MOTION BUILDER Ver.2 是用于監(jiān)控 KV-H20/H20S/H40S/H20G 的參數(shù)設(shè)定以及當(dāng)前動(dòng)作狀態(tài)的軟件。 在 PC 上可以設(shè)定復(fù)雜的參數(shù)，并可以在顯示畫面上監(jiān)控正在運(yùn)行的 KV-H20/H20S/H40S/H20G。 關(guān)于 MOTION BUILDER Ver.2 概要、功能與使用方法的詳細(xì)說(shuō)明。在安裝之前，請(qǐng)仔細(xì)閱讀本手冊(cè)，并充分 理解。 注意 1、使用 MOTION BUILDER Ver.2 時(shí)，必須在可以使用 KV-H20/H20S/H40S/H20G 上 連接的緊急停止開(kāi)關(guān)的地方使用。 通訊異常時(shí)，不接受 MOTION BUILDER Ver.2 的“強(qiáng)制停止”，可能會(huì)導(dǎo)致事故指示發(fā)生。發(fā)生通信異常時(shí)，MOTION BUILDER Ver.2 的“強(qiáng)制停止”按鈕將不起作用。 2、JOG 過(guò)程中，不能采用斷開(kāi) PLC 的連接電纜等手段停止通訊。 KV-H20/H20S/H40S/H20G 單元的 JOG 繼電器會(huì)一直保持 ON，機(jī)器繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)，并可能導(dǎo)致事故發(fā)生。 3、執(zhí)行監(jiān)控或者寫入?yún)?shù)（設(shè)定）時(shí)，不能斷開(kāi)和 PLC 的連接電纜。 否則會(huì)發(fā)生通訊錯(cuò)誤，PC 可能會(huì)被重啟。KV-H20/H20S/H40S/H20G 內(nèi)的數(shù)據(jù)可 能會(huì)損壞。 4、在 RUN 過(guò)程中，KV-1000/700 進(jìn)行 JOG 示教時(shí)，必須在 PROG 模式下實(shí)施。 如果掃描時(shí)間較長(zhǎng)，則反映的時(shí)間變長(zhǎng)，且可能發(fā)生無(wú)法預(yù)料的動(dòng)作。 5、發(fā)送到 KV-1000/700 的單元設(shè)定信息必須與當(dāng)前打開(kāi)的梯形圖程序的單元設(shè)定信 息一致。如果設(shè)定信息不同，則顯示錯(cuò)誤，且不運(yùn)行。 6、錯(cuò)誤操作或者靜電等會(huì)引起數(shù)據(jù)變化或者去失，為了保護(hù)數(shù)據(jù)，請(qǐng)定期進(jìn)行備份。 指示 關(guān)于數(shù)據(jù)的變化或者消失引起的損失，本公司不負(fù)任何責(zé)任，請(qǐng)諒解。 7、保存數(shù)據(jù)時(shí)，如果需要保留原來(lái)保存的數(shù)據(jù)，則選擇“重命名保存”。 如果“覆蓋保存”則會(huì)失去原來(lái)保存的數(shù)據(jù)。 運(yùn)行環(huán)境及系統(tǒng)配置 運(yùn)行 MOTION BUILDER Ver.2 ，必須具備如下環(huán)境。 請(qǐng)確認(rèn)您使用的系統(tǒng)是否符合如下條件、是否備齊了必需的設(shè)備。 對(duì)應(yīng)的 PC 機(jī)型 • IBM PC 以及 PC/AT 兼容機(jī)（DOS/V） 系統(tǒng)配置 • CPU Pentium 133 MHz 以上 支持 Windows 的打印 （推薦 Pentium 200 MHz 以上） • 內(nèi)存容量擴(kuò)展內(nèi)存 64MB 以上 • 硬盤可用空間 20MB 以上 • CD-ROM 驅(qū)動(dòng)器 • 接口 RS-232C 或者 USB
標(biāo)簽： BUILDER MOTION Ver 使用說(shuō)明書
上傳時(shí)間： 2013-10-08
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本資料是關(guān)于Nexys3板卡的培訓(xùn)資料。Nexys 開(kāi)發(fā)板是基于最新技術(shù)Spartan-6 FPGA的數(shù)字系統(tǒng)開(kāi)發(fā)平臺(tái)。它擁有48M字節(jié)的外部存儲(chǔ)器（包括2個(gè)非易失性的相變存儲(chǔ)器），以及豐富的I/O器件和接口，可以適用于各式各樣的數(shù)字系統(tǒng)。 板上自帶AdeptTM高速USB2接口可以為開(kāi)發(fā)板提供電源，也可以燒錄程序到FPGA，用戶數(shù)據(jù)的傳輸速率可以達(dá)到38M字節(jié)/秒。 Nexys3開(kāi)發(fā)板可以通過(guò)添加一些低成本的外設(shè)Pmods （可以多達(dá)30幾個(gè)）和Vmods （最新型外設(shè)）來(lái)實(shí)現(xiàn)額外的功能，例如A/D和D/A轉(zhuǎn)換器，線路板，電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置，和實(shí)現(xiàn)裝置等等。另外，Nexys3完全兼容所有的賽靈思工具，包括免費(fèi)的WebPackTM，ChipscopeTM，EDKTM（嵌入式處理器設(shè)計(jì)套件），以及其他工具。 圖 Nexys3板卡介紹
上傳時(shí)間： 2013-10-24
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本應(yīng)用指南講述一種實(shí)用的 MicroBlaze™ 系統(tǒng)，用于在非易失性 Platform Flash PROM 中存儲(chǔ)軟件代碼、用戶數(shù)據(jù)和配置數(shù)據(jù)，以簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)和降低成本。另外，本應(yīng)用指南還介紹一種可移植的硬件設(shè)計(jì)、一個(gè)軟件設(shè)計(jì)以及在實(shí)現(xiàn)流程中使用的其他腳本實(shí)用工具。 簡(jiǎn)介許多 FPGA 設(shè)計(jì)都集成了使用 MicroBlaze 和 PowerPC™ 處理器的軟件嵌入式系統(tǒng)，這些設(shè)計(jì)同時(shí)使用外部易失性存儲(chǔ)器來(lái)執(zhí)行軟件代碼。使用易失性存儲(chǔ)器的系統(tǒng)還必須包含一個(gè)非易失性器件，用來(lái)在斷電期間存儲(chǔ)軟件代碼。大多數(shù) FPGA 系統(tǒng)都在電路板上使用 Platform FlashPROM (在本文中稱作 PROM)，用于在上電時(shí)加載 FPGA 配置數(shù)據(jù)。另外，許多應(yīng)用還可能使用其他非易失性器件(如 SPI Flash、Parallel Flash 或 PIC)來(lái)保存 MAC 地址等少量用戶數(shù)據(jù)，因此導(dǎo)致系統(tǒng)電路板上存在大量非易失性器件。
標(biāo)簽： MicroBlaze Platform Flash XAPP
上傳時(shí)間： 2013-10-15
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具有OBFL功能的電路板經(jīng)配置后，可以把故障相關(guān)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中，并可在日后加以檢索和顯示以用于故障分析。這些故障記錄有助于電路板故障的事后檢查。要實(shí)現(xiàn)OBFL系統(tǒng)功能，需要同時(shí)使用軟硬件。在硬件方面，需要：a)確定給出電路板件故障信息的板載OBFL資源(如溫度感應(yīng)器、存儲(chǔ)器、中斷資源、電路板ID，等等)；b)在電路板或者系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí)用以保存故障信息的板載非易失性存儲(chǔ)。OBFL軟件的作用是在正常的電路板運(yùn)行以及電路板故障期間配置電路板變量并將其作為OBFL記錄存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)中。OBFL軟件還應(yīng)具備一定的智能，能夠分析多項(xiàng)出錯(cuò)事件、記錄和歷史故障記錄，以逐步縮小范圍的方式確認(rèn)故障原因。這種分析可以大大減輕故障排查工作，否則將有大量的OBFL記錄需要故障分析工程師手動(dòng)核查。
上傳時(shí)間： 2013-10-30
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來(lái)，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡(jiǎn)稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時(shí)間： 2013-12-15
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PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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伺服與變頻：伺服與變頻的一個(gè)重要區(qū)別是: 變頻可以無(wú)編碼器,伺服則必須有編碼器,作電子換向用. 一、兩者的共同點(diǎn)： 交流伺服的技術(shù)本身就是借鑒并應(yīng)用了變頻的技術(shù)，在直流電機(jī)的伺服控制的基礎(chǔ)上通過(guò)變頻的PWM方式模仿直流電機(jī)的控制方式來(lái)實(shí)現(xiàn)的，也就是說(shuō)交流伺服電 機(jī)必然有變頻的這一環(huán)節(jié)：變頻就是將工頻的50、60HZ的交流電先整流成直流電，然后通過(guò)可控制門極的各類晶體管（IGBT，IGCT等）通過(guò)載波頻率 和PWM調(diào)節(jié)逆變?yōu)轭l率可調(diào)的波形類似于正余弦的脈動(dòng)電，由于頻率可調(diào)，所以交流電機(jī)的速度就可調(diào)了（n=60f/2p ，n轉(zhuǎn)速，f頻率， p極對(duì)數(shù)） 二、談?wù)勛冾l器： 簡(jiǎn)單的變頻器只能調(diào)節(jié)交流電機(jī)的速度，這時(shí)可以開(kāi)環(huán)也可以閉環(huán)要視控制方式和變頻器而定，這就是傳統(tǒng)意義上的V/F控制方式。現(xiàn)在很多的變頻已經(jīng)通過(guò)數(shù)學(xué) 模型的建立，將交流電機(jī)的定子磁場(chǎng)UVW3相轉(zhuǎn)化為可以控制電機(jī)轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩的兩個(gè)電流的分量，現(xiàn)在大多數(shù)能進(jìn)行力矩控制的著名品牌的變頻器都是采用這樣方 式控制力矩，UVW每相的輸出要加摩爾效應(yīng)的電流檢測(cè)裝置，采樣反饋后構(gòu)成閉環(huán)負(fù)反饋的電流環(huán)的PID調(diào)節(jié)；ABB的變頻又提出和這樣方式不同的直接轉(zhuǎn)矩 控制技術(shù)，具體請(qǐng)查閱有關(guān)資料。這樣可以既控制電機(jī)的速度也可控制電機(jī)的力矩，而且速度的控制精度優(yōu)于v/f控制，編碼器反饋也可加可不加，加的時(shí)候控制 精度和響應(yīng)特性要好很多。 三、談?wù)勊欧? 驅(qū)動(dòng)器方面：伺服驅(qū)動(dòng)器在發(fā)展了變頻技術(shù)的前提下，在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的電流環(huán)，速度環(huán)和位置 環(huán)（變頻器沒(méi)有該環(huán)）都進(jìn)行了比一般變頻更精確的控制技術(shù)和算法運(yùn)算，在功能上也比傳統(tǒng)的伺服強(qiáng)大很多，主要的一點(diǎn)可以進(jìn)行精確的位置控制。通過(guò)上位控制 器發(fā)送的脈沖序列來(lái)控制速度和位置（當(dāng)然也有些伺服內(nèi)部集成了控制單元或通過(guò)總線通訊的方式直接將位置和速度等參數(shù)設(shè)定在驅(qū)動(dòng)器里），驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的算法和 更快更精確的計(jì)算以及性能更優(yōu)良的電子器件使之更優(yōu)越于變頻器。 電機(jī)方面：伺服電機(jī)的材料、結(jié)構(gòu)和加工工藝要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于變頻器驅(qū)動(dòng)的交流電機(jī) （一般交流電機(jī)或恒力矩、恒功率等各類變頻電機(jī)），也就是說(shuō)當(dāng)驅(qū)動(dòng)器輸出電流、電壓、頻率變化很快的電源時(shí)，伺服電機(jī)就能根據(jù)電源變化產(chǎn)生響應(yīng)的動(dòng)作變 化，響應(yīng)特性和抗過(guò)載能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于變頻器驅(qū)動(dòng)的交流電機(jī)，電機(jī)方面的嚴(yán)重差異也是兩者性能不同的根本。就是說(shuō)不是變頻器輸出不了變化那么快的電源信號(hào)，而 是電機(jī)本身就反應(yīng)不了，所以在變頻的內(nèi)部算法設(shè)定時(shí)為了保護(hù)電機(jī)做了相應(yīng)的過(guò)載設(shè)定。當(dāng)然即使不設(shè)定變頻器的輸出能力還是有限的，有些性能優(yōu)良的變頻器就 可以直接驅(qū)動(dòng)伺服電機(jī)！！！ 四、談?wù)劷涣麟姍C(jī)： 交流電機(jī)一般分為同步和異步電機(jī) 1、交流同步電機(jī)：就是轉(zhuǎn)子是由永磁材料構(gòu)成，所以轉(zhuǎn)動(dòng)后，隨著電機(jī)的定子旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的變化，轉(zhuǎn)子也做響應(yīng)頻率的速度變化，而且轉(zhuǎn)子速度=定子速度，所以稱"同步"。 2、交流異步電機(jī)：轉(zhuǎn)子由感應(yīng)線圈和材料構(gòu)成。轉(zhuǎn)動(dòng)后，定子產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)切割定子的感應(yīng)線圈，轉(zhuǎn)子線圈產(chǎn)生感應(yīng)電流，進(jìn)而轉(zhuǎn)子產(chǎn)生感應(yīng)磁場(chǎng)，感應(yīng) 磁場(chǎng)追隨定子旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的變化，但轉(zhuǎn)子的磁場(chǎng)變化永遠(yuǎn)小于定子的變化，一旦等于就沒(méi)有變化的磁場(chǎng)切割轉(zhuǎn)子的感應(yīng)線圈，轉(zhuǎn)子線圈中也就沒(méi)有了感應(yīng)電流，轉(zhuǎn)子磁 場(chǎng)消失，轉(zhuǎn)子失速又與定子產(chǎn)生速度差又重新獲得感應(yīng)電流。。。所以在交流異步電機(jī)里有個(gè)關(guān)鍵的參數(shù)是轉(zhuǎn)差率就是轉(zhuǎn)子與定子的速度差的比率。 3、對(duì)應(yīng)交流同步和異步電機(jī)變頻器就有相映的同步變頻器和異步變頻器，伺服電機(jī)也有交流同步伺服和交流異步伺服，當(dāng)然變頻器里交流異步變頻常見(jiàn)，伺服則交流同步伺服常見(jiàn)。
標(biāo)簽： 伺服
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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微電腦型RS-485顯示電表（24*48mm/48*96mm） 特點(diǎn)： 5位數(shù)RS-485顯示電表 顯示范圍-19999-99999位數(shù) 通訊協(xié)議Modbus RTU模式 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(jì) 尺寸小,穩(wěn)定性高 主要規(guī)格： 顯示范圍:-19999~99999 digit RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485通訊協(xié)議: Modbus RTU mode 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm (0.4") (MMX-RS-11X) Red high efficiency LEDs high 20.32 mm (0.8") (MMX-RS-12X) Red high efficiency LEDs high 10.16 mm (0.4")x2 (MMX-RS-22X) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶方式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/power) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2015-01-03
上傳用戶：feitian920
特點(diǎn)： 精確度0.05%滿刻度±1位數(shù) 可量測(cè)交直流電流/交直流電壓/電位計(jì)/傳送器/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻 等信號(hào) 顯示范圍-19999~99999可任意規(guī)劃 具有自動(dòng)歸零或保持或雙顯示功能 (optional) 小數(shù)點(diǎn)可任意規(guī)劃 尺寸小,穩(wěn)定性高
上傳時(shí)間： 2013-11-20
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