaikh