sql經(jīng)典試卷及答案，需要的朋友請下載，包括（選擇，填空。。。。）
標(biāo)簽： sql 試卷
上傳時(shí)間： 2014-01-22
上傳用戶：hgy9473
完整的敘述如何開發(fā)即時(shí)中文辨識(shí)軟體，此為大學(xué)專題報(bào)告
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上傳時(shí)間： 2017-06-16
上傳用戶：頂?shù)弥?/p>
vbsql學(xué)習(xí)源碼，適合一般初學(xué)者，如有問題，麻煩請指教一下
標(biāo)簽： vbsql
上傳時(shí)間： 2017-07-04
上傳用戶：himbly
這是個(gè)prolog程式，能解決4x4的數(shù)獨(dú)問題 例： ?- sudoku ([4,2,0,0]/[0,1,0,2]/[0,0,1,0]/[1,0,0,4], Solution). Solution = [[4,2,3,1]/[3,1,4,2]/[2,4,1,3]/[1,3,2,4]]
標(biāo)簽： prolog 程式
上傳時(shí)間： 2017-07-21
上傳用戶：rocwangdp
1 C 語語語言言言 簡簡簡介介介 5 1.1 C 語言 歷史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 1.2 程 式 語言 分類 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 1.3 程 式 撰 寫步 驟 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 2 vi 編編編 輯輯輯 器器器 9 2.1 vi 與 vim . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 2.2 vi 的使用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 2.3 vim 的額外功能 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 2.4 vi 實(shí) 機(jī)練習(xí) 題 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 3 程程程 式式式開開開發(fā)發(fā)發(fā)環(huán)環(huán)環(huán) 境境境 23 3.1 編譯器 gcc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23 3.2 撰 寫第一 支程 式 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
標(biāo)簽： C程式語 pdf
上傳時(shí)間： 2015-03-16
上傳用戶：十字騎士
學(xué)校考試用的那種，需要下載吧，考試填空題有很多一樣的
標(biāo)簽： 計(jì)算方法 試題
上傳時(shí)間： 2016-12-28
上傳用戶：dayatu
數(shù)字電子電路的期中測試題，word文檔，填空、單選、化簡和設(shè)計(jì)題。
標(biāo)簽： 數(shù)字電子技術(shù) 測試
上傳時(shí)間： 2018-10-13
上傳用戶：leeh
《Java 基礎(chǔ)入門》課后習(xí)題答案 第 1 章 Java 開發(fā)入門 一、填空題 1、 Java EE、Java SE、Java ME 2、 JRE 3、 javac 4、 bin 5、 path、classpath
標(biāo)簽： Java
上傳時(shí)間： 2019-05-20
上傳用戶：123456yzj
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時(shí)間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程 的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些 可靠度的問題。
標(biāo)簽： ESD_Technology
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