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用兩片AVR（ATmega16）單片機(jī)

用兩片AVR（ATmega16）單片機(jī) 實(shí)現(xiàn)雙機(jī)通信（雙向，并帶反饋）。開發(fā)環(huán)境為ICCAVR。文件中不但有完整的源代碼，還有用PROTEUS作的仿真圖。

標(biāo)簽： ATmega AVR 16 單片機(jī)

上傳時(shí)間： 2013-09-27

上傳用戶：m62383408

基于BCB鍵合的MEMS加速度計(jì)圓片級(jí)封裝工藝

　　對(duì)基于BCB的圓片級(jí)封裝工藝進(jìn)行了研究，該工藝代表了MEMS加速度計(jì)傳感器封裝的發(fā)展趨勢(shì)，是MEMS加速度計(jì)產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵。選用3000系列BCB材料進(jìn)行MEMS傳感器的粘結(jié)鍵合工藝試驗(yàn)，解決了圓片級(jí)封裝問題，在低溫250 ℃和適當(dāng)壓力輔助下≤2.5 bar（1 bar=100 kPa）實(shí)現(xiàn)了加速度計(jì)的圓片級(jí)封裝，并對(duì)相關(guān)的旋涂、鍵合、氣氛、壓力等諸多工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。

標(biāo)簽： MEMS BCB 鍵合 加速度計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-11-17

上傳用戶：JasonC

ICL8038 單片函數(shù)發(fā)生器

ICL8038 單片函數(shù)發(fā)生器

標(biāo)簽： 8038 ICL 函數(shù)發(fā)生器

上傳時(shí)間： 2014-12-23

上傳用戶：wushengwu

PADS制作鍋?zhàn)衅馕?/a>

標(biāo)簽： PADS

上傳時(shí)間： 2013-11-18

上傳用戶：michael20

pcb layout design(臺(tái)灣硬件工程師15年經(jīng)驗(yàn)

PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師

上傳時(shí)間： 2013-10-22

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一種無片外電容LDO的穩(wěn)定性分析

電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對(duì)比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點(diǎn)，運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對(duì)理論分析結(jié)果在Cadence平臺(tái)基上于CSMC0.5um工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí)，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz

標(biāo)簽： LDO 無片外電容 穩(wěn)定性分析

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶：wangjin2945

XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開關(guān)電源芯片

XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開關(guān)電源芯片，測(cè)試板加芯片資料

標(biāo)簽： 4016 XL 高效率 大電流

上傳時(shí)間： 2014-12-24

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單片開關(guān)電源最新應(yīng)用技術(shù)

單片開關(guān)電源設(shè)計(jì)

標(biāo)簽： 單片開關(guān) 電源 應(yīng)用技術(shù)

上傳時(shí)間： 2013-10-27

上傳用戶：liu123

新型單片開關(guān)電源設(shè)計(jì)與應(yīng)用

單片開關(guān)電源設(shè)計(jì)與應(yīng)用

標(biāo)簽： 單片開關(guān) 電源設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-11-14

上傳用戶：熊少鋒

單片開關(guān)電源

單片開關(guān)電源

標(biāo)簽： 單片開關(guān) 電源

上傳時(shí)間： 2013-12-23

上傳用戶：葉夜alex