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失效<b>分析</b>

(1) 、用下述兩條具體規(guī)則和規(guī)則形式實(shí)現(xiàn).設(shè)大寫字母表示魔王語(yǔ)言的詞匯小寫字母表示人的語(yǔ)言詞匯希臘字母表示可以用大寫字母或小寫字母代換的變量.魔王語(yǔ)言可含人的詞匯. (2) 、B→tAdA A

(1) 、用下述兩條具體規(guī)則和規(guī)則形式實(shí)現(xiàn).設(shè)大寫字母表示魔王語(yǔ)言的詞匯小寫字母表示人的語(yǔ)言詞匯希臘字母表示可以用大寫字母或小寫字母代換的變量.魔王語(yǔ)言可含人的詞匯. (2) 、B→tAdA A→sae (3) 、將魔王語(yǔ)言B(ehnxgz)B解釋成人的語(yǔ)言.每個(gè)字母對(duì)應(yīng)下列的語(yǔ)言.

標(biāo)簽： 字母 tAdA 語(yǔ)言詞匯

上傳時(shí)間： 2013-12-30

上傳用戶：ayfeixiao
1.有三根桿子A,B,C。A桿上有若干碟子 2.每次移動(dòng)一塊碟子,小的只能疊在大的上面 3.把所有碟子從A桿全部移到C桿上經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)

1.有三根桿子A,B,C。A桿上有若干碟子 2.每次移動(dòng)一塊碟子,小的只能疊在大的上面 3.把所有碟子從A桿全部移到C桿上經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)，漢諾塔的破解很簡(jiǎn)單，就是按照移動(dòng)規(guī)則向一個(gè)方向移動(dòng)金片：如3階漢諾塔的移動(dòng)：A→C,A→B,C→B,A→C,B→A,B→C,A→C 此外，漢諾塔問(wèn)題也是程序設(shè)計(jì)中的經(jīng)典遞歸問(wèn)題

標(biāo)簽： 移動(dòng) 發(fā)現(xiàn)

上傳時(shí)間： 2016-07-25

上傳用戶：gxrui1991
1. 下列說(shuō)法正確的是（） A. Java語(yǔ)言不區(qū)分大小寫 B. Java程序以類為基本單位 C. JVM為Java虛擬機(jī)JVM的英文縮寫 D. 運(yùn)行Java程序需要先安裝JDK

1. 下列說(shuō)法正確的是（） A. Java語(yǔ)言不區(qū)分大小寫 B. Java程序以類為基本單位 C. JVM為Java虛擬機(jī)JVM的英文縮寫 D. 運(yùn)行Java程序需要先安裝JDK 2. 下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是 ( ) A. Java語(yǔ)言是編譯執(zhí)行的 B. Java中使用了多進(jìn)程技術(shù) C. Java的單行注視以//開頭 D. Java語(yǔ)言具有很高的安全性 3. 下面不屬于Java語(yǔ)言特點(diǎn)的一項(xiàng)是( ) A. 安全性 B. 分布式 C. 移植性 D. 編譯執(zhí)行 4. 下列語(yǔ)句中，正確的項(xiàng)是 ( ) A . int $e,a,b=10 B. char c,d=’a’ C. float e=0.0d D. double c=0.0f

標(biāo)簽： Java A. B. C.

上傳時(shí)間： 2017-01-04

上傳用戶：netwolf
IGBT失效分析技術(shù)

近年來(lái)，對(duì)器件的失效分析已經(jīng)成為電力電子領(lǐng)域中一個(gè)研究熱點(diǎn)。本論文基于現(xiàn)代電力電子裝置中應(yīng)用最廣的IGBT器件，利用靜態(tài)測(cè)試儀3716，SEM（Scanning Electrom Microscope，掃描電子顯微鏡）、EDX（Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy、能量色散x射線光譜儀）、FIB（Focused lon beam，聚焦高子束）切割、TEM（Thermal Emmision Microscope，高精度熱成像分析儀）等多種分析手段對(duì)模塊應(yīng)用當(dāng)中失效的1GBT芯片進(jìn)行電特性分析、芯片解剖并完成失效分析，并基于相應(yīng)的失效模式提出了封裝改進(jìn)方案。1，對(duì)于柵極失效的情況，本論文先經(jīng)過(guò)電特性測(cè)試完成預(yù)分析，并利用THEMOS分析出柵極漏電流通路，找到最小點(diǎn)并進(jìn)行失效原因分析，針對(duì)相應(yīng)原因提出改進(jìn)方案。2，針對(duì)開通與關(guān)斷瞬態(tài)過(guò)電流失效，采用研磨、劃片等手段進(jìn)行芯片的解剖。并用SEM與EDX對(duì)芯片損傷程度進(jìn)行評(píng)估分析，以文獻(xiàn)為參考進(jìn)行失效原因分析，利用saber仿真進(jìn)行失效原因驗(yàn)證。3，針對(duì)通態(tài)過(guò)電流失效模式，采用解剖分析來(lái)評(píng)估損傷情況，探究失效原因，并采用電感鉗位電路進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。4，針對(duì)過(guò)電壓失效模式，采用芯片解剖方式來(lái)分析失效點(diǎn)以及失效情況，基于文獻(xiàn)歸納并總結(jié)出傳統(tǒng)失效原因，并通過(guò)大量實(shí)驗(yàn)得出基于封裝的失效原因，最后采用saber仿真加以驗(yàn)證。

標(biāo)簽： igbt

上傳時(shí)間： 2022-06-21

上傳用戶：1208020161
芯片封裝失效分析

封裝作為微電子產(chǎn)業(yè)的三大支柱之一，在微電子產(chǎn)業(yè)中的地位越來(lái)越重要。隨著微電子產(chǎn)業(yè)不斷的發(fā)展，輕型化，薄型化，小型化的微小間距封裝成為發(fā)展需要。而封裝的相關(guān)失效成為制約封裝向前發(fā)展的瓶頸。本文通過(guò)大量的調(diào)研文獻(xiàn)，對(duì)封裝失效分析的目的，內(nèi)容和現(xiàn)狀進(jìn)行總結(jié)，并對(duì)封裝失效分析的未來(lái)發(fā)展進(jìn)行展望。本文的主題是對(duì)封裝中最重要的兩個(gè)方面引線鍵合和塑料封裝材料產(chǎn)生的相關(guān)失效進(jìn)行歸納總結(jié)。本文從封裝在微電子產(chǎn)業(yè)中的作用出發(fā)，引出對(duì)封裝的失效進(jìn)行分析的重要性，并說(shuō)明了國(guó)內(nèi)外封裝產(chǎn)業(yè)的差距。對(duì)失效的基礎(chǔ)概念，失效的分類進(jìn)行了闡述；總結(jié)了進(jìn)行失效分析的相關(guān)流程和進(jìn)行失效分析最基本的方法和儀器。對(duì)封裝中最普遍的引線鍵合工藝和塑封工藝分別進(jìn)行了分析。對(duì)比了傳統(tǒng)的Au線，Al線與Cu線鍵合工藝，說(shuō)明了Cu引線鍵合技術(shù)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的鍵合技術(shù)成為主流鍵合工藝的必然性；對(duì)Cu引線鍵合技術(shù)中出現(xiàn)的相關(guān)失效問(wèn)題和國(guó)內(nèi)外的研究結(jié)果進(jìn)行了分析歸納。對(duì)塑料封裝材料的發(fā)展進(jìn)行了說(shuō)明，指出環(huán)氧樹脂為主流塑料封裝材料的原因；對(duì)環(huán)氧樹脂的組成以及在使用環(huán)氧樹脂過(guò)程中出現(xiàn)的相關(guān)失效進(jìn)行了歸納，并總結(jié)了環(huán)氧樹脂未來(lái)的發(fā)展方向。

標(biāo)簽： 封裝微電子

上傳時(shí)間： 2022-06-24

上傳用戶：slq1234567890
主機(jī)氣動(dòng)遙控系統(tǒng)

分析B&W主機(jī)遙控系統(tǒng)組成功能。

標(biāo)簽： 主機(jī) 氣動(dòng) 遙控系統(tǒng)

上傳時(shí)間： 2013-11-07

上傳用戶：wangzeng
電子產(chǎn)品可靠性分析應(yīng)用

電子產(chǎn)品可靠性分析、評(píng)價(jià)的重點(diǎn)在于確定其高風(fēng)險(xiǎn)環(huán)節(jié)。基于充分考量失效機(jī)理的分析目的，采用了“元器件-失效模式-失效機(jī)理-影響因素”相關(guān)聯(lián)的分析方法，通過(guò)相關(guān)物理模型和一個(gè)電子產(chǎn)品分析案例，實(shí)現(xiàn)了利用這一方式確定高風(fēng)險(xiǎn)環(huán)節(jié)和分析可靠性的全過(guò)程，得到了這一方法比采用FMEA等失效模式分析更為實(shí)際、準(zhǔn)確的結(jié)論。

標(biāo)簽： 電子產(chǎn)品可靠性分析

上傳時(shí)間： 2013-11-19

上傳用戶：fanxiaoqie
題目：利用條件運(yùn)算符的嵌套來(lái)完成此題：學(xué)習(xí)成績(jī)>=90分的同學(xué)用A表示

題目：利用條件運(yùn)算符的嵌套來(lái)完成此題：學(xué)習(xí)成績(jī)>=90分的同學(xué)用A表示，60-89分之間的用B表示，60分以下的用C表示。 1.程序分析：(a>b)?a:b這是條件運(yùn)算符的基本例子。

標(biāo)簽： gt 90 運(yùn)算符嵌套

上傳時(shí)間： 2015-01-08

上傳用戶：lifangyuan12
AEC-Q100G 中文資料

本文件包括了一系列應(yīng)力測(cè)試失效機(jī)理、最低應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證要求的定義及集成電路認(rèn)證的參考測(cè)試條件。這些測(cè)試能夠模擬跌落半導(dǎo)體器件和封裝失效，目的是能夠相對(duì)于一般條件加速跌落失效。這組測(cè)試應(yīng)該是有區(qū)別的使用，每個(gè)認(rèn)證方案應(yīng)檢查以下： a、任何潛在新的和獨(dú)特的失效機(jī)理；b、任何應(yīng)用中無(wú)顯現(xiàn)但測(cè)試或條件可能會(huì)導(dǎo)致失效的情況；c、任何相反地會(huì)降低加速失效的極端條件和應(yīng)用。使用本文件并不是要解除 IC 供應(yīng)商對(duì)自己內(nèi)部認(rèn)證項(xiàng)目的責(zé)任性，其中的使用者被定義為所有按照規(guī)格書使用其認(rèn)證器件的客戶，客戶有責(zé)任去證實(shí)確認(rèn)所有的認(rèn)證數(shù)據(jù)與本文件相一致。供應(yīng)商對(duì)由其規(guī)格書里所陳述的器件溫度等級(jí)的使用是非常值得提倡的。此規(guī)格的目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過(guò)應(yīng)力測(cè)試以及被認(rèn)為能夠提供某種級(jí)別的品質(zhì)和可靠性。如果成功完成根據(jù)本文件各要點(diǎn)需要的測(cè)試結(jié)果，那么將允許供應(yīng)商聲稱他們的零件通過(guò)了 AEC Q100認(rèn)證。供應(yīng)商可以與客戶協(xié)商，可以在樣品尺寸和條件的認(rèn)證上比文件要求的要放寬些，但是只有完成要求實(shí)現(xiàn)的時(shí)候才能認(rèn)為零件通過(guò)了 AEC Q100認(rèn)證。

標(biāo)簽： AEC-Q100G 應(yīng)力測(cè)試

上傳時(shí)間： 2022-05-08

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電子元器件抗ESD技術(shù)講義.rar

電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引言 4 第1 章電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識(shí) 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點(diǎn) 5 1.2 對(duì)靜電認(rèn)識(shí)的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢(shì) 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來(lái)源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來(lái)源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機(jī)器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機(jī)理 15 第2章制造過(guò)程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護(hù)的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對(duì)電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國(guó)內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對(duì)電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點(diǎn) 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過(guò)程 2.3 靜電防護(hù)的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護(hù)材料 2.4.1 與靜電防護(hù)材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護(hù)材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護(hù)器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護(hù)的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運(yùn)送和存儲(chǔ)工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測(cè) 2.6.4 靜電防護(hù)的管理工作第3章抗靜電檢測(cè)及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測(cè)的作用和意義 3.2 靜電放電的標(biāo)準(zhǔn)波形 3.3 抗ESD檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn) 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測(cè)及分類的常用標(biāo)準(zhǔn) 3.3.2 標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法的主要內(nèi)容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實(shí)際ESD檢測(cè)的結(jié)果統(tǒng)計(jì)及分析 3.4.1 試驗(yàn)條件 3.4.2 ESD評(píng)價(jià)試驗(yàn)結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測(cè)中經(jīng)常遇到的一些問(wèn)題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I－V特性檢測(cè) 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對(duì)器件損傷的分析判別方法第4 章電子元器件抗ESD設(shè)計(jì)技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過(guò)電流熱失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.2抗場(chǎng)感應(yīng)ESD失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護(hù)電路 4.2.1基本抗靜電保護(hù)電路 4.2.2對(duì)抗靜電保護(hù)電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護(hù)電路的考慮 4.2.4防靜電保護(hù)元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機(jī)理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計(jì)策略 4.4.1 設(shè)計(jì)保護(hù)電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達(dá)到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì) 4.5.1 基本ESD保護(hù)電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路 4.5.3 ESD設(shè)計(jì)的輔助工具－TLP測(cè)試 4.5.4 CMOS電路ESD保護(hù)設(shè)計(jì)方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護(hù)電路示例 4.6 工藝控制和管理

標(biāo)簽： ESD 電子元器件講義

上傳時(shí)間： 2013-07-13

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